欧姆电源逻辑无环流仿真分析及其运行

介绍了HL-2A装置欧姆加热电源逻辑无环流运行的基本原理和实现步骤。通过对系统的理论分析和仿真,提出了正组变流器逆变可靠运行的控制方案。对出现环流以后的控制策略进行了探讨,实验结果验证了分析的正确性。     

HL-2A装置欧姆击穿电源改造

HL-2A装置欧姆电源放电设计有两种方式：当装置放电正常、等离子体击穿电压较低时，按电流对称的逻辑无环流方式运行；而在装置刚开始投入运行，放电条件不好、等离子体击穿电压较高时，则采用非对称方式运行，即断开正向整流器组，充电控制欧姆击穿电源电容器组，串联反向整流器组对HL-2A装置欧姆变压器原边线圈放电。     

HT-7U等离子体位移快控电源设计

针对HT-7U装置等离子体位移快控电源大电流快速响应要求,提出了一种基于电流型变流器的快控电源(FCPS)设计新方案。该方案采用交-直-交拓扑结构,即网侧采用电流型PWP整流器设计。以获得稳定的直流电流及网侧单位功率因数正弦波电流控制;负载侧则采用电流型H桥逆变器设计以实现负载电流的快速跟踪控制。移相PWM控制策略在实现多组变流器并联运行的同时,提高了变流器的等效开关频率控制,从而改善了电流波形品质。模拟系统实验论证了方案的正确性。     

HL-2M 装置磁场电源逻辑保护系统

为了保障 HL-2M 装置磁场电源的供电安全，其逻辑保护系统设计了 4 级保护机制，分别在主机线 圈、电源变流器、整流变压器、交流开关柜设置保护检测器件，按保护等级确定逻辑保护策略。通过 HL-2M 装 置放电实验，验证了逻辑保护系统的可行性和稳定性。     

电感贮能的“开关-阻容”换流线路

本文研究了采用电感贮能作为环流-Ⅰ装置的欧姆加热电源。提出了“开关-容阻”换流线路,并对“开关-容阻”换流线路进行了分析。最后,结合环流-Ⅰ装置的欧姆加热要求进行了供电系统的方案计算。     

三电平大功率并联逆变电源在EAST系统中的应用

针对EAST超导托卡马克装置中的等离子体位移快控电源大电流快速响应的要求,采用三电平结合移相PWM多重化技术,实现多组变流器并联运行,提高了变流器的等效开关频率控制性能,从而改善了电流波形品质。分析了快控电源系统的设计方案和控制方法,并针对移相PWM多重化技术,采用Matlab进行了仿真,验证了设计思想。实验结果表明,该系统设计方案合理、控制策略有效,具备良好的大电流输出和快速响应能力。     

CRAFT超导磁体电源换流变压器短路阻抗设计

聚变堆主机关键系统综合研究设施（CRAFT）超导磁体电源兼具大电流稳态运行、高功率脉冲运行和瞬态故障抑制能力的需求。换流变压器的短路阻抗与超导磁体电源的特性密切相关。为了优化超导磁体电源的性能,基于交直流系统的参数和换流变压器的等效电路模型,研究了换流变压器短路阻抗与超导磁体电源的输出电压、谐波电流、短路故障电流和无功损耗的关系。短路阻抗越小,超导磁体电源的额定输出电压越高,无功损耗越小,这些特性对CRAFT超导磁体电源的性能有利,但是短路故障电流和谐波电流增加,影响电源的短路故障抑制能力和谐波特性。在CRAFT超导磁体电源换流变压器短路阻抗设计时,首先短路阻抗必须满足直流电源的额定输出电压和故障电流抑制能力,其次,由于CRAFT超导磁体电源是多相变流器,仅产生高次特征谐波电流,含量少便于抑制,因而尽量选择较小的短路阻抗。     

步进追频及恒振幅控制的超声电源设计

针对超声金属焊接过程中出现的负载变化导致谐振频率漂移和焊接振幅失恒问题,设计了一种基于步进追频及恒振幅控制的超声电源。在负载变化对谐振频率影响的研究基础上,根据FPGA-DDS步进追频原理设计了负载变化追频逻辑;结合全桥逆变电路的移相控制方式,研究了不同占空比下的最大输入电流与最大焊接振幅的关系,提出了基于输入电流反馈下的步进移相恒振幅控制方案;实验结果表明,负载变化追频逻辑实现了谐振频率快速变化下的动态实时追踪,解决了因频率失谐导致的焊接振幅非线性下降问题。同时,在加入了振幅闭环控制后,实现了焊接振幅相对极差稳定在10%以内。     

基于固态Marx叠加器的脉冲电流源设计

基于固态Marx叠加器结构, 提出了一种使用电感作为储能元件的新型电流源设计。为此改变了固态Marx叠加器的基本单元结构, 阐述了设计原理, 给出了控制方式, 并进行实验验证了其可行性。此电流源能够产生拥有良好平顶、快速上升沿和下降沿的窄电流脉冲, 且不受一定范围内变化的电阻负载的影响；同时本电源还具有控制方式简单、运行可靠等特点。     

纵场磁体电源变流器均流分析

在纵场磁体电源变流器均流特性分析中，通过对桥臂分段和提取支路分布参数矩阵的方法，建立了大功率变流器桥臂的等效电路模型，计算了各个支路电流和变流器的均流系数。通过变流器的仿真模拟得到了桥臂电流演化，模型的仿真结果与理论计算基本一致，其均流系数均小于1.2的工程设计目标。     

HT-7 装置回旋质谱探测器边界离子诊断

介绍了回旋质谱探测器的原理和设计及其在HT-7 装置欧姆放电下对边缘等离子体中离子的诊断实验。探测器安装在限制器附近, 通过一小孔引进等离子体; 设置的前置偏压使电子和离子分离, 并使离子减速; 进入腔体内部的离子在射频电场和平行磁场的作用下发生回旋共振; 通过考察收集的离子电流信号中的共振峰可得到离子的荷质比、回旋频率等参数。实验中观察到荷质比为1、0. 5、0. 3333、0 . 1819 的离子共振峰。     

等离子体中充入工作气体抑制电子逃逸行为分析

利用NaI闪烁体探测器组成的伽马射线探测系统和BF3 正比计数管、3He正比计数管和ZnS闪烁体探测器组成的中子探测系统,研究了欧姆放电平稳阶段充入工作气体后对逃逸电子产生过程的影响。实验结果表明：在欧姆放电平稳阶段充入工作气体严重影响了逃逸电子行为,充入的工作气体能有效抑制逃逸电子的产生。     

等离子体中充入工作气体抑制电子逃逸行为分析

利用NaI闪烁体探测器组成的伽马射线探测系统和BF₃正比计数管、³He正比计数管和ZnS闪烁体探测器组成的中子探测系统,研究了欧姆放电平稳阶段充入工作气体后对逃逸电子产生过程的影响.实验结果表明:在欧姆放电平稳阶段充入工作气体严重影响了逃逸电子行为,充入的工作气体能有效抑制逃逸电子的产生.     

CVD金刚石辐射探测器研制及性能测试

电学性质优异的金刚石膜是理想的辐射探测器材料,用自支撑金刚石膜研制了辐射探测器,进行了探测器的性能测试.探测器采用的是"叉指"状共面型电极结构,探测器的有效探测区面积为3mm×3mm,探测器的连接接口是L16电缆头.探测器暗电流与电压呈线性变化的关系,表明金属电极与金刚石基底之间是欧姆型电接触.当两电极之间的电场场强为30kV/cm时,探测器的暗电流仅约为0·1nA,探测器信号的上升时间为590ps,探测器的灵敏度约110mA/W,而且探测器有较好的剂量率线性特性.     

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

研究了GaN基p-i-n（p-AlGaN/i-GaN/n-GaN）结构紫外探测器的漏电机理．实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电．进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层．在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触,有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触．正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加． 关键词： GaN 紫外探测器 V形坑 反向漏电     

Ohmic Contacts to ZnSe-Based Materials

The formation of ohmic contacts to n- and p-type ZnSe is reviewed. The mechanisms for forming reasonable low-resistance ohmic contacts to n-ZnSe are well understood. This results from the fact that the Fermi energy level of ZnSe is unpinned and metals with sufficiently large work functions can make contact to n-type material. However, the situation is reversed for p-ZnSe where a large band gap and large electron affinity make it impossible to find metals with sufficiently large work functions to create an ohmic contact. Instead, the use of HgSe to form low barrier height Schottky contacts and of ZnSe/ZnTe multiple quantum wells (MQWs) to form ohmic contacts is reviewed. Although the MQWs can be used to form ohmic contacts to p-ZnSe, they degrade at high temperatures and high current densities. This is reviewed and shown to be a serious problem for applications to laser diodes.     

Strom-Spannungsabhängigkeit bei der Photoleitung in Isolatoren mit Störstellen und nachlieferndem Kontakt

The total current (photocurrent plus dark current) through an insulator with one ohmic contact is obtained. The insulator contains a single, discrete trap level and in addition fixed holes as recombination centers. From the total current, the photocurrent-voltage characteristic is derived. For shallow traps only, the photocurrent after an ohmic range, continuously turns into saturation. For deep traps only, however, below the threshold voltage for the onset of the space-charge-limited dark current, the photocurrent-voltage characteristic is considerably influenced by the rate of excitation by light. The superlinear rise of the photocurrent with voltage (at low rates of excitation) changes into a linear and furthermore into a sublinear rise with increasing rate of excitation. Near the threshold voltage the photocurrent passes through a maximum at very low rates of excitation because the deep traps are filled with electrons from the ohmic contact. The corresponding maximum gain may be by orders of magnitude greater than the saturation gain.     

SUNIST低环径比托卡马克的供电系统

介绍了SUNIST低环径比托卡马克的纵向场线圈、欧姆加热场线圈和平衡场线圈的电学参数。所用电容器组储能系统采用电容换流式准恒流充电回路。测量了这三组线圈中的放电电流,并将测量结果与回路计算结果作了比较。     

Structural and electrical properties of the α-form of metal-free phthalocyanine (α-H2Pc) semiconducting thin films

An X-ray structural study of thermally evaporated metal-free phthalocyanine thin films with various film thicknesses was performed. All samples studied had polycrystalline structure and the unit cell was found to be of the α-form. Variation of the deposition rate from 0.5 to 1 nm s⁻¹ had little effect on the structure. The films exhibit preferential orientation at low thickness; however, at higher thickness they become less orientated as additional peaks appear in the spectrum. The increase in the intensity of the first significant low angle peak with increasing thickness is attributed to the increased volume of the crystal probed during the X-ray exposure.The current density–voltage (J–V) characteristics of α-H₂Pc films sandwiched between two aluminum electrodes showed ohmic behavior at low voltages and space–charge-limited conduction (SCLC) at higher voltages. For comparison, similar measurements of the current density as a function of voltage were performed on zinc phthalocyanine, ZnPc, thin films using aluminum electrodes. The J–V characteristics showed ohmic behavior at low voltages followed by SCLC dominated by an exponential trap distribution at higher voltages. Consequently, in both H₂Pc and ZnPc films, aluminum electrodes act as if they are ohmic contacts. The implied provision of ohmic contacts using aluminum in this case is attributed to the formation of a thin Al₂O₃ layer during the deposition process.