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硫铝酸钙-氧化钙-硫酸钙复合膨胀剂是目前应用较为广泛的混凝土膨胀剂,氧化镁膨胀剂是新型混凝土膨胀剂.本文着重介绍了这两种混凝土膨胀剂在不同水化条件下的产物种类、形貌和特性的研究现状,并在此基础上提出在膨胀剂作用机理方面未来的研究方向. 相似文献
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使用具有微弱自身水硬性的转炉钢渣制备了"无熟料"胶凝材料,改变早期水化环境,并通过压汞法和扫描电子显微镜测试了长龄期(10年)后钢渣体系硬化浆体的孔结构和微观形貌,研究了早期高温强碱环境对于钢渣长龄期水化的影响.结果显示:早期高温强碱环境对钢渣体系的后期孔结构产生不利影响;早期高温强碱环境并不影响凝胶产物的种类,产物都... 相似文献
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通过扫描电镜研究了不同龄期的乙烯-醋酸乙烯酯(ethylene-vinyl acetate,EVA)和乙烯-氯乙烯-月桂酸乙烯酯(ethylene/vinyl chloride/vinyl laurate,E/VC/VL)两种可再分散乳胶粉改性水泥浆体和砂浆中Ca(OH)2的形貌变化.结果表明:硬化EVA胶粉和硬化E/VC/VL胶粉改性水泥砂浆中的CH存在特殊"厚六方板状"形貌特征,这一现象的出现证实了两种胶粉对水泥水化进程的延迟效应并为可再分散乳胶粉延迟水泥水化进程的研究提供了新的思路. 相似文献
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利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验.针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光压力、抛光液流量、抛光盘转速、抛光液浓度,氧化剂质量分数)对硬盘NiP基板抛光去除速率的影响规律,并结合抛光机理对其进行了分析.试验分析表明,抛光压力为0.2 MPa,抛光液流量为500 mL/min,抛光盘转速为50 r/min,磨料质量分数为20%,氧化剂体积分数为0.3%时,可以得到较高的抛光速率,为740 nm/min. 相似文献
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原子力显微镜在液相条件下的成像分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究利用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)分别对Al2O3纳米模板、云母片及数字光盘在固相及液相务件下进行形貌扫描和云母片上的力 - 距离曲线测量.实验结果分析表明液相条件可以降低针尖的展宽效应,使得形貌成像更能够显示出物体的细微结构.在液相条件下,由于样品表面消除了静电效应和液体的阻滞力结果,力 - 距离曲线显示了较好的力均一性.这些结果为AFM实验技术研究生理条件下的生物样品的形态学及生物分子之间的相互作用力提供了实验可行性. 相似文献
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依据铝的电化学腐蚀特性,阐明了碱性条件下铝化学机械抛光(CMP)的机理。由于铝的硬度较低,在抛光过程中容易产生微划伤等缺陷,因此首先探索出适宜铝化学机械抛光的低压条件(4 psi,1 psi=6.895 kPa)。此外,提出两步抛光的方法,在抛光初期采用压力4 psi,抛光液由质量分数为40%的纳米级硅溶胶与去离子水(DIW)以体积比1∶1配制,氧化剂(H2O2)体积分数为1.5%,FA/O I型表面活性剂体积分数为1%,调节FA/OⅡ型螯合剂pH值为11.0,获得了较高的铝去除速率(341 nm/min)。在抛光后期采用低压1.45 psi,抛光液主要成分为体积分数5%的FA/O表面活性剂,并在较大体积流量(300 mL/min)的条件下进行抛光,充分利用表面活性剂的作用,对实验方案进行优化。采用优化后的实验方案,铝表面的划伤和缺陷显著减少。 相似文献
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利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,并且在磨料质量分数低于5%时钴的去除速率为20~30 nm/min,而铜的去除速率几乎为零;加入FA/O螯合剂可增强其与金属离子的络合,从而加快铜和钴的去除速率;非离子表面活性剂可以有效降低铜和钴的表面粗糙度。在抛光液各组分的协同作用下,可以达到两种材料的低表面粗糙度和高去除速率选择性。 相似文献
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超宽带(Ultra Wide-Band,UWB)系统发射信号的带宽在一个非常大的频段范围内,易与已存在的窄带无线通信系统的带宽形成重叠。因此,有必要研究UWB系统在频段重合范围内的抗干扰能力。文中首先分析了直接扩频超宽带系统在最小均方误差准则检测方式下,RAKE接收机的比特误码率(Bit Error Rate,BERl,然后研究了普通窄带系统的功率谱密度,最后做出了仿真分析。结果表明,在CM1信道传播下,窄带干扰对UWB系统不会造成很大影响,而在CM2信道传播下会照成一定影响,必须通过其他通信手段如信道编码来降低BER,实现通信的可靠性。 相似文献
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该文分析了多载波超宽带(MB-OFDM UWB)系统在脉冲干扰、宽带干扰和部分频带干扰条件下的误码性能,并对此进行了详细研究,得出了MB-OFDM UWB系统在不同超宽带信道环境下对抗信道噪声和干扰的不同性能,通过实时仿真发现窄带干扰对系统的影响更大,结合超宽带工作特性,如何解决系统抗窄带干扰变得意义重大. 相似文献
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该文研究了化学机械抛光(CMP)条件下,锗单晶在含HNO3的SiO2抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间,分析锗单晶表面状态的变化规律。结果表明,在SiO2抛光液pH值为1~2时,SiO2抛光液中存在 Si—OH和 Si—O-形式;锗单晶先与HNO3反应生成Ge(NO3)4,而后Ge4+的含氧酸盐会剧烈水解生成Ge—OH,Ge—OH 继续反应并以Ge—OH2+形式存在。由于表面电荷的吸引,Si—O-和Ge—OH2+在锗单晶表面生成Si—O—Ge软化层,从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。抛光时间为15~20 min时,机械抛光和侵蚀的法向速度处于平衡状态,CMP抛光后锗单晶表面粗糙度Sa≤0.8 nm,10倍显微镜下无划痕、麻点。 相似文献
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在VHF移动信道中不同条件下BCH码的纠错性能研究 总被引:7,自引:1,他引:6
本文在文献[7]基础上研究了采用分组BCH码加交错技术抗衰落的性能。模拟了:BCH(63 39 4)码、BCH(127 78 7)码和BCH(127 64 10)码在交错与非交错两种不同情况下,融载波调制方式分别为FSK300bits/s、DPSK1200bits/s、QPSK2400bits/s和8PSK 4800bits/s,不同车速分别为:40km/h和100km/h时的纠错性能。 相似文献