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公共建筑、行政机关以及其他许多建筑物的最先进的照明方式之一是利用发光的天棚作为照明光源,这种发光天棚在大多数情况下是采用萤光灯再复盖上一层散光材料实现的。 探讨一下利用场致发光屏作为发光天棚的可能性是很有趣的。 场致发光屏是一种平面光源,它的平面形式对于用镶嵌一块块屏的办法制作发光天 相似文献
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一、场致发光屏的制作 粉末场致发光应用的器件形式,就是做成各种不同类型的发光屏。这种屏的结构类似于一个平板电容器,所以有时候遇到场致发光电容器的称呼。它是由透明导电膜、发光粉和粘结剂、金属电极等主要部分组成的。目前已经实用的有两种,一种是以有机介质作粘结剂、导电玻璃作衬底的玻璃屏,一种是以无机介质作粘结剂、钢板作衬底的搪瓷屏。本文只就有机介质的玻璃屏作一初步介绍。 1.常用制屏工艺。在实验室和工厂中比较常用的制屏方法是刮印法和喷刷法。所谓刮印法,就是把发光粉和粘结剂(如发光 相似文献
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近来有人研制适用于大型更新式点阵显示的低占空系数电压脉冲驱动的直流场致发光屏[1]。这种屏用掺Cu,Mn的ZnS发射的5400A-6300A的黄光,在0.5%的占空系数下平均亮度为30~100呎朗伯,寿命性能良好(图1)。在本文中我们报道一种已研制成功的36个字符的更新式DCEL字符显示器,并进而探讨能显示1000个以上符号的大型更新式DCEL显示器的可能性。 36字符屏为层迭式结构,把一层40μm厚的ZnS磷光体涂在一排1 m m宽的SnO2平行电极上。SnO2的薄膜电阻为2Ω/每方,用光刻技术刻划成电极。在ZnS层上再蒸上一层铝膜,然后对这两层膜进行刻划,形成1 m m宽的Al-ZnS阵列,以实现显示器的X-Y寻址。最后将屏密封起来,以防止大气污染,用常规的形成工序使在ZnS-SnO2界面上产生光辐射势垒。 相似文献
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中国科学院吉林物理研究所搪瓷场致发光屏研制小组 《物理》1977,(2)
遵照伟大领袖毛主席“备战、备荒、为人民”的伟大教导,根据国防建设和国民经济建设,尤其是近战、夜战的迫切需要,我们乘文化大革命的东风,于1967年开始研制搪瓷场致发光屏(图1).在长春搪瓷厂、天津搪瓷厂和上海搪瓷七厂工人师傅的大力支援下,较短时间内就使搪瓷场致发光屏达到了国际先进水平,填补了国家空白,并已应用干国防和国民经济建设的某些部门. 一、搪瓷屏的结构、特点及其应用1.结构 搪瓷屏有钢板和铝板两种,这里重点介绍钢板热搪瓷屏(图2).钢板搪瓷屏由国产“08F”低碳钢板作基板(第一电极,见图2中⑥),透明氧化锡作第二电极③,中… 相似文献
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《发光学报》1972,(6)
期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 … 相似文献
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为了寻求提高场致发光屏发光亮度的方法,不仅可以沿着改进合成场致发光体途径的方向来进行,而且也可以采用发光体镀层的新方法来实现。电泳法是具有前途的镀层制备法之一。其优点在于:在衬底上形成的镀层具有很高的颗粒密度和颗粒的均匀分布。这就使得场致发光屏的亮度有所提高。目前用喷雾法制备的场致发光屏,密度低,厚度分散性很大(10—15%),因而发光亮度也不均匀。 许多工作表明,应用电泳法制作场致发光屏原则上的可能性。但是,具体尚未推广到工业上去广泛采用。 本工作讨论从悬浮液中电泳沉积场致发光体过程的研究结果,及其在电场中的行为,籍以研究形成场致发光屏的基本规律性。作为研究的对象,我们曾选用ЭЛ—515、ЭЛ—510M、ЭЛ—580M、ЭЛ—650、ЭЛ—455标号的场致发光体。 相似文献
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《发光学报》1974,(5)
一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。… 相似文献
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粉末DCEL屏(夹心式)的发光区是在紧靠阳极的一个很薄(大约1μm)的区域内,这是至今所有研究者一致的结论。本文作者在实验中证实,粉末DCEL屏的发光区位置具有随机性,通常它可出现在任何难以预料的位置上,比如在靠近阴极或者在发光粉层中间以及靠近阳极,甚至同时在所有上述位置上出现,也有时发光区占据整个的发光粉层。实验还证实,发光区的位置与形成方式,电极材料,电压极性,发光材料和屏的结构等因素有关,发光区出现在紧靠阳极的区域只是一种特定条件下的结果。文章讨论了发光区形成的原因及其规律性,认为发光区的位置取决于发光粉层内电位分布不均匀性的具体情况。 相似文献
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《发光学报》1974,(6)
一发光的一般问题无机发光材料的制备· 西德专利1592571碱卤化合物的本征发光 日本物理学会志1974,29 (6)发光 固体物理3(4)11一W一V:族化合物半导体 固体物理6(6)11一W族化合物的能带结构 固体物理8(5)二场致发光硫化锌磷光体的gud碑en一pohl效应和 表面态 J。Lumineseenee 1973。8 (2)164经由EL存贮屏进行扫描变换 美国专利3680087EL光源—在发光材料上触接镀碳灯 妊, 美国专利3772556用升华法制备的磷光体的场致发光 Nekot Aktual VoP. Sovrem。Estest,ozn。 1971。59场致发光层的电泳沉积 CBeToTexH从Ka 1974,5 (11)ZnS粉末… 相似文献
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《发光学报》1975,(6)
一发光的一般问题:ZnS荧光粉的表面吸附和光化学过程的研究关于磷光体效率的讨论会(动态)稀土发光的一些特性稀土磷光体中辐射及无辐射过程的估算(会议文摘)在磷光体生产中要注意的几点(会议文摘)美.日荧光粉工业的现状与发展趋势一九七五年国际发光会议文摘选辑 14 662 1 213专辑2 3 3 5 5 56 二场致发光:化合物半导体的场致发光扮末,薄膜材抖和器件:4 9 n 41 68 73 2 2 31 58 62 34 36 51 56561上1一JI J.︷,上唯1 2 2 2 2 21公5 5 55 场致发光留象板(动态) 用场致发光屏的电视显象系统(会议文摘) 稳定的高亮度薄膜场致发光屏(会议文摘)… 相似文献
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不论是薄膜还是粉末直流场致发光屏,它们的工作电压都可能比交流场致发光屏低。最近,我们能够制出工作电压低至20伏并有适当的亮度,尤其是具有很好的老化特性的薄膜发光屏。另一方面,我们在粉末直流场致发光屏方面的工作由于它的急剧老化而遇到困难。因此,很有必要更好地了解这些屏。为此,本文的目的在于研究ZnS粉末屏的形成过程,局部辐射,老化和场致发光机构。 相似文献