铒离子在氟氧化物玻璃陶瓷中的上转换发光特性研究

用转移函数方法分析了Er^3 在铒镱共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中的上转换发光过程,Er^3 绿色辐射的上转换发光强度与泵浦激光功率的非平方关系是由于Er^3 和Yb^3 之间的强交叉驰豫过程引起的,讨论了在稀土离子共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中提高Er^3 的上转换发光强度的几种方法。     

玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.     

TmYb共掺氟氧化物玻璃的间接上转换敏化发光的研究

研究了Tm(0.1)Yb(10.9)氟氧化物玻璃在800nm半导体激光激发下的间接上转换敏化发光现象.通过Tm(0.1)Yb(3)：ZBLAN玻璃和Tm(0.1)Yb(10.9)氟氧化物玻璃中Tm³⁺离子上转换发光的比较研究,发现在间接上转换敏化的情况下,Tm(0.1)Yb(10.9)氟氧化物玻璃中Tm³⁺离子的上转换发光极大地增强,超过了Tm(0.1)Yb(3)：ZBLAN玻璃的水平.说明在此类上转换激发机制下,有着较高的稀土溶解度和较大的截止声子能量的材料可能有最佳的上转换效率,它将可能有比目前最好的ZBLAN材料高许多的上转换发光强度,这对于上转换研究迅速走向实际应用有重大的意义.目前尚未见到其他类似研究报道. 关键词：     

氟氧化物玻璃陶瓷中高效低阈值的红色上转换发光现象

本文报道了一种Er3 + 和Tm3 + 共掺杂新的氟氧化物玻璃陶瓷材料中高效低阈值的红色上转换发光现象。材料组份为 6 5GeO2 2 5NaF 8 5BaF 0 5Tm2 O3 1Er2 O3 (mol% ) ,文中给出了样品的制备方法。在 978nmLD激发下 ,观察到了非常强的红色上转换发光。据我们所知 ,在如此低的Er3 + 和Tm3 + 掺杂浓度下实现了如此之强的红色上转换发光 ,文献中未见报道 ;更令人惊奇的是在 2 0 0mA工作电流 (此时功率为 3 5mW )LD激发下 ,激发的功率密度为 170mW·cm-2 ,其红色光仍裸眼可见。讨论了这种高效低阈值上转换发光的机理。研究了LD的工作电流与上转换发光强度的关系     

掺铒硅酸盐玻璃上转换发光的温度特性

研究了掺铒硅酸盐玻璃上转换发光强度随温度的变化,结果显示上转换光强随温度呈增强趋势.利用速率方程,结合与温度有关的多声子辅助激发和无辐射跃迁过程建立了理论模型,并与实验进行比较,结果相一致.讨论了峰值波长分别为534 nm和549 nm的两个波段的上转换发光强度比值与温度的关系,并给出了理论上的解释.研究结果显示掺铒硅酸盐玻璃适合于做基于峰值比的温度传感材料.     

纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Tm(0.35)Yb(5):FOV的上转换发光

研究了纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Tm(0.35)Yb(5):FOV在975 nm半导体激光激发下的上转换发光.发现了位于363.6,(462.6,477.0),648.7,(699.7,680.7)和(777.6,800.7 nm)的几条上转换发光线,它们是Tm3 离子的1D2→H6,1G→H6,1G4→F4,3F3→H6和3H4→H6的荧光跃迁.为了确认它们的上转换机理,还测量了上转换发光强度F随975 am泵浦激光功率P改变的双对数曲线,结果证实了1D2能级的上转换发光部分是五光子上转换发光,而1G4能级和H4能级的上转换发光则是三光子和双光子上转换发光.     

掺Er~(3 )氟氧化物玻璃陶瓷的直接上转换敏化发光

研究了ErYb共掺的氟氧化物玻璃陶瓷的直接上转换敏化发光现象 ,发现其上转换机理主要是Er3 与Yb3 离子间的能量传递上转换而不是Er3 离子的步进多光子吸收 .研究发现由于稀土离子优先富集到PbxCd1-xF2 微晶中 ,形成数个稀土离子组成的耦合团 ,使其存在强烈的团簇效应 ,一方面导致了上转换荧光非常强 ,另一方面也导致了上转换荧光随抽运激光功率的对数变化F P曲线存在逐渐弯曲的“典型”饱和现象 .还发现在ErYb共掺的氟氧化物玻璃陶瓷中 ,两个处在激发态的Yb3 离子形成了团簇的耦合态2 F25/ 2 F5/ 2 (Yb3 Yb3 ) ,它在 96 6nm激光产生的一种全新的上转换合作辐射荧光     

Tm3+和Er3+共掺杂氟氧化物玻璃陶瓷材料结构和上转换发光性质的研究

报道了一种新的上转换氟氧化物玻璃陶瓷材料,组份为65GeO2-25NaF-10BaF2(MFG)。研究了Tm^3 和Er^3 共掺MFG玻璃陶瓷中的发光性质。通过X射线衍射和Raman散射分析了MFG玻璃陶瓷的结构性质。分别测量了Tm^3 和Er^3 共掺MFG玻璃及玻璃陶瓷和Er^3 单掺MFG玻璃中的红外发射谱（λex=488nm)和上转换发射谱（λex=978nm)。给出了稀土离子掺入微晶的证据;（1）和MFG：1mol%Tm^3 、2mol%Er^3 玻璃相比,在978nmLD激发下,MFG：1mol%Tm^3 、2mol%Er^3玻璃陶瓷中红色上转换发光大大增强,红不与绿光的比值大大提高。（2）在488nm激光激发下,玻璃陶瓷样品中Tm^3 离子1．7μm左右的发射光谱明显窄化。最后讨论了玻璃陶瓷这种结构上转换发光的影响和其在上转换发光及光通信中的应用潜力。     

掺Er3+氟氧化物玻璃陶瓷的直接上转换敏化发光

研究了ErYb共掺的氟氧化物玻璃陶瓷的直接上转换敏化发光现象,发现其上转换机理主要是 Er³⁺与Yb³⁺离子间的能量传递上转换而不是Er³⁺离子 的步进多光子吸收.研究发现由于稀土离子优先富集到Pb_xCd_1-xF2微晶中,形成数个稀土离子组成的耦合团,使其存在强烈的团簇效应,一方面导 致了上转换荧光非常强,另一方面也导致了上转换荧光随抽运激光功率的对数变化F-P曲线 存在逐 关键词： 直接上转换敏化 氟氧化物玻璃陶瓷 上转换合作辐射荧光     

纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Tm（0.35）Yb（5）∶FOV的上转换发光

研究了纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Tm(0.35)Yb(5)∶FOV在975nm半导体激光激发下的上转换发光。发现了位于363.6,(462.6,477.0),648.7,(699.7,680.7)和(777.6,800.7nm)的几条上转换发光线,它们是Tm3 离子的1D2→3H6,1G4→3H6,1G4→3F4,3F3→3H6和3H4→3H6的荧光跃迁。为了确认它们的上转换机理,还测量了上转换发光强度F随975nm泵浦激光功率P改变的双对数曲线,结果证实了1D2能级的上转换发光部分是五光子上转换发光,而1G4能级和3H4能级的上转换发光则是三光子和双光子上转换发光。     

人造金刚石的介电性能与其强度的关系初探

 人造金刚石的介电性能与其结构缺陷和强度存在一定关系，实验表明：用作电容器介质的人造金刚石晶形越完整，引起的电容量的增加就越小。     

音节清晰度与音位清晰度之间的统计关系

在大量普通话清晰度试验的基础上,根据汉语音节结构的具体分析,认为语言的内部信息——结构规律在言语的主观识别过程中是十分重要的因素。这特别表现在言语信号受到较大的干扰或失真,言语信号的物理特性已不能提供充分的识别条件时,内部信息发生较大的作用。本文提出了考虑到这一内部信息作用的音节清晰度与音位清晰度之间的统计关系。这一关系,比Fletcher与Steinberg所建立的统计关系,更好地符合大量试验的结果。     

ON THE RELATION BETWEEN COMPLEX MODES AND WAVE PROPAGATION PHENOMENA

This paper discusses the well-known, but often misunderstood, concept of complex modes of dynamic structures. It shows how complex modes can be interpreted in terms of wave propagation phenomena caused by either localized damping or propagation to the surrounding media. Numerical simulation results are presented for different kinds of structures exhibiting modal and wave propagation characteristics: straight beams, an L-shaped beam, and a three-dimensional frame structure. The input/output transfer relations of these structures are obtained using a spectral formulation known as the spectral element method (SEM). With this method, it is straightforward to use infinite elements, usually known as throw-off elements, to represent the propagation to infinity, which is a possible cause of modal complexity. With the SEM model, the exact dynamic behavior of structures can be investigated. The mode complexity of these structures is investigated. It is shown that mode complexity characterizes a behavior that is half-way between purely modal and purely propagative. A coefficient for quantifying mode complexity is introduced. The mode complexity coefficient consists of the correlation coefficient between the real and imaginary parts of the eigenvector, or of the operational deflection shape (ODS). It is shown that, far from discontinuities, this coefficient is zero in the case of pure wave propagation in which case the plot of the ODS in the complex plane is a perfect circle. In the other extreme situation, a finite structure without damping (or with proportional damping), where the mode shape (or the ODS) is a straight line on the complex plane, has a unitary complexity coefficient. For simple beam structures, it is shown that the mode complexity factor can also be calculated by curve-fitting the mode to an ellipse and computing the ratio of its radii.     

氧化物高温超导体Tc与内层轨道关联的关系研究

通过研究7大类40多个铜氧化物超导体系中Cu-O面最近邻阳离子(A)，我们发现了一个重要的规律——所有的A的内层p能级都与O的内层2s能级(-29．16eV)非常接近，分布在从-22．85～-3_4．80eV之间的一个窄小的区域内，而且此区域内没有任何非超导原子的p能级．详细的电子结构计算表明，所有的A的次内层p轨道都与Cu-O面上的O的内层2s轨道之间存在着轨道耦合关联，而且内层的关联强度与该体系的最高临界温度(Tc)成正比，关联强度越大，瓦越高．因此我们认为：A与O间的内层轨道耦合是高温超导现象产生的主要原因．     

热退火对ZnS:ErF3薄膜交流电致发光(ACEL)特性的影响

本文研究了退火温度以及退火时间的改变对ZnS:ErF3薄膜ACEL特性的影响。从ACEL光谱上可以看到,随退火温度增加或退火时间的积累,对应于4F9/2→4I15/2跃迁的谱线强度都有明显的增强。通过对EL衰减等实验结果进行分析,我们认为在不同的温度下退火将会产生不同的影响,当退火温度低于300℃时,退火将使ZnS的结晶性能得到改善,并使有效的发光中心数目增加,当退火温度高于300℃时,将产生一些新的缺陷。它们都导致了Er3+离子间交叉弛豫过程的加剧,使4F9/2能级的辐射得到加强。     

顺铂与DNA间的相互作用

用荧光探针法研究化疗药物顺铂与ＤＮＡ（脱氧核糖核酸）的相互作用。还用吸收光谱法研究了它们间的相互作用。     

K1c与DF关系的几点注记

 本文根据裂端塑性区的不同结构和不同的断裂机制，从理论上讨论了断裂韧性K_1c与断口分形维数D_F间的定量关系。从而，指出了分形用于耗散系统研究时，耗散能的分析与计算将起着重要的作用。     

ZnS:Cu,Er,Cl薄膜直流电致发光效率与电场分布关系的研究

利用Er3+离子的特征辐射,探测出ZnS:Cu,Er,C1薄膜直流电致发光器件中沿膜厚度方向场强分布是不均匀的:有三个高场区两个低场区.并测最了这五个区域里的发光效率,得出高场区的发光效率高,低场区的发光效率低.文中对高场区的形成原因及发光效率与场强的关系进行了讨论.     

表面张力与温度关系的探讨

本文从理论上探讨了表面张力与温度之间的关系。     

也谈磁场强度H与磁化电流的关系

本文也谈磁场强度Ｈ与磁化电流之间的关系；并依据亥姆霍兹定理推导了Ｈ仅与传导电流有关的一般条件。