用卢瑟福背散射和弹性背散射分析高Tc超导薄膜中的元素组份及氧含量

提出了用能量为１．５－２．５ＭｅＶ的质子弹性背散射分析（ｅｌａｓｔｉｃ ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ，缩写为ＥＢＳ）来测定薄膜中的氧含量，这个方法对于厚度为几十纳米到几个微米的样品，测量精度约５％。采用ＲＢＳ分析并结合ＥＢＳ分析，可全面测得薄膜中各元素的含量。 关键词：     

背散射及在线分析

背散射及在线分析盛京，周家敏（天津大学材料工程与科学系天津３０００７２）ＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇａｎｄＯｎ－ｌｉｎｅＡｎａｌｙｓｉｓ￥ＪｉｎｇＳｈｅｎｇａｎｄＪｉａｍｉｎＺｈｏｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｎａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇ...     

小角激光背散射研究凝胶溶胀过程结构性质

小角激光背散射研究凝胶溶胀过程结构性质原续波盛京何庆（天津大学材料科学与工程系天津３０００７２）ＴｈｅＳｔｕｄｙｏｎＳｗｅｌｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓｏｆＧｌｕｃｏｓｅＳｅｎｓｉｔｉｖｅＣｈｉｔｏｓａｎＧｅｌｓＬｏａｄｅｄＷｉｔｈＥｎｚｙｍｅＢｙＳｍａｌ...     

书评

书评室内声学第三版ＲｏｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃｓ，３ｒｄｅｄｂｙＨ．Ｋｕｔｔｒｕｆｆ．出版ＥｌｓｅｖｌｅｒＳｃｉｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓｈｅｒｓＬｔｄＣｒｏｗｎＨｏｕｓｅ，ＬｌｎｔｏｎＲｏａｄ，Ｂａｒｋｉｎｇ，Ｅｓｓｅｘ１６１１ＳＪＵＥｎｇｌａｎｄＶｉｎ＋３...     

THERMAL INSTABILITY OF D-T BURNING PLASMAS

ＴＨＥＲＭＡＬＩＮＳＴＡＢＩＬＩＴＹＯＦＤ－ＴＢＵＲＮＩＮＧＰＬＡＳＭＡＳ￥Ｂ．Ｒ．ＳＨＩＹ．Ｘ．ＬＯＮＧＨ．Ｇ．ＺＨＡＯ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔｅｒｎｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ４３２，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００４１，Ｓｉｃｈｕａｎ...     

Analytic Subject Index to Volume B3, (1994)

Ａｎａｌｙｔｉｃ Ｓｕｂｊｅｃｔ Ｉｎｄｅｘ ｔｏ Ｖｏｌｕｍｅ Ｂ３，（１９９４）ＬＡＳＥＲＤＥＶＩＣＥＳＮｏ．Ｐａｇｅ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ－－ｃａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅ－－ｅｍｉｔｔｉｎｇｌａｓｅｒｓｆａｂｒａｃａｔｅｄｔｗｉｃｅｂｙｉｍｐｌａｎｔ...     

激光分子束外延制备的BaTiO3及c取向YBa2Cu3O7-δ薄膜的生长模式

用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ） 和原子力显微镜（ＡＦＭ） 研究激光分子束制备的铁电ＢａＴｉＯ３ 和高Ｔｃ 超导ｃ 取向Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７ 薄膜的生长模式,ＢＴＯ 铁电薄膜是原子级平整的层状生长模式;ｃ 取向ＹＢＣＯ 超导薄膜是ＳＫ生长模式 当薄膜厚度小于５ 个原胞时,层状生长,然后是台阶岛状生长．处理ＳｒＴｉＯ３ 基片表面可以改变ｃ 取向ＹＢＣＯ薄膜的生长模式     

Analytic Subject Index to Volume B6,(1997)

ＡｎａｌｙｔｉｃＳｕｂｊｅｃｔＩｎｄｅｘｔｏＶｏｌｕｍｅＢ６，（１９９７）ＬＡＳＥＲＤＥＶＩＣＥＳＮｏ．ＰａｇｅＴｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｉｎｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌｙｐｕｍｐｅｄＴｉ∶ｓａｐｐｈｉｒｅｌａｓｅｒｓ１１Ｃｈａ...     

Analysis of Optical Equalization in WDM System

ＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＯｐｔｉｃａｌＥｑｕａｌｉｚａｔｉｏｎｉｎＷＤＭＳｙｓｔｅｍＳＵＮＪｉａｎＧＵＷａｎｙｉＬＩＧｕｏｒｕｉＸＵＤａｘｉｏｎｇ（ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖ．ｏｆＰｏｓｔｓ＆Ｔｅｌｅｃｏｍ．，ＢｅｉｊｉｎｇＰ．Ｏ．Ｂｏｘ１２８，Ｃｈｉｎａ...     

The Influence of Dispersion Stochastic Variation on Bright Soliton Transmision System

ＴｈｅＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＤｉｓｐｅｒｓｉｏｎＳｔｏｃｈａｓｔｉｃＶａｒｉａｔｉｏｎｏｎＢｒｉｇｈｔＳｏｌｉｔｏｎＴｒａｎｓｍｉｓｉｏｎＳｙｓｔｅｍＬＩＨｏｎｇＹＡＮＧＸｉａｎｇｌｉｎ（Ｄｅｐｔ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｅｎｇ．ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵ...     

One Dimensional Kinetic Study on E-Beam-Excited KrF Laser Including the Vibrational Relaxation

ＯｎｅＤｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＫｉｎｅｔｉｃＳｔｕｄｙｏｎＥ┐Ｂｅａｍ┐ＥｘｃｉｔｅｄＫｒＦＬａｓｅｒＩｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｅＶｉｂｒａｔｉｏｎａｌＲｅｌａｘａｔｉｏｎＦＥＮＧＧｕｏｇａｎｇＧＡＯＪｕｎｓｉＳＨＡＮＹｕｓｈｅｎｇ（Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ２７５...     

Impurities Effect on e-beam-excited KrF Laser

ＩｍｐｕｒｉｔｉｅｓＥｆｅｃｔｏｎｅｂｅａｍｅｘｃｉｔｅｄＫｒＦＬａｓｅｒＦＥＮＧＧｕｏｇａｎｇＧＡＯＪｕｎｓｉＳＨＡＮＹｕｓｈｅｎｇ（ＣｈｉｎａＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｔｏｍｉｃＥｎｅｒｇｙ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ２７５７，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０２４１３...     

TOROIDALSHEARFLOWDRIVIENINSTABILITY

ＴＯＲＯＩＤＡＬＳＨＥＡＲＦＬＯＷＤＲＩＶＩＥＮＩＮＳＴＡＢＩＬＩＴＹＬ．ＨｕａｎｇＮ．ＤｉｎｇＧ．Ｄ．ＪｉａｎＳｏｕｔｈｗｅｓｔｅｒｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ４３２，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００４１，ＣｈｉｎａＡＢＳＴＲＡＣＴ...     

书评

书评ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＮｏｉｓｅＣｏｎｔｒｏｌＴｈｅｏｒｙａｎｄＰｒａｃｔｉｃｅＤａｖｉｄＡ．Ｂｉｅｓ和ＣｏｌｉｎＨ．Ｈａｎｓｅｎ合著６１４十Ｘｉｖ页码１９９６年１１月第二版Ｅ＆ＥＮＳＰＯＮ，ＡｎｌｍｐｒｉｎｔｏｆＣｈａｐｍａｎ＆Ｈａｌｌ，２６Ｂ...     

光纤受激布里渊散射效应及其应用

光纤受激布里渊散射效应及其应用刘波，杨经国（四川大学物理系６１００６４）ＦｉｂｅｒＳＢＳＥｆｆｅｃｔａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ￥ＬｉｕＢｏａｎｄＹａｎｇＪｉｎｇｇｕｏ（ＳｉｃｈｕａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＣｈｅｎｇｄｕＰ．Ｒ，Ｃｈｉｎａ６１０...     

Internal Optical Parametric Oscillator with SBS Phase Conjugate Resonator

Ｂｅｃａｕｓｅｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｐａｒａｍｅｔｒｉｃｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ（ＯＰＯ）ｃａｎｂｅｇｅｎｅｒａｔｅｔｈｅｔｕｎａｂｌｅｌａｓｅｒｏｕｔｐｕｔ,ｉｔｐｌａｙｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｒｏｌｅｉｎｌａｓｅｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［１～５］．ＩｔｉｓｗｅｌｌｋｎｏｗｎｔｈａｔｔｈｅｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆＯＰＯｄｅｐｅｎｄｓｏｎｔｈｅｑｕａｌｉｔｙｏｆｔｈｅｐｕｍｐｉｎｇｌａｓｅｒｂｅａｍ．ＴｈｅｓｔｉｍｕｌａｔｅｄＢｒｉｌｌｏｕｉｎｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ（ＳＢＳ）ｉｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｔｏ…     

BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明,ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用,ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ,分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ 的主要原因     

Optical Recording Performance of In_（47）Sb_（14）Te_（39）Phase Change Thin Films using 514．5nm Wavelength Laser Beam

ＯｐｔｉｃａｌＲｅｃｏｒｄｉｎｇＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＩｎ_（４７）Ｓｂ_（１４）Ｔｅ_（３９）ＰｈａｓｅＣｈａｎｇｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓｕｓｉｎｇ５１４．５ｎｍＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＬａｓｅｒＢｅａｍ￥ＭＥＮＬｉｑｉｕ；ＪＩＡＮＧＦｕｓｏｎｇ；ＧＡＮ?..     

Analytic Subject Index to Volume BS,(1996 )

ＡｎａｌｙｔｉｃＳｕｂｊｅｃｔＩｎｄｅｘｔｏＶｏｌｕｍｅＢＳ，（１９９６）ＬＡＳＥＲＤＥＶＩＣＥＳＰＵｌｓｅｗｉｄｔｈｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｍｏｄｅ－ｌｏｃｋｅｄＴｉ：ｓａｐｐｈｉｒｅｌａｓｅｒｗｉｔｈｒｉｎｇｃａａｖｉｔｙＫｅｒｒ－ｌｅ...     

Development of New Nephelometer with Diode Laser

ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＮｅｗＮｅｐｈｅｌｏｍｅｔｅｒｗｉｔｈＤｉｏｄｅＬａｓｅｒＦＡＮＳｈｉｆｕＳＵＮＺｈｅｎｄｏｎｇＺＨＡＯＹｕｃｈｕｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢｉｏｍｅｄｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ＆ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＩｎｓｔｒ．，Ｔｉａ...