声表面波器件用零温度系数基片材料

SAW器件要求具有低延时温度系数、高机电耦合系数和高传播特性的良好基片材料。迄今为止,还没有一种材料能满足上述要求,为此,人们进行了大量的努力来寻求解决。本文主要叙述具有零温度系数的LST一切石英、双旋转切LiNbO_3、63.6°Y一切LiTaO_3单晶新切型和几种层状结构基片材料的制法和性能。并列举了实验器件的特性。     

用于声表面波器件的压电陶瓷基片

<正> 用作声表面波(SAW)器件基片的材料有单晶、薄膜和压电陶瓷三种类型。这三种材料在特性、工艺、成本等方面瑕瑜互见、各有所长。就压电陶瓷材料来说,较其它两种材料更适宜大批生产,并有机电耦合系数高、价格便宜以及在垂直于极化轴的平面内呈各向同性而无需选择传播方向等优点。但     

声表面波器件基片金刚石薄膜厚度的测量

研究了声表面波器件(SAWD)基片金刚石膜的厚度测量方法。通过光切显微镜和扫描电镜(SEM)测量结果的比较，讨论了测量精度。在沉积制备多层薄膜SAWD基片中金刚石薄膜的实验过程中，选用光切显微镜测量膜厚，测量精度0．5～1．0μm。     

声表面波器件用高温稳定切型石英基片及其X定向计算

近年来国际上对SAW器件用石英晶体取向的研究极为活跃,出现了许多旨在改善SAW器件性能的新切型。F.Lewis于1981年发表了本文所介绍的石英取向。该取向突出的优点是在很宽的温度范围内,温度系数基本上接近零。因此,这种取向颇适于用来制作高稳定SAW振荡器。按照F.Lewis提出的取向方法,基片的主切割面和传输面的IRE切型符号分别为(xylt)-46°/116°和(zylw)-46°/116°。 本文系统地介绍了通过座标变换矩阵和二次旋转后基片的座标与晶体之间的关系,求出基片X光定向晶面的方法。阐述了基片主切割面与传输面X光定向数据全部计算过程与方法,最后提供了这种取向石英基片主切割面传输面两组四种不同位置的X光测角数据。     

用声表面波器件实现小波变换

根据声表面波器件的卷特性,对声表面波器件实现小波变换进行了理论推导,说明了用声表面波器件实现小波变换具有的可行性和优越性。根据这些理论设计的实例和模拟结果表明,用声表面波器件实现小波变换的方法具有快速、实用和与数字处理系统（借助A／D和D／A变换器）相兼容等优点,对小波变换的应用有重要价值。     

高频用的ZnO薄膜表面波器件

研究了表面波器件用的薄膜材料及其在甚高频-超高频带上的应用,结果证明ZnO薄膜是最佳的簿膜材料.这些薄膜是采用射频溅射法制作的.在这种情况下,形成在玻璃基片上的C轴取向的多晶膜,温度系数为15×10~(-6)/℃以下,可在300兆赫以下的频率范围内作成温度稳定性好的表面波器件.另一方面,在蓝宝石基片上外延生长的ZnO单晶膜的相速度是6,500—10,000米/秒,而这种速度在块状单晶体内是不能得到的,并且已证明这种膜能有效地使用到千兆赫频带以上的高频范围.本文着重叙述关于使用这些薄膜制作的甚高频-超高频频带的表面波带通滤波器、谐振器、振荡器等的工作特性与薄膜材料特性相比较的结果.     

用激光探针探测声表面波器件

本文介绍了一种简单的激光探针的原理,用这种激光探针测试了Y旋127.86°切-X传LiNbO_3晶片的声表面波速度,示出了测得的几种声表面波器件的声场分布。     

声表面波器件用的压电陶瓷材料

如果一种材料被认为适合于作声表面波(SAW)器件,则材料的技术性能就必须满足一些基本的要求.这就是在+20到+60℃温度范围内低的声速温度系数(TC<70×10~(-6)/℃)、能保持阻抗高于50欧的低介电常数(ε<300)、能提供高清晰度电极结构的光滑表面.本文叙述了研究假四元系统Pb(Cu_(1/4)Nb_(3/4))O_3-Ph(Ni_(1/4)Nb_(3/4))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3的三角晶相所得到的实验结果.Pb(Cu_(1/4)Nb_(3/4)_(0.067)(Li_(1/4))Nb_(3/4))_(0.023)Ti_(0.024)Zr_(0.67)O_3+0.5重量%MnO_2组成具有适合于SAW器件应用的最佳材料技术性能,其性能如下:耦合系数Kp=0.26介电常数ε=285机械品质因素Q=3600TC_ε=4.7×10~(-3)/℃TC_v=50×10~(-6)/℃老化速率V≤0.5×10~(-3)/+年ε≤2.2%/+年在这种组成的陶瓷基体上已经实现了电视中频(f_0=36兆赫)用的声表面波滤波器.与计算曲线相比较可知滤波器的通带、陷波的频率和斜率都很合适.只有陷波衰减和远端选择性在计算曲线和测量曲线之间有差别.     

声表面波器件

作为声表面波(SAW)技术的应用实例,本文描述了滤波器和信号处理器件的现状.文章特别提到,可将波控制在表面的电极构成法和微细加工技术的进步与SAW器件的发展背景密切相关,今后的目标之一就是期待SAW器件能以其模拟信号处理功能与数字器件并存发展.     

信号处理用的声表面波延迟线声光器件

哈里钻石实验室研制成了几种用于电信号处理的声光器件.这些器件采用相干光束与透明晶体延迟线中传播的声表面波之间的布喇格互作用.实现了信号的实时卷积和相关以及实时连续傅里叶交换.还演示了一个程序化存储相关器.这种器件采用新发现的光折射效应在铌酸锂延迟线中存储声表面波图象.正在积极研究三重积卷器中的声光互补.这种器件有可能与电荷耦合器件的线性调频-Z-变换摸式结合以实现很长的离散傅里叶变换和形成ω-k光束.     

声表面波和掠面体波器件用材料

随着声电子学的发展,无论在新型无线电信号处理固态器件的基础研究方面还是在其制作方面都已取得了显著的成就.此类器件仍有很大的潜力,这将取决于新材料的加工、更简便的压电晶体的生长方法、以及对已知压电晶体及各种层状结构中新取向的研究.     

用声表面波器件实现小波变换的研究

当声表面波叉指换能器的指条重叠包络按照小波函数的包络设计时,得到的声表面波叉指换能器脉冲响应函数等于小波函数,从而制造出了声表面波式小波变换器件。本文提出了利用两只声表面波式小波变换器件构造小波变换重构器件的新方法。对器件误差的来源作了分析,提出减小误差的方法。     

射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜

研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。     

声表面波器件用的表面安装封装管壳

主要阐述某种声表面波(SAW)器件用的表面安装型封装管壳的结构设计过程，以及适应大批量生产的工艺改进及创新。     

声表面波器件的工艺技术

本文讨论工艺技术,以声表面波器件用的微米和亚微米线宽的叉指电极为议题,概括了国外声表面波器件工艺技术的现状,从声表面波器件实际需要的角度分析了曝光系统、制版方法、实用光刻胶、多层掩模、无机光刻胶、干法刻蚀技术、铌酸锂的刻蚀技术及干法显影等问题,评述了发展声表面波器件的工艺技术途径。     

高频高性能声表面波器件

声表面波(SAW)器件是VHF-UHF频段中信息和传输系统的高性能关键器件.SAW器件用基片材料,包括压电常数和声速大的在蓝宝石上外延生长的ZnO单晶薄膜、温度稳定性好的石英和控制元件分散性实现高精度的SiO_2薄膜等.由于采用了三个换能器结构、抽指加权和假电极指等设计法,获得了高Q、低损耗、高稳定和高精度的SAW器件.这些器件和电路元件混合集成,可制成小型的滤波器、振荡器和FM解调器并应用于CATV、卫星广播、汽车电话和TV调谐器等方面.     

声表面波器件与标准

概述了我国声表面波技术的发展历程，指出在声表面波器件广泛应用的今天，完善、贯彻执行声表面波器件标准的重要性；介绍了我国声表面波器件标准化工作的进展和所取得的成绩，并依据贯彻国军标工作的实践，提出了今后有关标准化和产品研制、生产中的若干工作重点。     

声表面波器件的应用

近几年来,声表面波(简称SAW)器件在电子仪器中的应用越来越广。该元件的特点是能够实现过去的无源器件所得不到的电性能。此外,还有体积小、重量轻、可靠性高、制造工艺与集成电路的工艺相似、很适于批量生产等特点。彩色电视接收机用的声表面波器件最充分地利用了这些特点。东芝公司走在世界的前列,成功地使这种滤波器实用化,并就其它各种声表面波器件继续进行开发研究。本文报告了有关东芝已开发的SAW器件的概况。     

声表面波器件的历史

本论文对雷利波或声表面波（SAW）在及其在电子学中应用的器件的发展进行了历史的综述,声表面波最初由于脉冲压缩雷达的需要而产生、发展,从1965年起,并随着平面叉指换能器的产生而有了现实应用,传感的确定使大量的各种各样的器件得到发展。无源SAW器件如今已无所不在。其应用包括从专业雷达、通信系统到消费领域。如：电视、寻呼机和移动电话。本论文广阔叙述了有关SAW在晶体介质中的传播研究,特别是1970年以来的研究,包括压电耦合衍射和温度效应,这使得人们发现了几种合适的材料,同时许多器件开始发展,包括脉冲压缩滤波器、带通滤波器、谐振器、振荡器、卷积器及用于展宽频谱的滤波器,在20世纪70年代,其中的许多器件在专业体系中发展确立,其中SAW带通滤波器已成为民用电视的标准元件。在20世纪80年代和90年代,SAW迎合了低损耗滤波器的要求,特别是对于手机。随着900MHz左右的射频要求2dB损耗的要求（后来已经实现）,大量新的技术产生了。此外,为了减少频宽器件积,采用了特殊的技术,以生产中频滤波器。这些器件已被大量生产。为了满足此种需要,新品种的表面滤特别是横向漏波被研究出来,此外使用这种波的材料现在已经独立于传统材料而拥有自己的位置。     

声表面波器件与标准

概述了我国声表面波技术的发展历程，指出在声表面波器件广泛应用的今天，完善、贯彻执行声表面波器件标准的重要性；介绍了我国声表面波器件标准化工作的进展和所得的成绩，并依据贯彻国军标工作的实践，提出了今后有关标准化产产品研制、产生中的若干工作重点。