LiNbO3∶Fe,M(M=Mg2+,Zn2+,In3+,Sc3+)晶体中的信号光与噪声光的竞争

分析了掺杂铌酸锂晶体的扇形噪声光的形成机制,讨论了信号光与扇形噪声光之间的光放大竞争问题.结果显示: 由于信号光与扇形噪声之间光放大竞争,对于信号光的放大而言,存在一个最佳的光生伏特场,因而存在一个最佳入射泵浦光光强,使得信号光具有最大的放大倍数,同时噪声很弱.     

LiNbO3：Fe,M（M=Mg^2＋,Zn^2＋,In^3＋,Sc^3＋）晶体中的信号光 …

分析了掺杂铌酸锂晶体的扇形噪声光的形成机制,讨论了信号光与扇形噪声光之间的光放大竞争问题,结果显示,由于信号光与扇形噪声之间光放大竞争,对于信号光的放大而言,存在一个最佳的光生伏特场,因而存在一个最佳入射泵浦光光强,使得信号光具有最大的放大倍数,同时噪声很弱。     

Ce：Fe：LiNbO_3在红光波段的光折变特性

研究了掺铈、铁ＬｉＮｂＯ３（简写为Ｃｅ：Ｆｅ：ＬＮ）晶体在６３３ｎｍ波段的光折变特性．其光折变灵敏度约为４００ｍＪ／ｃｍ２，指数增益系数约为４５ｃｍ－１。用该晶体记录的傅里叶变换全息图分辨率超过７０ｌｐ／ｍｍ。     

利用LiNbO_3Fe晶体光放大作用检测透明介质的畸变

当透明介质中有畸变时，介质均匀部分与畸变部分的透射光经过透镜变换后，在透镜后存在交叠。将ＬｉＮｂＯ３Ｆｅ晶体置于两光交叠处，利用ＬｉＮｂＯ３Ｆｅ晶体光放大作用，可以将透射图案的对比度大大提高，从而实现畸变的检测。此方法十分简便，灵敏度较高     

光折变晶体Ce：LiNbO3的光学性质及其应用

本文介绍了Ce:LiNbO_3晶体的光学性质,并与Fe:LiNbO_3晶体作了对比,同时用该晶体做了相衬法有关实验。     

钛扩散LiNbO_3晶体光波导长周期光栅

设计了一种钛扩散铌酸锂(LiNbO_3)晶体光波导结构,并在该基础上制作了长周期光栅.使用两步钛扩散方法在Z切LiNbO_3基片上制造了波导,它包括一个单模芯层和一个平面包层,之后用光刻胶光栅置于波导表面.实验证明用这种结构设计长周期波导光栅是可行的.对光波导制造工艺和波导结构的深入研究,为制作高速电光调制型光栅提供技术基础.     

Mn：Fe：LiNbO3晶体光折变效应的研究

在LiNbO3中掺入Fe2O3和MnCO3生长Mn:Fe:LiNbO3晶体，对晶体进行极化处理及氧化还原处理。测试晶体的吸收光谱，指数增益系数，衍射效率和有效载流子浓度。结果表明，经还原处理的Mn:Fe:LiNbO3晶体是优良的全息存储介质材料。     

LiNbO_3条波导的光损伤

报道了利用ＣＣＤ测试ＬｉＮｂＯ３条波导光损伤的实验结果。发现各种传向都存在不同程度的光损伤。加热可大部分消除光损伤，掺入ＭｇＯ也可提高条波导的抗光损伤性能。     

化学计量比LiNbO3晶体的光折变损伤阈值测定

运用准连续激光器测定了4种用助熔剂提拉法生长的化学计量比铌酸锂(LiNbO3)晶体的光折变损伤，应用高斯光束经凸透镜变换的公式计算了光斑半径，最后得到了光损伤阈值，并与同成分LiNbO3作了比较，讨论了掺杂对晶体光折变性能的影响。根据晶体红外吸收峰的位置定性判断了晶体的光损伤阈值，其结果与准连续激光器的测量结果是一致的。     

光折晶体Fe:LiNbO_3中的光致散射效应

本文给出了光折晶体中光致散射理论,并用Fe:LiNbO_3晶体以氩离子激光为光源研究了光致散射效应,得到了透射光强度随照射时间变化的动态曲线及与理论一致的散射光强随散射角变化的实验曲线.实验中还观察到表面复合效应,提供了简便地消除此效应的方法.     

Eu：Fe：LiNbO_3晶体光折变效应的研究

测试了Ｅｕ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的指数增益系数，位相共轭反射率和光折变温度效应，以Ｅｕ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作相位共轭镜，实现了实时关联存储。     

H:LiNbO3光波导

铌酸锂晶体具有良好的光声和电光性质，因而基于铌酸锂的集成光学器件已引起人们的广泛关注。质子交换法是一种制备铌酸锂光波导的重要方法。质子交换铌酸锂光波导具有制作工艺简单，折射率增量大，抗光折变能力强及可实现单偏振激励等特点。本文对质子交换铌酸锂光波导的制作工艺、波导特性及其应用进行了讨论，并指出目前应加强质子交换光波导、质子交换生长动力学和交换工艺的研究。     

Co~(2+)∶LiNbO_3晶体的坩埚下降法生长及其光谱性质

应用坩埚下降法,以同成分化学摩尔分数比(Li2O:48.6%,Nb2O5:51.4%)为原料,以CoO作为掺杂物,在合适的温度梯度(20~40℃/cm)与生长速度(1~3mm/h),生长出了Co2+掺杂摩尔分数分别为0.1%与0.3%的LiNbO3(LN)晶体。用X射线衍射(XRD)与差热分析(DTA)表征了获得的晶体。测定了不同部位晶体从350~2500nm的吸收光谱。观测到520nm,549nm与612nm三个分裂的尖吸收峰以及以1358nm为发光中心的吸收带。从吸收特性表明,Co离子掺杂于畸变的氧八面体中,呈现+2价态,并且沿着晶体生长方向浓度逐渐减少,Co2+在LiNbO3晶体中的有效分凝系数大于1。研究了不同部位晶体在900nm以下的荧光光谱特性,在750nm发现有较强的荧光发射,并随着激发波长的增长,荧光发生红移。     

在LiNbO_3:Fe晶体中写入偶数序列孤子的实验研究

利用部分空间非相干光穿过振幅掩模的方法产生一暗纹,基于LiNbO3:Fe晶体的强光伏效应,在无背景光辐照时,在晶体内写入一维部分空间非相干偶数序列孤子.当入射暗纹宽度为13.4μm时,暗纹只能分裂为Y结孤子对;当入射宽度等于20.1μm时,暗纹分裂为4个孤子.实验结果表明:在无背景光辐射时,可以在LiNbO3:Fe晶体内写入部分空间非相干偶数序列暗光伏孤子.     

红外弱光诱导掺铟铁铌酸锂晶体的光折变效应

掺铟铁铌酸锂(In:Fe:LiNbO3)晶体在红外弱光辐照下正常折射率变化量△n可以达到10-4数量级.探讨了光生载流子在漂移、扩散和光生伏打效应三种机制下输运迁移以及空间电荷场的形成过程.研究结果表明,光致折射率变化的机制主要是由光生伏打效应引起,并观察到在正常偏振光辐照下,红外弱光与可见光引起晶体的正常折射率变化分布明显不同.     

全息法研究LN和Mg:LN晶体波导基片的光损伤

本文报道了用全息法研究铌酸锂(LN)晶体和掺镁铌酸锂(Mg:LN)晶体波导基片光损伤的结果。分别采用钛扩散和质子交换工艺制作波导基片;其中Mg:LN晶体波导基片的抗光损伤能力高于LN基片,质子交换波导片的抗光损伤能力高于钛扩散波导片。     

Mg：Fe：LinbO_3晶体光折变增强效应的研究

在铌酸锂晶体中掺ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．由于薄晶片的光爬行效应，晶体的二波耦合指数增益系数高达８０ｃｍ－１，且角度响应范围加宽，响应速度和抗光散射能力都比Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３有较大改善．以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作光放大器，实现了一次迭代全息关联存储．     

PPLN晶体中不同非共线结构光参量放大过程的带宽与增益特性

利用非共线相位匹配方法,研究了不同极化周期和不同非共线结构下周期极化铌酸锂晶体(PPLN)中的光参量放大(OPA)带宽与增益特性.光谱带宽和增益通过对相位失配进行泰勒级数展开并保留到二阶级数项得到,在计算过程中考虑到了晶体极化周期、非共线入射结构、PPLN晶体长度以及抽运光强度的影响.计算结果表明,参量带宽和增益带宽具有相似的特性,而且PPLN晶体的周期和非共线入射结构会对光参量放大的光谱带宽产生一定的影响,在同一波长处,通过调节晶体周期或非共线结构可以获得更大的带宽.在对增益的研究过程中发现,与增加抽运光强度相比,增加晶体的长度能更有效地增强参量增益,但是PPLN晶体的周期和非共线入射结构对增益几乎没有什么影响.     

LiNbO3 1×2非对称电极Y分叉数字光开关的研究

文章提出一种关于非对称电极低串扰数字光开关的新型设计方案,在Y分叉后端引入S弯曲波导,通过在Y分叉处的非对称电极和弯曲波导的弯曲电极处施加一定的同步电压,实现了比没有S弯曲的开关更低的串扰.此种设计采用有限差分光束传播方法(FDBPM)来分析,模拟结果显示,在光波长为1.55 μm时,开关电压8 V,串扰＜-25 dB.