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用L-B膜方法在SnO2电极上修饰了不同链长烷氧基取代的酞菁锌化合物(ZnPc CnH2n+1,n=3,9,12,16),分别研究了它们单分子膜成膜性能和转移性能,并测定了修饰在SnO2电极上的单多层分子膜的光电性能和吸收光谱。研究结果指出链短的取代基即异丙氧基取代的酞菁锌(ZnPcC3H7(i))具有较高的转移比及较好的光电性能。 相似文献
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共吸附对卟啉、酞菁/二氧化钛复合电极光电特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
制备了ZnTSSP/TiO2、GaTSPC/TiO2和共吸附ZnTSSP、GaTSPc/TiO2电极,并研究了它们的光电特性.结果表明,共吸附的ZnTSSP、GaTSPc/TiO2电极不仅拓宽了光电响应范围,而且提高了光电转换效率,特别是提高了GaTSPc的光电转换效率.其原因可能是GaTSPc的聚集体没有敏化作用,而卟啉和酞菁分子与TiO2共吸附可以减少GaTSPc的聚集,有效地增强了GaTSPc的敏化能力 相似文献
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非对称八烷氧基取代酞菁聚硅氧烷的合成及其单分子膜 总被引:1,自引:1,他引:0
非对称八烷氧基取代酞菁聚硅氧烷的合成及其单分子膜穆劲,夏强,华玉晶,周伟东,肖童(山东大学胶体与界面化学研究所,济南,250100)关键词酞菁聚硅氧烷,LB膜,π-A曲线酞菁化合物是具有高稳定性的大π键共轭体系。目前,酞菁LB膜研究大多采用单体小分子... 相似文献
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油溶非对称取代酞菁铜的合成、表征及LB膜 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以邻苯二甲酰亚胺为原料,合成了两种新的非对称取代酞菁铜配合物:4-(对羧基苯氧基)-三-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(Ⅳ)和4-(邻氨基苯氧基)-三-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(Ⅴ)。并经元素分析、红外光谱、核磁共振谱、质谱、顺磁共振谱及紫外光谱,对其结构进行了表征。两种配合物都易溶于二氯甲烷、氯仿和甲苯等有机溶剂,不溶于水。配合物的氯仿溶液能在水面上展开形成单分子膜。π-A曲线测定表明,配合物在亚相液面(水)上,随着表面压力的增大,膜面积连续不停地减少,有明显的“气”“固”变化过程,表明配合物能形成较好的LB膜。分子在膜中主要以倾斜的方式排列。以Z型累积方式沉积于金制梳状电极上的LB膜能导电,属于半导体材料,碘掺杂可改善膜的电导。膜电极的气敏特性研究发现,配合物对氨气有专一的气敏特性,氨气浓度为33ppm时即有响应,且灵敏度高。 相似文献
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本文合成了一种新型的两亲性酞菁分子,研究了它在不同溶剂中的聚集行为,考察了酞菁及酞菁与正十六烷混合的成膜性能,制备了混合的多层LB膜,并利用紫外光谱研究LB膜内的分子聚集状况,用分子激子理论对实验结果加以分析,还应用偏振紫外的方法对LB膜内酞菁分子大环的取向进行了确定。 相似文献
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酞菁化合物有序聚集体已成为材料化学中的研究热点[1,2],在酞菁分子中引入冠醚会大大改善酞菁化合物的气敏性,在提高响应速度和重复性的同时,其响应温度可降到室温[3,4].研究冠醚酞菁气敏性质的通常方法是将其制成浇铸膜[4],这种膜是无序的.膜中分子的... 相似文献
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用MINDO/3方法洋细研究了取代基对α-氨基乙腈热消除反应的影响. 研究表明, 对于孤立分子的气相反应, 给电子基使活化势垒降低, 吸电子基使活化势垒上升; 而对OH~-催化下的反应, 给电子基和吸电子基均使活化势垒上升. 相似文献
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使用匀胶机(spincoater),通过溶液铸膜的方法,在铝箔基板上制备出具有不同厚度的聚3羟基丁酸酯(PHB)薄膜.20℃室温条件下,通过衰减全反射傅立叶红外光谱(ATRFTIR)原位观测了不同厚度薄膜的结晶过程,并通过偏光ATRFTIR对薄膜中PHB分子的取向进行了研究.ATRFTIR原位观测结果显示,PHB在薄膜中的结晶速率以及结晶度均随着薄膜厚度的减小而逐渐降低;同时,偏光ATRFTIR测试结果表明,随膜厚减小,薄膜中结晶部分的PHB分子逐渐倾向于沿垂直于基板表面方向取向,膜越薄,倾向越明显.可以认为,PHB分子与基板间的相互作用以及扩散控制结晶导致了上述现象的产生. 相似文献
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Co(III)离子在二氧化铅电极上的阳极形成 总被引:2,自引:1,他引:2
文献上曾报导过Co(Ⅱ)离子具有加速PbO_2电极上氧阳极析出过程的作用,并表明当Co(Ⅱ)离子存在时,氧的析出过程有可能通过表面吸附的高价钴氧化物氧化水分子而形成.本文通过浓硫酸溶液中Co(Ⅱ)阳极氧化为Co(Ⅲ)以及O_2阳极析出动力学的研究,表明了O_2的析出和Co(Ⅲ)的形成是通过吸附在电极表面的高价钴(Ⅳ)的OH 基配合物分别氧化水分子和Co(Ⅱ)离子形成的,它与Cr(Ⅲ)、Mn(Ⅱ)离子的阳极氧化过程相类似,而不是通过Co(Ⅱ)离子直接放电形成的.本文利用文献所述的研究方法.在固定硫酸浓度(3.4mol·kg~(-1))下,研究CoSO_4浓度(0.05—0.35mol·drn~(-3))对于O_2和Co(Ⅲ)阳极形成过程分别的影响.在固定CoSO_4(0.2mol· 相似文献