Ti-Pd系的超导性

自从1912年Onnes发现世界上第一个超导合金其T_c略高于组成元素的自身值之后,人们不断地努力寻找比组成元素T_c值有较大幅度提高的各种组合,至今已找到了数以千计的超导合金和化合物.关于Ti-Pd系二元合金,Raub等人曾提过A-15结构的Ti_4Pd会有超导性,但尚未见到详细的研究报道,Ti-Pd系超导性的研究基本是空白.     

Ti-Pd系合金的比热测量

本文给出了Ti-Pd系合金样品的低温比热的测量结果,得出样品Ti_0.92Pd_0.08及Ti_0.8Pd_0.2的电子比热系数r分别为5.89mJ/mol·K²和4.78mJ/mol·K²,显然比纯Ti的r值3.32mJ/mol·K²高得多。因此,它们的费密面的电子态密度也比纯Ti的高,这正是Ti-Pd系合金的超导转变温度T_c比纯Ti的有较大幅度提高的原因。 关键词：     

新氧化物超导体系Tl-Sr-V-Cu-O的高温超导电性

铊基高温超导体由于其高临界温度及种类繁多而越来越受到广泛的重视.作者在寻求新的甚至更高 T_c 超导体的研究中,发现在金属导电性的 Tl-Sr-Cu-O 体系中添加钒能形成一种新的高温氧化物超导体.在目前最佳制备条件下,名义组成为 TlSr_(1.25)V_(0.25)CuO_y 样品的T_c(onset)接近80K,T_c(ρ=0)达74K.本文报道 Tl-Sr-V-Cu-O 超导样品的制备及其超导电性的测定,并初步讨论了新超导体的成相规律及物相分析.     

Bi系中Pb的替代及其超导电性

分析了不同的降温速率对名义的 Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ga_2Cu_3O_y 样品的超导行为的影响,认为Pb 的替代并不能导致其 T_c 的提高,相反会有可能将原来的110K 相变成 100K 相,将原来的85K 相变成为72K 相,110K 相和100K 相以及85K 相和72K 相之间的结构框架没有本质的差别,所不同的是 Pb 在其中占据的位置,降温速率对其超导行为的影响可能是由于 Pb 在其中占据位置的有序分布的不同所致.     

Bi系氧化物超导体的微结构与超导电性的关系

本系统地研究总结了Ｂｉ系氧化物超导体的微结构特征及其与超导电性的关系。我们的研究结果指出ＣｕＯ２面的准二维特征是铜氧化物产生超导电性的必要条件，超导电性的出现与否以及Ｔｃ的高低是由ＣｕＯ２面的结构畸变程度的大小所决定的。对于Ｂｉ系氧化物，ＣｕＯ２面的结构畸变与非公度调制结构的特征是相关的，随着调制波长的缩短，ＣｕＯ２面的畸变加剧，反之则减弱。对于非公度调制的起因，我们的结果表明它来自于ＢｉＯ层和     

超导电性研究近况

在第十五届国际低温物理会议上超导电性方面的论文有170篇,其中邀请报告12篇。     

Nb-Si系合金非晶带制备及其超导电性

用新方法制备出了铌硅合金共晶区的和共晶区以外的非晶铌硅合金。实验测得含18-25at％S_1铌硅合金非晶带超导转变温度Tc与硅含量增加呈现线性下降关系。     

超导电性的交流磁化率研究

本文综述了交流磁化率在超导电性物理研究方面的进展.主要包括如何用交流磁化率确认超导电性,测定各种超导电参量(临界温度,临界磁场等),研究涡旋物质的强度(临界电流密度,不可逆场等),涡旋动力学(磁弛豫,钉扎能等).     

颗粒超导电性的理论研究

对超导体的尺寸效应的最初兴趣,来自于发现了某些超导体(Al,sn,In等),当它们沉积在冷底板(4.2—20K)上时,超导转变温度T_c有明显增加。相对于大块晶状超导体,有的提高达3—5倍。经电子显微镜及电子衍射确定,这些冷凝薄膜由小颗粒组成,在某些情况下它们成为非晶态。经过了近卅年的研究,颗粒超导体T_c变化的机制仍是一个未解决的问题。目前有最坚实的实验和理论基础,仍属电-声子相互作用机制。颗粒超导体研究中,人们非常关心的问题是:哪类超导体制成颗粒材料后,T_c能够提高?     

超导电性

导言一、金屬与合金的导电性金属导体的电阻率随溫度而变,温度上升,其值漸增,这是众所周知的事实。在寻常溫度变化范围內,纯金属的电阻率可用下式所示絕对温度的函数表之:ρ=ρ_0 αT βT~2 …,式中ρ_0、α、β等常数之能随各种不同金属而异;所取項数之多寡全视溫度变化范围及所需准确度而定。图1中所示即为数种純金属的电阻率和絕对温度间的关系。上述电阻率式中ρ_0之值常是非常之小,但并不等于零。然而,对合金而言,电阻率和溫度间的关系却并非如此。由图2可知,有些合金的电阻率在很大的溫度     

三重态双极化子系统的超导与铁磁共存

采用对称破缺的Hartree平均场近似,讨论了三重态双极化子系统的超导和铁磁共存问题。我们发现,系统的基态是铁磁超导混合态,这与BCS超导的情形不同。在双极化子的低密度区域,只有从正常态到混合态的转变;而在高密度区域,随着温度的降低,系统可能将首先转变到铁磁态,然后转变到铁磁超导混合态。当系统已经具有超导电性时,不可能发生到铁磁态的相变。 关键词：     

对角无序对三重态双极化子系统的超导电性的影响

本文在平均场近似的框架下,对于两δ函数无规分布讨论了对角无序对三重态双极化子系统的影响。得到无序对双极化子密度为半填充附近的影响较显著,超导较变温度严重降低;而当密度较小时,一般的无规能量并不能完全阻碍超导电性的发生,这是由双极化子的隧道运动所导致。因此可以期望在一些无序半导体中可以发现这种类型的超导体。 关键词：     

超导电性发现的历史回顾

回顾了超导电性发现的科学技术条件、过程,以及这一过程中的科学思想方法和经验,说明了超导电性的发现并非是偶然的,通过对超导电性发现的历史回顾,希望能对掌握科学发展的基本规律有所裨益。     

Cu1-xZnxIr2S4系统的超导电性

具有常式尖晶石结构的CuIr2S4在约为230K时经历金属-绝缘体一级相变.研究发现,用Zn替代Cu时,系统的基态由绝缘体转变为超导体.本文概述了Cu1-xZnxIr2S4系统的超导参量以及压力效应的实验研究,结果表明该超导体系符合基于电-声作用的BCS超导理论.压力导致的超导体-半导体转变显示出超导Cooper对与小双极化子的竞争,暗示系统具有较强的电-声耦合.     

Kondo晶格中的超导理论

为解释重费密子超导现象,本文在Kondo晶格中建立了S波和P波超导理论,并在推广的Nambu空间中对f电子和传导电子的杂化作用进行了自洽处理,计算了有关物理量。理论证明:如果认为f电子参与超导,对S波,所得到的超导转变温度与Tachiki等人的结果一致,但比热跃交与他们的不同,本文的结果更合理些;对P波,由Kondo晶格模型描述的重费密子超导系统等效于修正的局域的费密超流体。此外,本文还研究了杂质散射对超导态的影响,并对各种不同的超导态分别得到了出现无能隙超导的条件。 关键词：     

稀土元素Ce/Eu共掺杂对Bi-2201相微结构和超导电性的影响

我们采用传统固相反应法成功制备了系列多晶样品Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_(2-x)(Ce_(1-y)Eu_y)_xCuO_z(x=0.1,0.2;0≤y≤1),并且用XRD和电阻率分别对其晶体结构和输运性质进行了研究.XRD结果表明,当Ce/Eu共掺杂量x=0.1时,样品成单相,当x=0.2时,会有杂相出现;随着Eu掺杂量的增加及相应Ce掺杂量的减少,样品的晶胞参数a,b稍有增大,晶胞参数c则显著增大;电阻率测量表明,随着Eu掺杂量的增加,样品的超导转变温度Tocnset可以提高到21K,Ce掺杂对超导电性有一定的抑制作用,而Eu掺杂却能够改善超导电性,其中Tconset随Ce/Eu掺杂量的变化可以用电荷转移模型进行合理解释.     

超导电理论中的Гинзбург-Ландау方程的非局域推广

本文对Гинзбург-Ландау(ГЛ)方程的微观推导所需要的条件进行了分析。分析结果表明,对于Pippard型甚至是中间型超导体,ГЛ方程有效的温度范围都是相当狭窄的。为便于研究临界温度T_c附近比较宽的范围内,强磁场中各类超导体的性质,我们从Горьков的超导普遍方程出发,利用磁场存在时“正常金属格临函数”的非局域展式,导出了一个包含能隙函数和矢势的积分微分方程组。所得的方程对London型、中间型和Pippard型超导体在△t=(T_c-T)/T_c《1的温度区域中都同样适用。利用这个方程组,我们讨论了恒定外磁场中的半无限大超导体,给出了能隙函数和穿透深度的积分表达式。在London和Pippard两个极限下,积分被解析地作出了。对于Pippard型超导体,我们在T_c附近整个温度区域计算了能隙函数和穿透深度随磁场的变化。所得的结果表明,Pippard型超导体在磁场中的行为与ГЛ理论的预言有显著的不同。     

Gd掺杂ErNi2B2C体系的超导和磁特性研究

本文研究了Gd掺杂对Er1-xGdxNi2B2C体系超导和磁转变行为的影响.随着稀土元素Gd逐步替代Er,体系的超导电性被强烈抑制,反铁磁转变温度逐渐升高.本文就Gd掺杂对体系超导和磁性的影响机制进行了讨论,并基于DG因子模型,对实验结果进行了分析.     

地铁通风排烟系统评价指标的实验研究

由于地铁大多处于地下封闭空间内,通风排烟系统的好坏越来越受到人们的关注,它不仅可以改善地铁空间的空气质量,还可以在发生火灾时,控制烟气的流动.因此本文整理出一套通风排烟系统的评价指标,并在缩小尺寸模型内运用有效的测量方法进行风速、温度等参数的实验测定.经过分析,整理出的评价指标可以对地铁环境的实际测量工作起到一定的建议与指导作用.     

用于激光打靶装置中的新型同步系统的研究

一种用于多路激光打靶装置中的新型智能化数字同步机已经研制成功,它将模拟延时电路和数字延时电路巧妙结合在一起,使得最大延时范围达到1s,触发晃动小于1ns,步进精度5ps.