Au纳米粒子自组装体系的数值模拟

本文对形成室温单电子现象的典型隧道结结构模型利用 WKB方法求解薛定谔方程计算其隧穿电流与偏压的关系。本文利用该方法对 Au纳米粒子组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,发现结果与实验符合得很好。该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义。     

CdS纳米粒子自组装体系室温单电子现象的计算机模拟

对形成室温单电子现象的典型串联双隧道结结构模型利用温克布 (WKB)三氏法求解薛定谔方程 ,计算了其隧穿电流与偏压的关系。利用该方法对 Cd S纳米粒子自组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,发现结果与实验符合得很好。该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义。     

自组装金纳米粒子薄膜AFM研究

以化学还原法制备了金胶体,采用静电吸附自纽装法在单晶硅片表面制备了金纳米粒子薄膜,采用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌与结构。     

复合氧化物纳米粒子三维自组装的HREM研究

纳米晶以其不同于原子和大块材料的物理、化学性质而受到广泛关注,相关研究极其活跃。颗粒均匀、粒径小于10nm的纳米粒子被称为量子点(QDs)。高极化激发态在光电子领域具有潜在的应用价值。如果将纳米晶组装成具有规则外形和有序排列的中孔材料[1],则可能对微电子、光电子和催化技术等产生深远的影响。因此,纳米晶的制备和组装具有重要的物理意义和广泛的应用前景。目前,已将TiO2、Fe2O3、CdSe、CdS、Ag2S、Au、Ag、Pt等纳米晶进行了组装,但对纳米晶的粒径和分布有严格的限制,即尺度小于10nm,粒径平均偏差小于5%。比较有代表性的纳米…     

单根氧化锌纳米带/Au电极体系I-V特性的测量

利用电子束刻蚀和真空蒸镀法，在单要氧化锌纳米带和SiO2/Si片上，制备了金纳米电极，采用四端法对氧化锌带的电流-电压（I-V）特性进行测量。实验发展氧化锌纳米带/金电极组成的体系存在三种完全不同的I-V特性曲线，分别为对应于较淖电阻的非对称阀值型曲线以及电阻较大的整流型和线性对称曲线，我们认为这主要是由于氧化锌纳米带和电极的接触情况不同所造成的。测量表明器件在不同环境下（空气和真空）具有不同的I-V特性，表面在当测量环境由空气变为真空时，前一类的I-V特性变化不大，而后一类由整流型变为线性对称型。     

金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性

在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22~26mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si(100)基底上进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性,得到了非欧姆特性,这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的。     

Au纳米粒子二维周期阵列的LSPR消光特性分析

采用离散偶极子近似(DDA)方法,对不同间距的Au纳米粒子阵列在不同介质情况下的消光特性进行仿真分析。分析结果表明,消光峰值波长和强度随纳米粒子间距的减小而增大,但在间距较大的情况下折射率灵敏度基本不变。实验测量结果也表明,不同的密度分布的Au纳米球阵列对应了基本相同的折射率灵敏度。因此,在纳米粒子间距较大时,纳米粒子阵列局部分布的不均匀不会改变整体的折射率灵敏度,相同的消光峰值波长红移量对应相同的介质折射率变化量。     

不同粒径的SiO_2纳米粒子与PVK分子复合体系的发光性质研究

通过溶胶-凝胶的方法,在乙醇溶液中合成了40nm和60nm两种不同粒径的SiO2纳米粒子,并将其分别与聚乙烯咔唑(PVK)混和,得到了不同粒径、不同质量分数配比的PVK/SiO2纳米粒子复合体系;利用光致发光光谱、吸收光谱和喇曼光谱,深入研究了PVK分子在不同状态条件下的发光特性和PVK/SiO2纳米粒子复合体系的光学性质;在复合体系中,观察到PVK与SiO2纳米粒子之间的界面能量转移过程,且不同粒径的SiO2纳米粒子对PVK分子的发光性质影响也不同。通过喇曼光谱的进一步研究表明,SiO2纳米粒子的存在,使PVK分子的振动能量明显减小,表明PVK分子与SiO2纳米粒子表面存在较强的相互作用。     

纳米级自开关二极管的电学特性研究

纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管.首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As纳米级自开关二极管的二维器件模型,采用蒙特卡罗方法,模拟了自开关器件的电子输运特性,根据该器件模型研究了在不同几何结构参数条件下的自开关器件的电学特性,并对影响器件电学特性的结构参数进行了仿真分析.结果表明,器件的Ⅰ-Ⅴ特性强烈地受到导电沟道宽度、沟槽宽度、沟道长度和表面态密度的影响,通过优化器件的结构参数可使器件获得更优越的整流特性.     

半导体纳米粒子Bi2S3和NiS的光限幅特性研究

研究了Bi2S2和NiS半导体纳米粒子的光限幅特性,测得了Bi2S3非线性阈值为0.11 J/cm2,NiS的非线性阈值为0.21 J/cm2.对两种样品进行了开孔Z-scan的实验,计算可知Bi2S3非线性吸收系数β≈9 cm/GW,NiS的非线性吸收系数β≈8 cm/GW.在NiS半导体纳米粒子的乙醇溶液进行闭孔Z-scan时,发现样品有自聚焦的特性,也就是说样品的非线性折射率系数n2＞O,计算得y≈2.66×104 cm2/GW.     

遗传算法在单电子器件I-V特性的半经典拟合中的应用

本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合。我们发现该算法的拟合结果效果很好。     

含PbS量子点串联双隧道结I—V特性仿真

对形成单电子器件的典型串联双隧道结结构模型,通过求解含时薛定谔方程,计算了PbS量子点自组装体系的隧穿电流与偏压的关系。给出了含PbS量子点串联双隧道结在室温下的I-V特性仿真数据,结果与实验符合得较好。     

MFSK/FFH系统多用户能力分析与仿真

MFSK/FFH系统特指采用快速跳频（FFH）技术和多进制频移键控（MFSK）非相干解调技术的系统,主要研究MFSK/FFH通信系统的多用户能力,并把它与差分跳频技术DFH的组网能力进行对比分析。通过分析MFSK/FFH通信系统的性能,给出了MFSK/FFH通信系统和差分跳频系统的比特差错率公式,为了公平对比MFSK/FFH网络和差分跳频网的组网能力,采用多用户频带利用率这个参数,理论和仿真表明,采用特定的检测方法,MFSK/FFH系统的多用户能力比差分跳频系统的好。     

非线性抛物线势与量子阱双稳态系统的稳定性

基于超晶格量子阱的双稳态效应,在经典力学框架内,把粒子的运动方程化为了具有阻尼项和受迫项的经典Duffing方程.利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉与Smale马蹄变换意义上的混沌行为,给出了系统进入混沌的临界条件值.结果表明,只要参数满足临界务件,系统就是"数学"稳定的.考虑到系统进入混沌的临界条件与它的参数有关,只需适当调节这些参数,混沌就可以得以避免或控制,这为光学双稳态器件的制备和稳定工作提供理论依据.

Abstract：

Based on the bistable effect of the superlattice quantum well, the particle motion equation is reduced to the classical Dulling equation in the classical mechanics frame. The chaotic behaviors with the Smale horseshoe are analyzed by Melnikov method. The critical condition approaching to chaos is found. It is shown that the system is stable if the critical condition is satisfied, because the critical condition entered in a chaos is related to the parameters of the system, provided regulating a parameters of the system, the chaos can be avoided or controlled. The theoretical analysis is provided to the design of optical bistable stable cells.     

SIMULINK软件在白适应跳频通信仿真中的应用

为了提高通信的可靠性和抗干扰能力,提出了自适应跳频,自适应跳频通信根据频点传输信息的质量,识别出被干扰的频率点。然后用未被干扰的频点替代被干扰的频点,从而达到躲避干扰的目的。利用SIMULINK软件,对自适应跳频通信系统进行仿真。结果表明,自适应跳频系统的抗干扰能力优于传统的定频和跳频通信,在战术通信中有更高的可靠性。     

单量子阱激光器小信号频响特性模拟分析

量子阱激光器具有优良的性能 ,是宽带通信的重要光源。基于三层速率方程的量子阱激光器模型在明确引入了过渡态的概念后 ,对于量子阱中载流子的传输过程就有了更完整的描述。文中运用三层速率模型 ,对小信号调制下单量子阱激光器的频率响应进行模拟分析。与公开发表的文献资料比较 ,所设计的模型精度高 ,易于分析 ,有实用意义。     

适用于教学的跳频通信系统仿真设计

跳频通信因其具有码分多址、抗定额干扰、抗截获和频谱资源共享等优点而应用广泛。根据跳频通信系统的基本工作原理,使用Simulink设计和实现了适用于教学的跳频系统仿真模型,利用该仿真模型对跳频信号进行了仿真和分析,并在此基础上构建了跳频技术在蓝牙通信中的应用仿真模型。该仿真模型使学生对抽象的跳频概念和原理理解起来具体化、形象化和可视化,并对跳频无线通信系统及其在蓝牙中的应用有一个完整的认识。     

AWGN信道下TH-PPM UWB通信系统性能分析与仿真

首先介绍了TH—PPM UWB信号,然后从理论上对加性高斯白噪声（AWGN）信道下系统的性能进行了分析,包括误码率分析和系统容量分析,最后对系统的误码率和接入用户数进行了仿真比较。结果表明,重复码长度、脉冲重复时间和用户数目的选取对系统的误码率都有较大的影响,同时,系统容量与输出信噪比和数据传输速率有关并趋于定值。     

单电子晶体管的数值模拟及特性分析

在正统单电子理论的基础上,使用主方程方法,对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中,电子能否隧穿通过势垒,主要是由电子隧穿引起的系统自由能的变化而决定的。文中从自由能量出发对器件特性进行分析,从而得到电容、电阻以及电压等参数对库仑台阶及电导振荡的影响。当两个结电阻不同时,能够看到明显的库仑台阶现象。具有较大结电阻的隧穿结,电容也较大时可以完善库仑台阶,优化单电子晶体管的曲线。