大口径快速生长KDP晶体三倍频性能研究

主要研究大口径KDP晶体的高强度三倍频性能。采用正交偏振干涉法测量了晶体的光轴均匀性分布,并在神光III原型装置上利用快速生长二倍频晶体开展了高强度三倍频实验,验证了折射率均匀性分布对三倍频效率和近场的影响。实验结果表明,大口径快速生长KDP晶体的三倍频性能基本上满足神光III装置的要求,但快速生长晶体的受激拉曼散射增益系数和激光损伤阈值等性能仍有待进一步考核。     

GdCOB晶体的生长及二倍频性质

采用提拉法生长了高光学质量的 Gd Ca4 O(BO3) 3(Gd COB)晶体 ;测量了 Gd COB晶体不同相位匹配方向上的腔内及腔外二倍频转换效率。在 Gd COB晶体的腔内倍频实验中 ,当输入功率为 10 W时 ,空间方向为 (113.2°,4 7.4°)的样品可产生 1.2 2 W波长为 5 32 nm的绿光输出     

红外非线性晶体GaSe的合成、生长与性能

针对高品质红外非线性晶体GaSe难以生长、加工的问题,研究了垂直布里奇曼法籽晶定向生长技术。制备出20 mm×50 mm完整单晶,探索了加工工艺,对样品进行了粉末衍射,能谱等测试,晶体在1.06~15μm波段吸收系数约为0.05~0.16 cm-1,完整性、光学质量均较好。演示了9.3~10.6μm波段的CO2激光倍频实验,输出4.65~5.3μm对应倍频光。     

大块光学晶体的生长技术

大块光学晶体已经生长成功,它们分别用作窗或滤光器等无源元件,以及用于激光、闪烁器或二次谐波发生器等有源元件的材料。光学晶体的生长方法主要有三种:布里支曼法、提拉法和溶液生长法。     

In—BiCaVIG晶体的助熔剂生长与性能研究

本文报道了用助熔剂成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的方法以及实验结果，介绍了该单晶在远红外区的磁光器件中的重要应用。     

Gd：PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究

在ＰｂＷＯ４晶体中掺进Ｇｄ２Ｏ３,采用Ｃｚｏｃｈｒｏｌｓｋｉ法生长Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体,测试晶体的透射光谱,激发发射光谱,抗辐照损伤能力和发光效率,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体透过率,抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯ＰｂＷＯ４晶体,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体的吸收过紫移,提高了透过率,从而提高了发光效率,Ｇｄ＾３＋掺入ＰｂＷＯ４晶体中,抑制了Ｐｂ＾３＋的存在,提高了晶体抗辐照损伤能力,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体是比Ｐ     

高效率激光晶体倍频中晶体谐振腔参数的研究

本文研究了晶体谐振腔的参数如晶体吸收,晶体长度,两端反射率,端面曲率半径,以及激光束半径等对倍频效率的影响,在理论上给出获得高效率倍频输出的途径。     

高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0.9Zn0.1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0.9Zn0.1Te的值.并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度,分析了生长高性能晶体的条件,研究了生长Cd1-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系.     

高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施，采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0．1Te晶锭．测试结果表明：该晶锭结晶质量良好，位错密度低，成分均匀，杂质含量低，红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd.9Zn0．1Te的值．并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度，分析了生长高性能晶体的条件，研究了生长Cdl-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系．     

高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值.并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度,分析了生长高性能晶体的条件,研究了生长Cd1-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系     

HgCdTe材料及其晶体生长

HgCdTe是一种有广泛应用前景的半导体光电材料。从投资上看,它已成为仅次于Si和GaAs的第三种最重要的半导体。本文系统地介绍了HgCdTe材料的基本性质及HgCdTe的晶体生长,对液相外延生长HgCdTe晶体的理论和工艺问题作了较详细的论述。     

掺杂PbTe晶体的热电性质研究

介绍了利用区熔法生长掺杂热电变换材料ＰｂＴｅ晶体,并对生长样品的杂质分布、热电特性进行了测量和分析。     

SiGe合金单晶生长研究

通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度.采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、φ为50～60mm的SiGe单晶.可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底.     

TGG晶体偏心生长研究

目前高功率全固态激光器急需使用大尺寸、高质量的铽镓石榴石晶体(Tb3Ga5O12,TGG)。采用提拉法生长(111)方向TGG晶体时,极易发生偏心生长,影响晶体质量与使用效率。针对偏心生长,通过分析TGG晶体组分挥发和熔体特性,解释了其形成机理,并提出了相应的解决方法,最后成功生长出外观完整(44 mm×70mm)的TGG晶体。通过对比圆柱状和螺旋状晶体透过率的不同,进一步解释了偏心生长的原因。     

光子晶体及其应用研究

光子晶体的概念于1987年提出，1991年世界上研制出第一块光子晶体。本文概述了光子晶体的性质，阐述了其特有性质所带来的应用和制作光子晶体的主要方法，并对光子晶体的发展作了展望。     

铽镓石榴石晶体多晶合成与单晶生长研究

以(99.99%)Ga2O3和Tb4O7为原料,按照化学计量比并适当富镓配料,采用固相反应法(分段升温工艺)合成高纯、单相的铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,简称TGG)多晶料。使用提拉法(CZ)成功生长出44mm×70mm,外观完整无开裂、无螺旋的TGG晶体。经X线衍射分析、密度测试、晶体成分测试表明,生长的晶体结构完整,结晶性好;晶体的密度为7.14g/cm3,与理论值接近;晶体中Tb与Ga摩尔比为66%,可能存在少量Ga空位。