Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究

采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光(PL)谱作为一种无损检测方法,可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富Te条件下生长的未掺杂ZnTe和CdTe晶体在8.6 K下的PL谱可以发现,电阻率较低的p型ZnTe晶体,其PL谱中,电子到中性受主复合发光峰(e, A0)强度高于施主-受主对复合发光峰(DAP),而高电阻率阻n型CdTe晶体则刚好相反,这可能是由于生长速率及降温过程的热经历不同导致占主导的本征点缺陷类型不同造成的。按化学计量比生长的未掺杂CdZnTe晶体,其PL谱中自由激子发光峰(D0, X)占主导,而(e, A0)峰强度高于DAP峰,变温PL谱测试表明当温度高于15 K时,(e, A0)峰与DAP峰逐渐叠加在一起。In掺杂导致在富Te条件下生长的CdZnTe晶体的PL谱中产生明显的A中心复合发光峰,与导带的能量差约为0.15 eV,主要与In补偿Cd空位形成的复合体[In+_CdV2-_Cd]-有关,且其强度与In掺杂元素的含量成正比。     

Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究（英文）

采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光(PL)谱作为一种无损检测方法,可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富Te条件下生长的未掺杂ZnTe和CdTe晶体在8.6 K下的PL谱可以发现,电阻率较低的p型ZnTe晶体,其PL谱中,电子到中性受主复合发光峰(e,A~0)强度高于施主-受主对复合发光峰(DAP),而高电阻率阻n型CdTe晶体则刚好相反,这可能是由于生长速率及降温过程的热经历不同导致占主导的本征点缺陷类型不同造成的。按化学计量比生长的未掺杂CdZnTe晶体,其PL谱中自由激子发光峰(D~0,X)占主导,而(e,A~0)峰强度高于DAP峰,变温PL谱测试表明当温度高于15 K时,(e,A~0)峰与DAP峰逐渐叠加在一起。In掺杂导致在富Te条件下生长的CdZnTe晶体的PL谱中产生明显的A中心复合发光峰,与导带的能量差约为0.15 eV,主要与In补偿Cd空位形成的复合体[In_(Cd)~+V_(Cd)~(2-)]~-有关,且其强度与In掺杂元素的含量成正比。     

易解石族矿物的Raman光谱和光致发光谱研究

测定并讨论了中国白云鄂博矿区变生及退火晶态易解石族矿物Ｒａｍａｎ光谱和光致发光谱,与退火晶质矿物相比,变生态易解石的Ｒａｍａｎ光谱和光致发光谱的强度降低,谱线宽化弥散,说明在变生过程中,矿物的结构发生畸变,元素分布趋于无序。分析表明,易解石族矿物在５１４．５ｎｍ激光激发下的所有光致发光谱峰均出自Ｎｄ＾３＋的辐射跃迁。     

InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究北大核心CSCD

制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K^35K时峰位红移;在35K^55K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加,峰位再次发生红移.分析认为这种S型峰位的变化可能是由于不同温度下载流子的不同复合机制所引起的.     

有序GaxIn1—xP（x=0.52）光致发光谱研究

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究。在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰发生热猝灭，并在８５Ｋ完全消失。     

Ⅱ-Ⅵ族半导体研究概观

回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究;（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触;（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益;（４）量子线、量子点及稀磁半导体。     

2015年第17届国际近红外光谱大会（英文）SCIEI北大核心CSCD

We are pleased to invite you to attend the 17th International Conference on Near Infrared Spectroscopy,NIR 2015,the most important international event in this area.NIR 2015 is organized under the auspicious of the International Council for Near Infrared Spectroscopy(ICNIRS),and will be held in the Mabu Resort Hotel,Foz do Iguassu,Brazil,from 18th to 23rd October,2015.http://nir2015.com.br/     

2015年第17届国际近红外光谱大会（英文）SCIEI北大核心CSCD

We are pleased to invite you to attend the 17th International Conference on Near Infrared Spectroscopy,NIR 2015,the most important international event in this area.NIR 2015is organized under the auspicious of the International Council for Near Infrared Spectroscopy(ICNIRS),and will be held in the Mabu Resort Hotel,Foz do Iguassu,Brazil,from 18th to 23rd October,2015.     

基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍. 关键词： 干涉仪 非线性光学 Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料     

纳米级的一维Ⅱ-Ⅵ族化合物的合成及其电子结构研究

Various single crystalline IIB-VIA one-dimensional nanostructures have been fabricated using thermal evaporation. Although these nanostructures possess large amount of unpassivated surface, it does not lead to dissociation of excitons, which fact indicates the high purity and high quality of the electronic structure of these nanostructures.……     

基于Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.     

环状碲团簇Te_n(n=3-12)拉曼光谱的密度泛函理论研究北大核心CSCD

采用密度泛函理论研究了气相环状碲团簇Ten(n=3-12)的拉曼光谱.使用B3LYP方法,四种Dunning相关一致性基组(包括三ζ函数cc-p VTZ-PP,aug-cc-p VTZ-PP,sdb-cc-p VTZ以及sdbaug-cc-p VTZ基组)进行了计算.以Te12为例,基组是否包含弥散函数(aug)所造成的最大拉曼活性值差异仅为5.57和5.844/amu,相应的振动波数差异仅为0.34和0.27 cm-1,因此弥散函数对环状碲团簇的拉曼计算是无关紧要的.以采取aug-cc-p VTZ-PP基组计算Te7为例,振动波数与文献已有值之差最小仅为0.16 cm-1,计算结果与文献已有值符合得很好.各团簇的拉曼光谱图表现出不同的谱线轮廓,可以作为环状碲团簇相互间区分鉴别的有力依据.     

环状碲团簇Ten（n=3-12）拉曼光谱的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论研究了气相环状碲团簇Ten（n=3-12）的拉曼光谱． 使用B3LYP方法, 四种Dunning相关一致性基组（包括三ζ函数cc-pVTZ-PP, aug-cc-pVTZ-PP, sdb-cc-pVTZ以及sdb-aug-cc-pVTZ基组）进行了计算． 以Te12为例, 基组是否包含弥散函数（aug）所造成的最大拉曼活性值差异仅为5.57和5.84Å4/amu, 相应的振动波数差异仅为0.34和0.27cm-1, 因此弥散函数对环状碲团簇的拉曼计算是无关紧要的． 以采取aug-cc-pVTZ-PP基组计算Te7为例, 振动波数与文献已有值之差最小仅为0.16cm-1, 计算结果与文献已有值符合得很好． 各团簇的拉曼光谱图表现出不同的谱线轮廓, 可以作为环状碲团簇相互间区分鉴别的有力依据．     

Ⅱ-Ⅵ族化合物原子间两体势的第一性原理研究

本文采用基于第一性原理的Hartree-Fork (HF)方法和密度泛函理论(DFT)计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物的两体相互作用势,并与实验数据进行了比较.分析了计算中基组对计算结果的影响,以及各种近似方法的优缺点.采用Lennard-Jones势、Born-Mayer势和Morse势函数分别对势能值进行拟合,结果表明采用Morse势拟合的势能曲线与计算结果符合最好,说明普遍应用于共价分子的Morse势也同样适用于对Ⅱ-Ⅵ族二聚体的两体势描述.     

基于量子自旋-量子反常霍尔效应的单层锑异质结构的热电性质研究（英文）北大核心CSCD

我们研究了一个基于单层氢化锑的异质结构材料的热电性质,该材料有着新颖的量子自旋-量子反常霍尔效应.我们计算了这种新的拓扑相材料的锯齿形结构纳米带的电导、热导、塞贝克系数以及热电效益指数.通过我们的研究,表明该材料在低温下有着较好的热电性能.此外,我们通过改变样品最外层原子的交换场的方式来调控样品的边缘态,并计算样品热电性质的变化.最后,我们发现随着纳米带宽度的增加,系统的热电性能也会增加.     

烧绿石Bi_(2-x)Fe_xIr_2O_7的金属-绝缘体转变与增强的反铁磁性研究（英文）北大核心CSCD

通过晶体结构、电学和磁学测量,我们系统地研究了Fe掺杂的烧绿石Bi_(2-x)Fe_xIr_2o_7(x=0.1,0.2,0.3,0.4)样品.X射线衍射证实了高结晶的Bi_(2-x)Fe_xIr_2o_7保持立方结构.样品体系显示出金属-绝缘体转变:当x=0.1,转变温度为63.870K.随着Fe含量的增加,转变温度呈上升趋势.掺杂样品显示出增强的反铁磁性,并随着Fe掺杂增加,反铁磁性增强.当掺杂量增加到0.3时,样品发生类自旋玻璃态转变.