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1.
FEB聚变实验增殖堆氚投料量及氚回收的研究 总被引：3，自引：3，他引：0
运用三维ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ程序ＭＯＲＳＥ＿ＣＧＴ，计算了变实验增堆ＦＥＢ满功率运行１０ｄ后外侧包层各区中的氚浓度、运行１天后的内侧包层各区中的氚浓度及运行１ＦＰＹ后Ｂｅ球中的氚投料量，设计了ＦＥＢ堆现场氚的分布流程图。采用组合于燃料净化系统和低温分馏法从等离子体排出气体中回收氚，讨论了从液态锂中回收氚的几种方案用于ＦＥＢ的可行性。 相似文献
2.
Chen Chen Mei Liangmo Department of Physics Shandong University Jinan P.R.China Guo Huiqun Zhao Jiangao State Key Lab. of Magnetism Institute of Physics Chinese Academy of Sciences Beijing P.R.China 《原子与分子物理学报》1997,(2)
ＧＩＡＮＴＭＡＧＮＥＴＯ－ＩＭＰＥＤＡＮＣＥＩＮＦｅ－ＢＡＳＥＤＳＯＦＴＦＥＲＲＯＭＡＧＮＥＴＩＣＲＩＢＢＯＮＳＣｈｅｎＣｈｅｎＭｅｉＬｉａｎｇｍｏＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＳｈａｎｄｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｊｉｎａｎ２５０１００... 相似文献
3.
Zhu Zhenghe 《原子与分子物理学报》1996,(2)
Ｂｅａｍ－ｆｏｉｌ Ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ Ｄｏｕｂｌｙ Ｅｘｃｉｔｅｄ Ｆｏｕｒｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｑｕｉｎｔｅｔ Ｓｔａｔｅｓ ｆｏｒ Ｎ Ⅳ－Ｍｇ ⅨＢｅａｍ－ｆｏｉｌＳｐｅｃｔｒａｏｆＤｏｕｂｌｙＥｘｃｉｔｅｄＦｏｕｒｅｌｅｃｔｒｏｎＱｕｉｎｔｅ... 相似文献
4.
聚变实验增殖堆FEB-E放射性废物处置指标的计算 总被引：1，自引：1，他引：0
冯开明 《核聚变与等离子体物理》2000,20(1):13-20
应用中子输运程序ＢＩＳＯＮ３．０、增殖堆放射性计算程序ＦＤＫＲ、剂量率计算程序ＤＯＳＥ完成了聚变实验增殖堆ＦＥＢ－Ｅ的放射性、核废物特性及废物处置额定容量（ＷＤＲ）的计算。结果表明,在停堆以后几周内,ＦＥＢ－Ｅ设计的经一壁和包层结构材料满足１０ＣＦＲ６１Ｃ级核废物处置额定容量的要求。对包层中的重要锕系元素＾２３２Ｕ、＾２３７Ｎｐ的含量也作了计算分析。 相似文献
5.
系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明,ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用,ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ,分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ 的主要原因 相似文献
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8.
Pang Xiaofeng International Centre for Material Physics Academia Sinica Dept. of Physics Southwest Institute for Nationalities The Institue of Atomic Molecular Physics Sichuan Union UniversityShenyang Chengdu Chengdu 《原子与分子物理学报》1997,(1)
ＡＳＴＡＴＩＳＴＩＣＡＬＴＨＥＯＲＹＦＯＲＴＨＥＢＩＯ－ＰＨＯＴＯＮＥＭＩＳＳＩＯＮＯＦＴＨＥＬＩＶＩＮＧＳＹＳＴＥＭＳＰａｎｇＸｉａｏｆｅｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｅｎｔｒｅｆｏｒＭａｔｅｒｉａｌＰｈｙｓｉｃｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａＤ... 相似文献
9.
为了提高ＦＥＢ－Ｅ偏滤器的杂质控制和增加ＦＥＢ－Ｅ偏滤器处离子与中性气体的相互作用,用喷 气和杂质注入的方法设计了动态气全靶偏滤器。高约束Ｈ模拟态下的脱靶等离子体沿删削层（ＳＯＬ）磁力线有大的辐射功率份额（５０％￣８０％）和大的等离子体压力下降（９０％）。偏滤器上等离子体压降系数用ＳＯＬ的两点输运模型和辐射模型估算。结果显示,压降系数不仅与辐射功率份额有关,而且与ＳＯＬ驻点密度紧密相连。 相似文献
10.
MA Weiyi SHAN Yusheng ZHOU Kungong WANG Youtian ZHANG Dong WU Fangfang YANG Zhe WANG Naiyan 《Chinese Journal of Lasers》1996,5(6):485-491
Ｔｗｏ－ＳｉｄｅＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍＰｕｍｐｉｎｇＳｙｓｔｅｍＦｏｒＨｕｎｄｒｅｄ－Ｊｏｕｌｅ－ＬｅｖｅｌＫｒＦＥｘｃｉｍｅｒＬａｓｅｒ￥ＭＡＷｅｉｙｉ；ＳＨＡＮＹｕｓｈｅｎｇ；ＺＨＯＵＫｕｎｇｏｎｇ；ＷＡＮＧＹｏｕｔｉａｎ；ＺＨＡＮＧＤｏｎｇ；... 相似文献