离子注入半导体的辐照损伤

光束、电子束、离子束等新型微细加工技术,使半导体集成电路制造工艺的加工尺度提高到了亚微米甚至更高的水平．作为离子束加工的一个分支,把离子注入技术应用到半导体器件的掺杂工艺,是优于常规热扩散掺杂法的一种新工艺．它是用高能杂质离子强行入射到半导体晶片中,所以掺杂过程就伴有晶格损伤的产生．这些损伤直接影响半导体器件的电性能,因此人们对损伤的产生、观测及其消除情况颇为关心．目前,国际上对这一课题的研?...     

离子注入法制备非晶态合金

非晶态金属具有特异的结构［１］和性能［２］,当前已引起材料科学技术工作者的广泛兴趣．非晶态金属的形成和稳定性的研究是凝聚态物理学的一个重要方面．至今制备非晶金属的方法有气相沉积法（冷却速率１０１５Ｋ／ｓｅｃ）,液态急冷法（冷却速率１０～６－１０～９Ｋ／ｓｅｃ）和激光上釉法（冷却速率１０９Ｋ／ｓｅｃ）．这些方法的一个共同特点是将特定成分的气相或液相的金属合金急速的冷却,使原气相或液相物?...     

基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征

通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料，研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影 响.Raman光谱研究发现，575cm^-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所 致，退火样品528cm^-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明，退 火对高剂量注入样品的可见发光带有增强作用. 关键词： ZnMnO 离子注入 Raman光谱 室温光致发光     

离子注入技术

这是对半导体材料掺杂的一种新技术,“新科学家”1969年2月(New Scientist,Vol.41,No.635,p.282-4)报导,这种技术对半导体器件的制造越来越重要,通常,半导体掺质都是采用在高温下扩散的方法,离子注入技术作为一种辅助方法,有许多的优点,它容易控制可以有较多的变化,它的掺杂截面的界限比较分明。     

离子注入冶金学

目前,冶金学家们已经能够把周期表中任何一种元素注入到任意金属表面了。虽然注入层很薄(通常还不到1μ),却具有潜在的经济价值,而且对于金属的基础研究也有着十分重要的意义。离子注入技术就是先将离子加速,然后把它注入到固体中,通过电量多少的测量来控制注入剂量,调节离子能量的大小来控制注入深度,从而得到不同组分的新材料。     

离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析

对离子注入法制备的u-,n-和p-GaN∶Er三种类型的薄膜样品进行了Raman光谱分析。Er+注入GaN样品后新出现了293,362和670 cm-1等波数的Raman峰,其中293 cm-1处的Raman峰被指认为无序激活的Raman散射(DARS),362 cm-1和670 cm-1处的Raman峰可能与离子注入后形成的GaN晶格缺陷有关。上述GaN∶Er样品在800℃退火前后的E₂(high)特征峰均向高频方向移动,表明薄膜晶格中均存在着压应力。采用洛伦兹拟合分析了Raman光谱中组成A₁(LO)模式峰的未耦合LO模与等离子体激元耦合模LPP+在不同样品中的出现情况,定性指出了GaN∶Er系列样品中载流子浓度的变化规律。     

意法半导体公司推出近距离光学传感器

正意法半导体公司推出新款高精度光学测距(range-finding)模块。新产品基于Flight-Sense TM飞行时间测量技术(Time-of-Flight technology),为设计人员提供优异的测距功能。Flight Sense TM技术是通过测定光线被目标物体反射回来所用的时间提供精确的距离数据。而传统传感器只能报告反射信号强度,无法提供准确的距离。与传统红外测距传感器相比,意法半导体的Flight Sense TM技术具有独特优势,包括测量距离更远(测距与目标物体的反射率无直接关系),帧速率(frame rate)更高,功耗更低。     

金属中的离子注入

一、前言离子注入工艺是把要注入的杂质元素电离成离子．然后通过磁分析器分析和加速器加速,得到较纯的离子,并以很快的速度,将这种离子打入固体靶内,以达到改变固体表面的物理化学性能．这种注入工艺早在五十年代就已进行了大量的研究．当时的研究以金属为主。主要是进行原子相互作用的物理探索,模拟反应堆材料的辐照损伤效应．在六十年代初·人们已经知道半导体材料的电学性质,可以由辐照损伤和射入快速离子而产生变化?...     

多晶的离子注入

§1 前言 电致发光元件的研究,直到现在还没有达到当初所期望的较大的进展,特别是对于Ⅱ—Ⅳ族化合场ZnS的EL进行了深入的研究,但在应用上还存在亮度,寿命等问题。ZnS系半导体作为可见发光材料,具有很多物理和化学特征,并且容易偏离化学比,所以不用说发光的理论研究,就是在说明是否发光的单纯现象方面,也是非常困难的。电致发光元件的分类有几种,按电压可分为直流EL和交流EL。交流EL本质是激发和发光过程间有半周期的延迟,更确切地说是指steinberger等人的学说所表示的现象,为方便起见,我们认为它是指加交流电压时发光的场合。     

干涉法测量半导体激光频率漂移实验

半导体激光在外调制时将产生频率漂移，将这种调制激光引入Michelson干涉仪，从强度调制和频率调制双重假设出发导出光强干涉方程，通过测量干涉项的相位噪声确定频率漂移值并对实验结果与过程作探讨.     

直接扣除法测量半导体光放大器频率响应

在光电子器件散射参量定义的基础上建立了基于直接扣除法的半导体光放大器频率响应测量系统,测量中通过扣除激光器和探测器系统的频率响应,得到放大器固有的频率响应。对InGaAsP体材料行波腔半导体光放大器样品进行了测量,得到了放大器在不同注入光功率和不同偏置电流下的频率响应曲线。这些曲线很好地反应了半导体光放大器的增益饱和和噪声特性,进一步分析发现半导体光放大器对低频调制信号的放大能力弱于对高频信号的放大能力,分析认为其原因在于半导体光放大器的载流子寿命有限导致低频信号长时间消耗载流子时,载流子数量无法及时恢复,从而使得增益降低。     

离子注入法形成的LiTaO3平板光波导的特性分析

用能量为２．８ＭｅＶ、剂量为１．４×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２的Ｈｅ＋在室温（３００Ｋ）下注入到晶体材料ＬｉＴａＯ３中，形成了离子注入平板光波导。用棱镜耦合法观察和测量了ＬｉＴａＯ３波导导模的分布，并对退火前后的ＬｉＴａＯ３波导的折射率分布进行了计算和比较。利用背散射／沟道技术分析了由于Ｈｅ＋的注入而引起的波导表面的损伤。     

GaAs中的离子注入技术

在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术．对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解；该离子注入新工艺已经应用于ＧａＡｓ器件和集成电路的研制，获得了多种新型器件． Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si+, S+, Be+, Mg+, B+, O+ have been investigated in this paper.     

视线离子注入温度效应

离子束材料表面改性有着许多优点，不仅注入离子可以任意选取，且注入或添加元素时样品的温度不受限制。在离子注入过程中，温升效应主要来自于入射离子的能量传递，其作用对化合物的形成、增强混合和增强扩散有着显著效果，促进化合物形成和相析出，在材料表面强化处理方面有着独特的意义。     

离子注入材料表面改性

离子注入技术在半导体工业中已成为重要的加工技术,离子注入金属材料表面改性也开始走向实用阶段．对这项技术人们又提出了两种新的方法,第一种叫ＩＶＤ方法（ｉｏｎａｎｄｖａｐｏｕｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）,第二种叫离子束缝合法（ｉｏｎｂｅａｍｂｏｎｄｉｎｇ）．这就开拓了离子注入技术的一些新的应用领域,如磁泡材料、光学材料、超导材料和高分子材料等．下面作一简单介绍．一、两种新的离子注入方法１．ＩＶＤ方法?...     

离子注入GaN的光致发光

在GaN中注入了35种元素。测量了它们的光致发光光谱并与未注入样品做比较。多数的杂质在2.15ev处有发光峰。Mg,Zn,Cd,As,Hg和Ag有更特征的发光。Zn是最有效的复合中心。在损伤退火处理过程中产生一组带中态。     

高能离子注入及其应用

本文介绍了高能离子（Ｍｅｖ／ａｍｕ）与固体相互作用的特点，综述了近几年来高能离子注入技术在制备多层结构晶体管、减少载流子寿命、材料表面改性及增强薄膜与基体粘着力等方面的研究概况．     

半导体束缚激子基态能的变尺度法

提出了计算体系基态能的变尺度法，用该算法计算了电子和空穴有效质 量比值不同时，离子化施主束缚激子（D+，X）的基态能. 在求解体系基态能上与传统的变分法相比有很大的优势，尤其适合复杂体系基态能的计算. 关键词： 束缚激子 氦原子 基态能 变尺度方法     

半导体材料的区域提纯及区域匀平法

半导体材料是制造半导体器件的先行,也是开展对半导体的科学研究所必不可少的。制备高纯度的結构完整的半导体材料在半导体学的发展史上起了特別重要的意义。我們知道,极微量的杂貭和缺陷对半导体材料导电性能有决定性的作用,它可以使半导体材料具有适合一定器件的要求的性质,也可使半导体变为毫无用处的废物。半导体材料要求的純度是极高的,对制备晶体管用的锗、硅材料来說,通常要在8个9(純度为