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SiC单晶生长热力学和动力学的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
升华法生长大直径碳化硅(SiC)单晶一直是近年来国内外研究的重点,本文对Si-C系中的Si,Si2,Si3,C,C2,C3,C4,C5,SiC,Si2C,SiC2等气相物种的热力学平衡过程进行了研究,发现SiC生长体系中的主要物种为Si,Si2C,SiC2.生长初期Si的分压较高,从而SiC生长为富硅生长模式.对外加气体进行研究发现,氩气为最好的外加气体,它既可以有效地抑制Si物质流传输,又可以减缓扩散系数随温度升高而递减的趋势.建立了简单一维传输模型,对三个主要物种的动力学输运过程进行了研究,计算得到了两个温度梯度下的主要物种的物质流密度. 相似文献
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碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提。受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长(high temperature solution growth, HTSG)法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势,有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一,目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长(top seeded solution growth, TSSG)法。本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程,接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程,然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展,并归纳了该方法的优势,最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向。 相似文献
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采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为?15 mm ×35 mm的完整CdSe单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,CdSe单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5~20.0μm红外波段范围内的透过率T >65;,吸收系数α<0.1 cm-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的III-V、II-VI族晶体,会有所帮助。 相似文献
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坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷 总被引:1,自引:0,他引:1
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化.结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象. 相似文献
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Steady-state simulations of fluid flow and temperature field are presented for an equipment that is used to grow Zinc Selenide single crystals from the gaseous phases via physical (PVT) or chemical vapour transport (CVT). Due to the horizontal arrangement of the air-filled furnace pipe calculating the natural convection in the air requires a 3D (three-dimensional) treatment of the problem. The simulations have been done by applying the commercial finite-element package FIDAP. The Navier-Stokes equation is solved with the Boussinesq approximation. The heat transfer analysis comprises also internal radiation wall-to-wall exchange. Due to the presence of the ampoule in the pipe, the development of vortices with higher velocities is restrained, so that the maximum velocity is roughly 1/4 of that in the case without an ampoule. 相似文献
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E. Tymicki K. Grasza R. Diduszko R. Boek M. Gaa 《Crystal Research and Technology》2007,42(12):1232-1236
Initial stages of SiC crystal growth by Physical Vapor Transport method were investigated. The following features were observed: (a) many nucleation crystallization centres appeared on the seed surface during the initial stage of the growth, (b) at the same places many separate flat faces generated on the crystallization front, (c) the number of facets was dependent on the shape of the crystallization front and decreased during growth, (d) appearance of many facets lead to decrease of structural quality of crystals due to degradation of regions where crystallization steps from independent centres met. The results revealed that the optimal crystallization front should be slightly convex, which permits the growth of crystals with single nucleation centre and evolution of single facet on the crystallization front. The subjects of study were the shape and the morphology of growth interface. Defects in the crystallization fronts and wafers cut from the crystals were studied by optical microscopy, atomic force microscopy (AFM) combined with KOH etching and X‐ray diffraction. (© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
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SiC单晶化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,广泛用于大功率器件产业.但由于其材料的硬度很大,加工非常困难.脆性材料塑性域加工为提高该类材料的表面质量,降低加工时间和成本提供了有效的途径.本文采用不同刀具角度和刀尖圆弧半径的单点金刚石刀具对4H-SiC单晶进行刻划实验,利用声发射、摩擦力传感器来监测刻划过程中声发射信号强度以及摩擦力的变化,并通过Leica DCM3D以及SEM观察划痕沟槽表面形貌、切屑状态,综合分析以获得4H-SiC单晶在不同角度、刀尖圆弧半径下塑脆转变的临界切削深度.结果表明,增大刀具角度有利于塑性域加工;在相同条件下,刀尖圆弧半径越大,临界切削深度越大. 相似文献
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在氮气环境下用PVT方法生长氮化铝过程中,氮面和铝面由于表面化学性质不同,生长的主要化学反应速度存在差异。原子在生长表面的迁移能力不同造成单晶表面生长方式差异较大。在基本相同条件下(生长温度、生长温差、生长气压、类似的籽晶、同一台生长设备)进行了铝、氮面氮化铝单晶晶体生长。为了更明显地表现铝氮面的差异,将同一片籽晶分为两半,翻转其中一半让铝氮面同时生长。铝面生长较好的区域形成了明显的晶畴,而氮面生长时生长较好的部分出现了明显的生长台阶,并出现了晶畴边界被生长台阶湮灭的生长现象,进一步通过AFM观测到铝面生长台阶平整但被缺陷所阻隔,晶畴发育明显为各晶畴独立生长。氮面生长台阶没有铝面规则但连续性较强,在原来晶畴边界位置也出现了连续的生长台阶(或台阶簇)。所以籽晶质量不高时氮面生长更容易提高晶体质量,后续的XRD测量结果也证明了氮面生长后的晶体质量明显高于铝面生长的晶体质量。 相似文献
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K. Bttcher 《Crystal Research and Technology》2001,36(7):719-728
Steady‐state heat and mass transport at the SiC growth process are computed by the general‐purpose finite‐element package FIDAPTM. Specific features are the radiation exchange in several cavities at temperatures up to 2700 K and concentration dependent Stefan velocities resulting from sublimation/condensation at the vapour‐solid interfaces. The article describes the computational procedure in order to achieve convergence of the temperature and velocity field. The transport rate of the SiC building species meets the range of experimental results. 相似文献