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本文利用全量子理论推导了半导体中多光子吸收跃迁速率的一般表达式。对各种模型计算了本征GaAs在λ=2.06um下的三光子吸收系数。实验上采用非线性光电导和非线性光透射技术,测量了GaAs中三光子吸收系数。 相似文献
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本文用噪音微扰场讨论了三光子吸收效应对光纤放大器的增益噪音和误码率的影响.由此得到三光子吸收效应能抑制该类噪音和减小误码率而有利于光孤子通信的结论. 相似文献
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本文首次报道了采用非线性光透射技术(NLT)测量λ=2.06μm激光激发下GaAs本征半导体中三光子吸收的实验研究.观察到了三光子吸收及所伴随的自由载流子的激发态吸收,并测得了三光子吸收系数.实验测量结果与理论计算结果比较,符合较好. 相似文献
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通过对新合成的芴的一种具有对称性衍生物4-2-(7-(4-氨基苯乙烯基)-9,9-二(2-乙基己基)-9H-芴-2-)乙烯基)苯胺(BASF)的DMF溶液的研究,发现其具有很强三光子吸收频率上转换荧光发射特性,实验测出上转换荧光的波长范围是456—775nm,在510nm处的荧光强度与入射光强的三次方成正比.在0.03mol/L的浓度下就有明显的三光子吸收诱导的光限幅效应.非线性吸收系数和吸收截面分别为γ=4.34×10-20cm3/W2和σ3=2.4×10-39cm6/W2.
关键词:
三光子吸收
光限幅
上转换荧光
吸收截面 相似文献
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钠蒸气中的双光子共振三光子电离和双光子混合并振三光子电离 总被引:2,自引:2,他引:0
在钠原子-分子混合样品中,分别运用双光子共振三光子电离以及双光子混合共振三光子电离,测得了钠原子4D态的电离流时间衰减曲线。由电离流与多光子动力学参数的关系,得到了4D态的光电离截面。 相似文献
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为应用差分吸收光谱法(DOAS)技术于火电厂等固定污染源的排放监测,需要研究温度等因素对SO2污染气体紫外差分吸收特性的影响。对SO2在其紫外280-320 nm差分特征波段,温度从30-400℃差分吸收特性进行的实验研究表明,温度升高使得差分光谱峰值减小峰谷值上升, 210℃与390℃相对于30℃的差分吸收计算浓度相对误差为 -40%和-70%左右,但整个差分结构吸收频率没有发生变化。 相似文献
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原子吸收分光光度计用于分子吸收分析测定稀土氧化物中铝和硅 总被引:1,自引:0,他引:1
用原子吸收分光光度计代替紫外-可见光度计测定元素的分子络合物的分子吸收。作为初步尝试,测定了稀土氧化物中的铝和硅,取得了满意的结果。 相似文献
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内腔激光磁共振吸收及饱和特性 总被引:3,自引:2,他引:1
从气体激光运转特性出发,我们得到了内腔激光磁共振吸收及其无多普勒展宽饱和吸收的一阶微商信号的数学表达式.并以NO作为吸收分子研究了激光磁共振信号强度与样品气压和激光光强的关系,同时对内腔激光磁共振中无多普勒饱和吸收特性进行了详细的讨论. 相似文献
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用倍频YAG脉冲激光作为控制光以使三重激发态对作为信号光的氦氛激光实现非线性光学吸收,从而演示了曙红Y的全光逻辑,并在理论上进行了分析和讨论。 相似文献
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本文论述了硅锗量子阱中的光致子带间吸收的机理,并在实验中探测SiGe/Si量子阱价带间的红外光致吸收.载流子由氩离子激光器作为光泵浦源产生,所导致的红外吸收由一个步进式傅里叶变换光谱仪来探测.在硅锗量子阱中的光致吸收有两个来源:类似单一掺杂的SiGe薄层的体吸收的自由载流子吸收,及量子阱价带的子带间吸收.实验探测了TE和TM偏振方向的吸收.TM偏振方向的吸收是由偏离布里渊带中心的载流子的跃迁所造成的.我们认为这种光致吸收技术在研究价带耦合效应及其对子带间吸收的影响是非常有效的. 相似文献
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电磁波在非均匀等离子体中的吸收 总被引:7,自引:3,他引:7
研究了电磁波在非均匀碰撞等离子体中的传播和吸收,提出了一种计算电磁波在非均匀等离子体层中反射和透射功率的模型。对几种典型的非均匀密度剖面,计算了在不同的碰撞频率和层边缘密度下电磁波衰减率与电磁波频率的关系,结果表明,对于给定的密度剖面和有效吸收频宽,存在一个最佳的磁撞频率。 相似文献