TEOS—O3常压CVD膜形成技术

一、前言随着器件的高集成化，绝缘膜平坦化便成了更为重要的课题。因此，人们正广泛讨论替代原来SiH4－O2常压CVD法的TEOS－O3常压CVD法。其主要原因是TEOS－O3常压CVD膜具有极其良好的台阶覆盖性。尽管如此，TEOS－O3常压CVD膜在特性上尚有诸多探讨之处。本文就TEOS－O3常压CVD股特性，以我们所掌握的数据资料为基础加以论述。二、关于NSG膜NSG膜具有自平坦性。这一点是TEOS－O3常压CVD成膜技术的最大特点。为此，用简单的工艺便可获得平坦的绝缘膜。同时，它是代表今后CVD工艺方向的新技术。1．含杂质问题采用TE…     

H2O—TEOS等离子CVD膜形成中添加NH3的效果

一、前言 LSI的超高集成化正加速地发展，由于布线微细化、多层化、越来越要求层间绝缘膜平坦代技术．即称之谓用无空隙绝缘股充填狭窄布线间的间隙的“间隙充填”技术日趋重要．为此，最近正十分活跃地研制在成膜时所具有的流动性层间绝缘膜。人们很早知道可用玻璃旋转徐敦法（SOG：SpinonGlass）及常压O3－TEOSCVD法制作具有此流动性的层间绝缘股．但是，其各自缺点是；SOG法吸湿性及热处理时脱气性强，而O3－TEOSCVD法对底股的依赖性强。最近，日本的谷村先生报道了具有流动性、且又不依赖于底膜的层间绝缘膜制作方法——H2O…     

TEOS减压CVD膜形成中的加水效果

一、前言近年来，在各种各样的股形成工序中，底摸台阶一直在逐渐增大。例如，在DRAM中，随着微细化而作为电容电极的存储结（SN），相对于社底表面方向（横向）被缩小，但是，为了确保静电电容，在与衬底垂直方向（纵向）上必须形成三维的SN而借以补偿电容面积，作为三维式的SN形状，目前虽然有深为道式和圆筒式等等，但无论那一种，随着微细化的进展，其台阶将变得越来越陡峭。在川电极工序之前的层间绝缘膜很成过程中，必须有使台阶平坦化的技术，但对电容器膜等，在台阶的某底膜处如何能够均匀地进行成膜（亦即保形），这是一个技术…     

TEOS—O3常压CVD膜形成中的醇类添加效果

一、前言随着LSI图形尺寸的微细化，对于层间绝缘股来说，不仅仅是绝缘特性，就是对具有微细且具有高纵横尺寸比的沟槽、或者是布线间无间隙填充等均要满足一定的几何学尺寸要求。为此，形成硅氧化膜的CVD材料，目前正在广泛地研究采用一种覆盖性较为优良的TEOS[tetraethoxysilane：（C2H5O）4Si]材料替代以往所使用的硅烷系材料。本刊在1993年第1期中虽刊出《层间绝缘膜形成技术》专集，但重点介绍的是作为涟源而采用TEOS，利用其覆盖形状的优良性而使之发展的实验情况。其中，以TEOS－O2作原料的常压CVD法由于下述几种理由：诸…     

H2O—TEOS等离子CVD技术

一、前言大规模集成电路铝布线间层间绝缘膜平坦化技术原来大多采用SOG法。但此法存在许多问题。目前正在开发台阶保形性和回流流动性好的新CVD法。SOG膜有无机SOG股和有机SOG膜两种。其中无机SOG膜的膜收缩率大，所以难于做到厚膜化，即使为了制得300nm左右厚的膜，也必须多层涂敷。而有机SOG膜可达到厚膜化，但残存在膜中的有机基在氧等离子体或高温氧气氛下，会引起急剧氧化·分解。通常，SOG膜与其它CVD膜相比较，吸湿性非常强；当其被曝露在大气中时，便成了水份的吸收源。由于水份吸收而造成的脱气，以及处理不良而造成的…     

TEOS等离子CVD膜形成中加氟气体的效果

一、前言用LSI多层布线技术的器件表面台阶形状越来越趋于复杂化、高纵横尺寸比化。因此，面对层间绝缘膜的要求，如何消除高纵横尺寸比布线间的掩埋和布线台阶问题，一年比一年要求严格，而使网复杂的层间绝缘膜成膜。本义介绍的内容就是上述的掩埋工艺技术。以往，人们都使用具有叠层结构的工艺，而这种叠层结构是由等离子TEOS／SOG／等离子TEOS或者等离于TEOS／臭氧TEOS／等离子TEOS等组合而成的。但是，到了亚微米时代，即使用以上那样的工艺亦可得到布线间的优良的膜质，而且能防止产生间隙，么是一个难题。由于间隙的存在…     

TEOS—O3系常压CVD技术

一、前言目前，LSI随着器件结构的微细化，运用多层布线技术的器件结构的多层化得到进一步发展。由于这种器件结构复杂，对用绝缘收掩埋在圆片上所形成的高纵横尺寸比台阶这一平坦化技术的要求也就越来越严。近年来，作为解决这一问题的最有效伯措施则是采用TEOS[四乙氛基硅炼Si（OC2H5）4]的CVD技术采取代以往采用的硅院（SiH4）．特别引人注目的是，TEOS和嗅氧（O3）采用常压CVD法而形成的氧化股，具有良好的台阶复盖性。此外，用这种方法所形成的BPSG膜与硅烷系相比，台阶复盖性也优越，所以成为人们研讨的热门课题。本文介…     

采用常温CVD法淀积形成多层布线层间绝缘膜

一、前言VLSI必须采用多层布线技术。特别是在逻辑系列器件中，布线层数现已达到4层以上，这就要求布线更加微细、更加可靠。要解决应力迁移和电子迁移的问题。对于应力迁移最大问题是要降低层间绝缘膜生成后的残留应力和由于热循环而产生的热应力。本文介绍在以往难以采用的低温，特别是在常温下也能形成良好的SiO2系绝缘膜的常温CVD法以及在层间绝缘膜上的应用。二、以往的CVD技术以往，层间绝缘膜是采用等离子CVD法、光CVD法等淀积而成。但要得到优质的SiO2膜，衬底温度至少要达到300℃左右。近年来，已在广泛研讨采用有机硅化物…     

CVD金刚石膜制备方法及其应用

介绍了金刚石膜的应用和低压下化学汽相沉积金刚石膜的主要方法及其最新进展,并对各种方法的优缺点作了简要评述。     

直接光CVD SiO2膜的沉积动力学

讨论了     

用于新型亚微米存储器间隙充填和平面化的低温亚压CVD（SACVD）USG／PSG工艺

一、引言为美国应用材料公司技术资料，由华晶公司MOS事业部提供译稿。石松审校？BPSG（硼磷硅玻璃）膜作为多晶硅化物栅连线与第一金属层之间的介质绝缘层，在半导体工业中已得到广泛的应用。另外，由于BPSG膜具有熔融流特性，在制作第一层金属层前，使多晶硅化物平坦化，还可作为一个移动离子吸杂源等。尽管用硅烷做反应气体淀积BPSG膜的应用已有十几年的历史，但是，近几年来，用有机液态源，例如TEOS、TMP和TMB淀积BPSG膜，以其卓越的间隙充填能力而受到关注。这些薄膜可用LPCVD、PECVD和SACVD方法，通过O3的参与反应…     

有机源CVD法综述—兼作本专辑前言

本辑是采用有税源的化学汽相淀积（CVD）技术专辑，而有机源尤指四乙氧基硅烷Si（OC2H5）4——tetraethoxysilane，缩写简称TEOS。采用TEOS的CVD技术有TEOS－O3系常压CVD技术，TEOS－O3系等离子CVD技术，TEOS－H2O系LPCAD（低压CVD）技术，偏压ECR（电子回旋共振）CVD技术……。这些新的CVD技术的开发旨在解决深亚微米（＜0．5um）的成膜质量、台阶复盖性及平坦化问题。由于大规模集成电路的不断高集成化、加工微细化、多层布线及结构三维化，使得各和股的台阶高差增大、刻蚀条的深度饭度纵横尺寸比也越来越大，因而…     

TEOS-H_2O等离子CVD新技术

介绍了用正硅酸乙酯和水混合物进行等离子体增强化学汽相淀积制备氧化硅膜的原理和工艺, 对膜质量进行了分析和讨论     

TEOS—O2—BPSG PECVD膜成形技术

一、前言随着大规模集成电路的发展。PMD（Pre—Metal－Depation）介质膜的制备显得越来越重要。它对金属布线，电路的可靠性，成品率有极大影响，以前，国内普通采用St巳一OZ法制备BPSG它的缺点在于B、P含量控制难，均匀性不好，易成气相反应，颗粒较多，且台阶覆盖性不好．而     

低温形成栅介质膜电特性的容—压法分析

采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结果表明，制备出的栅介质膜性质优良。     

定向金刚石膜的合成及机理探索

采用热丝化学汽相淀积 (CVD) ,未用别的辅助措施 ,合成了 (10 0 )晶面的金刚石膜。结合CVD金刚石成核的微观过程 ,探讨了定向金刚石膜的形成机理。发现和研究了表面扩散对CVD金刚石成核的重要影响。     

φ50mm 3C-SiC薄膜的CVD生长及其特性研究

首次报道了在Si衬底采用化学汽相沉积(CVD)技术生长出直径达φ50mm的大面积优质3C-SiC薄膜,表面光亮如镜.作者利用X-射线衍射、傅里叶红外变换吸收谱、X-射线光电子能谱和霍耳测量等对薄膜进行了表征.并在利用所长3C-SiC/Si外延片研制肖特基势垒二极管和GaN基薄膜上取得理想结果.     

采用O3—TEOS—BPSG膜和三步RF偏压溅射法形成的平坦化技术

一、前言伴随64MDRAM及256MDRAM和LSI的高速化，元件的微细化和复杂化程度日益提高。然而，元件微细化的横向尺寸下降，而纵向尺寸却没下降。结果，器件表面凸凹愈来愈严重。当在如此凸凹严重的表面上形成电路图形时，光刻工序中就会产生曝光焦点错位、腐蚀工序中会在台阶侧壁处产生“残留腐蚀”（或叫“腐蚀残留”）。为了解决这些问题，术要寻求平坦地形成层间绝缘膜技术。人们已经开发了多种平坦化技术，如：SOG（SpinonGlass：玻璃旋转涂敷法）法、有机膜涂数法、近腐蚀法、回流法、优质覆盖CVD法，与溅射相结合的偏压CVD法等…     

热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析

主要介绍热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）多晶硅薄膜时，系统、温度和氧沾污对膜层质量的影响。