X射线剂量增强效应

简述了Ｘ射线辐射对材料产生剂量增强效应的物理过程，着重介绍了Ｘ射线剂量增强对电子器件的影响。这种剂量增强使Ｘ射线辐射引起的损伤比能量较高的γ射线要严重得多。     

存储器硬X射线损伤效应实验

文章给出了大规模集成电路浮栅ROM,SRAM器件在钴源和北京同步辐射装置BSRF(Beijing Synchrotron Radiation Facility)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了其两种辐照源的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变,给出基相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等关系.获得了浮栅ROM器件X射线剂量增强因子,给出不同集成度SRAM器件的X射线辐射加固技术研究有重要价值.     

浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究

给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值 关键词： EEPROM x射线 剂量增强剂量效应 同步辐射     

稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属氧化物半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhancement effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段. 关键词： X射线 剂量增强因子 总剂量效应 剂量率效应     

X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算

 当X射线射入不同材料组成的界面时, 在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理, 并用MCNP蒙特-卡洛程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100~150keV时,界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。     

同步辐射X射线源的剂量增强效应实验研究

设计了多层平板铝电离室,利用北京同步辐射装置BSRF产生的30—100keV同步辐射硬X射线,测量了不同材料界面Kovar/Au/Al,Pb/Al,Ta/Al的辐射剂量梯度分布,给出了不同材料界面剂量增强因子DEF.在该装置上同时开展了硬X射线辐照引起的CMOS器件4069的剂量增强效应RDEF研究.采用双层膜结构,通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,从而给出器件损伤增强因子.这些方法为器件抗硬X射线辐射加固技术研究提供了实验技术手段.     

X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算

当X射线射入不同材料组成的界面时, 在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理, 并用MCNP蒙特-卡洛程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100~150keV时,界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。     

用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数

当X射线射入不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强.介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特-卡洛程序计算了钨-硅、钽-硅、钨-二氧化硅和钽-二氧化硅界面的剂量增强系数. 关键词： X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数     

同步辐射（软X射线,紫外）辐照农作物的生物效应研究

同步辐射的紫外辐照萌动麦种子的辐射敏感性为：大麦大于冬麦，大麦大于春麦。在３．５－２２ｈｅＶＸ射线辐照干麦种子的两次重复实验中，其辐射敏感性的次序发生了变化；０．６－３ｋｅＶ超软Ｘ射线辐照干麦种子时，当代幼苗出现了４０－９０％的“条状叶绿素缺失”的变异，这在其他射线辐照中未曾见过，是首次发现的生物效应。     

同步辐射X射线图像对比度增强算法研究EI北大核心CSCD

在同步辐射X射线成像中,时常会出现对比度不高或对比度不均匀的问题,这将导致图像中样品的一些细节信息难以被观察和分析。针对这一问题,提出一种X射线图像对比度增强的算法。该算法以同态滤波为核心,结合图像降噪预处理及灰度调整,以现图像的对比度增强,并提高图像质量。编写程序实现该算法,并通过对分辨率靶图像和海洋鱼类样品的X射线图像进行测试。结果表明,该算法可以很好地增强灰度分布不均匀的低对比度X射线图像,使样品信息显示更清晰,灰度分布更均匀。同时,对X射线图像的降噪效果明显。     

硬X射线磁圆二色实验方法的建立

在北京同步辐射装置(BSRF)1W1B光束线和XAFS实验站上国内首次建立了硬X射线波段的磁圆二色实验(XMCD)方法. 以单晶金刚石作为相位延迟片, 在透射劳埃(Laue)模式下, 利用衍射双折射效应, 将入射的单色线偏振光转变为相应的左旋和右旋圆偏振光, 测量磁化样品对左旋和右旋圆偏振光吸收的差异, 获得了XMCD信号. 本实验使用透射方法测量了Pt-Fe合金Pt L_2,3边的XMCD, 获得了XMCD信号. XMCD实验方法的建立, 为研究磁性材料尤其是磁性薄膜材料的电子结构和磁结构提供了实验基础.     

两块晶体衍射增强成像方法研究

在北京同步辐射装置4W1A光束线形貌学实验站用两块晶体开展了衍射增强成像方法的实验和理论研究.研究了晶体热膨胀对两块晶体衍射增强成像的影响,分析的结论表明,晶体转轴垂直于同步辐射偏振面能基本避免晶体热膨胀的影响,获得较好的成像质量.实验结果证实了分析的正确性. 关键词： 相位衬度成像 同步辐射 晶体衍射     

Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology

This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS (metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process. The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of the devices were monitored before and after $\gamma $-ray irradiation. The parameters of the devices with different layout under different bias condition during irradiation at different total dose are investigated. The results show that the enclosed layout not only effectively eliminates the leakage but also improves the performance of threshold voltage and transconductance for NMOS (n-type channel MOS) transistors. The experimental results also indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed gate PMOS transistors.     

High‐Z Nanostructured Ceramics in Radiotherapy: First Evidence of Ta2O5‐Induced Dose Enhancement on Radioresistant Cancer Cells in an MV Photon Field

This article pioneers a study into the use of the tantalum pentoxide nanoceramics as novel candidates for dose enhancement radiotherapy. It is revealed that a significant induced dose enhancement on radioresistant cancer cells expose to tantalum pentoxide nanoparticles and irradiated with 10 MV. In this study, in vitro experiments are performed. The radiobiological endpoint is clonogenic survival. We exposed 9L gliosarcoma cells to the nanoparticles at 50–500 μg mL^?1 range and observed concentration‐dependent toxicity. Irradiation of the exposed and unexposed cells with 10 MV X‐ray photons reveals a sensitization enhancement ratio of 1.33. The associated cell survival curves demonstrate a significant change in shape, indicative of increased lethality of the local radiation environment. We postulate that this enhancement is primarily due to secondary electrons produced from photoelectric interaction and pair production, with backscattering on nanoparticle aggregates leading to increased radiobiological effectiveness.     

不同辐射环境下CMOS器件总剂量测试技术与损伤差异研究

对应用在不同辐射环境下HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及脉冲总剂量效应在线测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套测试系统对典型CMOS器件4007在强光一号加速器脉冲硬X射线状态、长脉冲γ射线状态以及⁶⁰Co稳态γ射线状态下开展了不同辐射环境总剂量损伤效应的比较研究, 为今后深入进行此项工作打下了基础.     

X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应研究

研究了X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应。根据多层膜中的X荧光强度理论计算公式编写了计算机程序,并计算了Zn/Fe和Fe/Zn双层膜样品中不同薄膜厚度时Fe Kα的一次荧光强度、二次荧光强度、二次荧光与一次荧光强度比以及二次荧光在总荧光强度中比例。研究发现,在多层膜样品的X射线荧光分析中,激发条件不变的情况下,元素谱线的一次荧光相对强度、二次荧光相对强度和二次荧光在总荧光强度中所占比例都随薄膜厚度及位置的变化而变化。当Fe和Zn层厚度相同时,随厚度的变化,对于Fe/Zn样品,Fe Kα二次荧光强度占总荧光强度最高为9％,而对于Zn/Fe样品这一比例最高可达35％。     

The Dependence of IRSL Intensity on Radiation Dose for Samples of Chlorides Contained in Feldspars

The intensity of the luminescence generally increases with radiation dose and measurement of these phenomena can be used to characterise the degree of dependence on beta doses. In this study, in order to test whether this is a significant problem on the optically stimulated luminescence (OSL) studies, the radiation dose response of the OSL signal from samples of chlorides contained in feldspars have been investigated by irradiating the samples with beta doses. The infrared-emitting diodes were used with a wavelength of (880±80) nm, and an IRSL (infrared stimulated luminescence) intensity parametres, m, was described and found m = 1±0.03.