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相似文献
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1.
溶胶-凝胶法制备SrBi2Ta2O9铁电陶瓷薄膜  相似文献   

2.
溶胶-凝胶法制备纳米Pb(Zr0.52Ti0.48)O3   总被引:2,自引:0,他引:2  
溶胶-凝胶法;纳米晶;溶胶-凝胶法制备纳米Pb(Zr0.52Ti0.48)O3  相似文献   

3.
溶胶-凝胶法制备高取向Bi4Ti3O12/SrTiO3(100)薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
Bi4Ti3O12具有良好的铁电、电光等性能山、特别是Bi4Ti3O12薄膜很适合作永久性存储材料,也可用于电光器件问.在微电子学、光电子学、集成光学、集成铁电学等领域均有广泛开发和应用前景,国外已用溅射法、激光沉积法制备出c轴取向Bi。Ti3Ol。薄膜【’,\山东大学用MOCVD法制  相似文献   

4.
采用可溶性无机盐Sr(NO3)2,Bi(NO3)3及HTaF6为原料,以柠檬酸、乙二醇及乙二胺四乙酸(EDTA)为络合剂,利用溶胶-凝胶旋转涂覆工艺,分别在Al2O3和Pt/Ti/SiO2/Si的衬底上制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电陶瓷薄膜.采用SEM,XRD及FTIR等微观分析手段,对制备的SBT溶胶与薄膜过程机理进行了实验研究.结果表明,由无机盐溶液原料络合合成SBT溶胶是此方法制膜的关键,其中络合剂的种类、用量和pH值的控制等是重要的影响因素.制备了相组成均一、薄膜表面致密、均匀、无开裂、晶粒尺寸为150nm的多晶膜,获得了剩余极化(2Pr)与矫顽电场强度(2Ec)分别为9.6μC/cm2与76kV/cm铁电性能较好的薄膜材料.  相似文献   

5.
用醋酸钇溶解于甲氧基乙醇的溶胶 凝胶法制备了Y2 O3光波导薄膜。通过二乙烯三胺的络合作用 ,获得了均匀和稳定的前驱液 ,并用浸渍提拉法得到了薄膜。差热分析、红外吸收光谱被用来表征Y2 O3凝胶和粉末。用XRD、扫描电子显微镜、m线法和波导荧光光谱法研究了Y2 O3光波导薄膜的结构和光波导性质。结果表明 ,Y2 O3薄膜对于光活性掺杂是一种很好的基质材料 ,预示Y2 O3薄膜在光电子方面具有巨大的应用前景。  相似文献   

6.
通过溶胶-凝胶工艺, 采用两步加热法在聚酰亚胺表面制备了具有c轴取向的ZnO薄膜. 通过差式扫描量热-热重分析(DSC-TGA)得出最佳的前热处理温度和后热处理温度分别为300和390 ℃. 通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体取向和表面形貌进行了分析, 描述了ZnO薄膜在聚酰亚胺上的生长过程. 拉伸实验结果表明, ZnO薄膜与聚酰亚胺衬底有较强的附着力.  相似文献   

7.
溶胶-凝胶法制备α-Fe2O3纳米晶   总被引:7,自引:0,他引:7  
牛新书  徐荭 《应用化学》2000,17(6):611-614
钛酸四丁酯;十二烷基磺酸钠;溶胶-凝胶法制备α-Fe2O3纳米晶  相似文献   

8.
首次将溶胶-凝胶法用于制备Al2O3-PLOT毛细管色谱柱.采用正硅酸乙酯、稀盐酸以及氧化铝的乙醇悬浮液组成的溶胶体系,高压动态法涂敷石英毛细管,然后通过高温凝胶反应固定Al2O3涂层,再用无机盐溶液淋洗灭活得到成品.考察制备过程的重复性,表明溶胶-凝胶法制备Al2O3-PLOT色谱柱简单易行,重复性好;对色谱柱性能进行评价,18组分C1 ~C5烃类标准气完全基线分离,环丙烷和丙烯的分离度为1.55 ~1.65,甲烷和正丁烷保留时间变化范围分别小于0.5%和1%,色谱柱的耐温性和稳定性显著提高.  相似文献   

9.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)过程和旋涂法制备了Zn-Sn-O系统薄膜。通过对干凝胶的热重-差示扫描同步热分析(TG-DSC),研究了干凝胶在烧结过程中的反应历程。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描电镜(FE-SEM)以及紫外-可见透过率(UV-Vis)等表征了烧结后薄膜的晶相、晶格缺陷、微观形貌以及紫外-可见光透过率。本文还研究了烧结温度、N2气氛热处理以及组成变化对薄膜电阻率的影响,结果表明:偏锡酸锌ZnSnO3晶体薄膜具有较低的电阻率;当nZn/(nZn+nSn)=50.3at%时,薄膜的电阻率达极小值,约为8.0×102Ω.cm。偏锡酸锌ZnSnO3晶体的导电机理研究表明:晶格中间隙阳离子含量的增加有利于薄膜电阻率的降低,而氧空位的形成则使其电阻率升高。薄膜的紫外-可见光透过率(UV-Vis)表明:偏锡酸锌ZnSnO3晶体薄膜在400~900 nm的可见光波段透过率可达80%以上。  相似文献   

10.
溶胶-凝胶法制备薄膜型TiO2光催化剂   总被引:26,自引:0,他引:26  
用TiCl4作原料,通过溶胶-凝胶法在单晶硅基片上制备了TiO2纳米薄膜,并用XRD,AES,XPS以及紫外反射光谱等手段,对TiO2薄膜的结构进行了研究.结果发现,TiO2薄膜以锐钛矿型晶相存在.TiO2薄膜层与硅衬底间无明显的界面扩散反应.掺杂的Pd在还原前的薄膜中以氧化态存在,还原后则以高分散的金属态存在.掺杂的Pt在还原前后均以金属态存在,但还原后产生颗粒聚集.掺杂Pd的TiO2薄膜经还原后,其紫外吸收强度明显提高,主吸收峰发生红移.  相似文献   

11.
以无机盐为水解原料,用溶胶 凝胶法制备了透明、稳定的前驱液,加入适量的成膜物质聚乙烯醇后,用浸渍拉提法在石英玻璃表面得到均匀的溶胶膜,经过室温干燥和低温处理的薄膜再于一定的温度下烧结,得到了红光发射掺铕的氧化钇薄膜.通过X射线衍射对膜的结构进行表征,表明在600℃时就开始了晶化,在900℃时形成单相Y2O3晶体.激发光谱和发射光谱显示,在220nm和260nm之间有很宽的激发峰,最强峰在236nm处,而发射主峰在614nm处,是一种很好的红光发射薄膜材料.  相似文献   

12.
真空蒸镀的非晶态MoO3薄膜在H+/碳酸丙烯酯溶液中进行电致变色时,其拉曼光谱发生相应变化,继续阳极退色时,其拉曼光谱又退回到初始状态,表明了薄膜的微结构在着色/退色循环中能发生可逆变化。阴极着色时,Mo-O(1)峰向左移动,Mo=O(3)峰向右移动,而Mo-O(2)峰保持不动。根据拉曼峰位移与键强度的关系,我们还可以得出着色过程中注入的氢离子与O(1)结合在一起的结论。  相似文献   

13.
基于密度泛函理论(DFT), 采用平面波赝势(PWP)以及广义梯度近似(GGA)方法, 对可见光响应的光催化剂K4Ce2Ta10O30、K4Ce2Nb10O30及其固溶体进行电子结构的第一性原理计算. 结果表明, 光催化剂K4Ce2Ta10O30和K4Ce2Nb10O30的导带分别主要由Ta 5d和Nb 4d组成, 处于高能级的电子未占据态的Ce 4f与其有很明显的重迭, 但由于其高度局域特性,不能很好地参与光生电子在导带中的传导, 从而对光催化活性的贡献很小;而其价带则由O 2p与Ta 5d (Nb 4d)的杂化轨道组成, 同时电子占据态的Ce 4f对价带也有一定的贡献, 各个电子轨道对能带结构的贡献决定了该系列可见光响应光催化剂的物理化学和光催化特性. 固溶体系列中随着Nb含量的增加, 其吸收光谱依次红移, 带隙变窄, 导带底变低, 光生电子的还原能力降低. 在固溶体K4Ce2Ta10-xNbxO30(x=2, 5, 8)中, 由于Ce 4f轨道对价带顶的贡献相对较小, 固溶体的价带顶低于K4Ce2Ta10O30、K4Ce2Nb10O30的价带顶, 光生空穴的氧化能力相对较强. 该系列光催化剂的电子结构分析结果与光催化水分解的活性实验结果有很好的一致性.  相似文献   

14.
采用等离子体激活的化学气相淀积装置系统,以钇的β-二酮类螯合物(Y(DPM)_3)为源物质,于低温低压等离子体条件下,在单晶硅、兰宝石和石英玻璃衬底上生长了Y_2O_3薄膜。对生长层进行形貌观察、表面组成分析、X-射线衍射结构分析和光学性能测试。结果表明,淀积层形貌和结构与衬底性质有关。Y_2O_3生长层与单晶硅和兰宝石衬底存在确定的外延关系,在无定形石英玻璃衬底上的生长层则是附着良好的非晶态膜。  相似文献   

15.
Trigonal-prismatic Nb6-Units in Compounds of the Type A3[Nb6SBr17] (A = Tl, K, Cs) The new compounds A3[Nb6SBr17] (A = Tl, K, Cs) were synthesized and their lattice parameters were calculated from indexed X-ray powder patterns. An intensity measurement based on a single-crystal of Tl3[Nb6SBr17] was performed with an automatic four-circle diffractometer (a = 1704.9(1) pm, b = 1862.8(3) pm, c = 932.51(7) pm; β = 90.747(7)°, Vm = 445.9(3) cm3/mol; C2/c, Z = 4). The structure refinement confirmed consistency with the Rb3[Nb6SBr17] structure, found previously. The comparison of both structures yielded no significant differences concerning the distances within the sulfur-centered Nb6S cluster core. Extended Hückel calculations revealed a maximum of the niobium–niobium overlap populations for (the actual present number of) 14 electrons occupying metal–metal bonding states.  相似文献   

16.
Density functional theory calculations at the Becke3LYP level have been performed to study structural isomers of borane adducts of Cp2M(H) (M=Nb, Ta). Results of calculations show that O- and N-substituted borane adducts can have various structural isomers including boryl, hydridoborate and σ-complex structures. H-, alkyl- and Cl-substituted borane adducts are found to adopt hydridoborate structures. The structural feature is closely related to how the electron-deficient boron center is electronically saturated.  相似文献   

17.
18.
In this work Bi(SbxNbyTaz)O4 (x + y + z = 1) samples are prepared using mixed-oxide method. A pseudo-ternary phase diagram of Bi(Sb,Nb,Ta)O4 system is given below the melting point. It is composed of a monoclinic phase region, an orthorhombic phase region and a monoclinic–orthorhombic co-existing phase region. In the orthorhombic phase region, the transformation from orthorhombic to triclinic phase is found to be sensitive to the composition and sintering temperature. Both the transformation from monoclinic to orthorhombic structure and the transformation from orthorhombic to triclinic structure have been studied by the cell parameters.  相似文献   

19.
This paper describes the thermal behaviour of various oxides of pentavalent V and Nb or Ta in different dynamic hydrogen atmospheres. Previous studies of the phases obtained by heating mixtures of V2O5 and M2O5 (M=Nb, Ta) in air lead to (i) preparation of VTaO5 from both oxides for the first time, (ii) proof of the existence of the solid-solutions VM m O5/2(m+1), and (iii) proof that the materials described as NbVO5 and β-TaVO5 are really mixtures of VM9O25 and V2O5. Reduction of VMO5 gives monophasic rutile-type VMO4 from 650°C. Reduction VM2O7.5, V3M17O50 and VM9O25 at 1000°C leads to monophase non-stoichiometric VaM2?aOy only forM=Nb.  相似文献   

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