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PZT压电陶瓷粉体的制备工艺 总被引:7,自引:0,他引:7
综述了目前PZT压电陶瓷粉体制备的方法,原理及其生产工艺,对各种方法的优点进行了评价;对共沉淀法制备PZT压电陶瓷粉体的工艺进行了改进。 相似文献
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提出一种结构新颖的压电驱动膜片式微型气泵,对其输出流量、膜片的振幅等参数进行了理论分析,在此基础上设计、制作了微型气泵样机,并进行了测试实验。这种气泵在结构上充分利用了双压电梁端部位移大的优点,并利用两根双压电梁将膜片悬起,增加了容积变化率和输出流量,并具有结构简单,功耗低,厚度小,无电磁噪音,可靠性高等优点,在微型电子器件的冷却、微型燃料电池换气等方面显示出良好的应用前景。根据实验,微型气泵的一阶固有频率约为120Hz,在谐振状态下,当驱动电压为50V时,其输出流量为192mL/min,功耗小于23mW。 相似文献
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PZT非线性特性的研究 总被引:8,自引:3,他引:5
对PZT的非线性特性进行了理论和实验研究,给出了施加不同电压时PZT机电耦合特性的实验曲线,详细讨论了施加电压过程与所产生的机械变形之间的关系。最后根据实验结果给出了PZT用作执行元件时的线性工作区、非线性工作区和截止区。 相似文献
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Nb2O5掺杂对PMN—PZT系压电陶瓷电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
从晶本结构和微观组织入手,分析并讨论了掺Nb2O5量对37.5PbO3-25PbZrO3-37.5PbTiO3材料的介电,压电性能的影响行为和影响机制。实验结果表明,当Nb2O5的添加量=1%时,材料有最好的压电性能。 相似文献
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采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备锆钛酸铅(PZT)纳米晶薄膜,研究了不同的热处理方式对PZT薄膜的晶粒结构、尺寸及电学性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明:传统的热处理方式更有利于得到具有一定择优取向性的PZT薄膜。原子力显微镜(AFM)显示:快速热处理方式使PZT薄膜的晶粒具有自形晶结构,晶粒的排布更为有序,从而改善了薄膜的致密性。阻抗分析仪的测试结果表明:经快速热处理的薄膜,漏电流大约比传统热处理处理的薄膜的漏电流降低了20倍左右。 相似文献
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基于MEMS的硅基PZT薄膜微力传感芯片 总被引:3,自引:0,他引:3
为了测量毫克级的微小力,设计并制造了一种硅基PZT薄膜悬臂式微力传感芯片。采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了厚度不同(300~800 nm)的锆钛酸铅(Pb(ZrxTi1-x)O3)薄膜,薄膜表面均匀,无裂纹。通过测试和分析,研究了PZT薄膜的制备工艺参数和压电、铁电、阻抗特性。采用微机械加工手段制作了长度为1 000μm、500μm、250μm的硅基PZT薄膜微型悬臂结构。当在悬臂的自由端沿着厚度方向施加毫克级的微小力时,微型悬臂就会在厚度方向发生弯曲和振动,通过测量在压电材料表面电极上的电荷量,并通过计算可得到微型悬臂所受的集中力的大小,实现微力的测量。该文还对微力传感芯片的工作方式进行了研究,初步设计了传感器系统模型。 相似文献
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用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜, 为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶.首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工;然后,对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理,实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备. 相似文献
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脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响 总被引:2,自引:1,他引:2
采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过垦10%的两种靶材.并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550~750℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含最对薄膜生长取向的影响.利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌.XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜牛长从550 C近似c轴取向逐渐过渡到750℃近似a轴取向,而在铅过量情况下薄膜生长取向无明显过渡性变化;AFM测量表明PZT薄膜在近似C轴和a轴生长情况下,表面均方根(RMS)粗糙度分别为16.9 nm和13.7 nm,而在混合生长无择优取向的情况下,薄膜表面均方根粗糙度达到68 nm,这可能是两种取向竞争生长的结果. 相似文献
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锆钛酸铅(PZT)薄膜具有优异的压电性能,是制作微机电系统(MEMS)振动式能量收集器的理想材料。在溶胶-凝胶法制备PZT薄膜的过程中产生的残余应力会对能量收集器有负面影响。该文利用X线衍射法对在退火温度分别为650℃、700℃、750℃、800℃下掺杂铌(Nb)和钴(Co)元素的PZT薄膜样品的残余应力进行了测定。实验结果表明,PZT薄膜样品中的残余应力表现为压应力,从650℃升高到750℃的过程中,随着退火温度的升高薄膜中的残余应力增大;直到750℃附近后,残余应力基本保持稳定。 相似文献