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《人工晶体学报》2014,(2)
<正>中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员牛智川课题组近年来深入系统地研究了In(Ga)As量子点、量子环、纳米线中量子点、纳米线中量子环的自组织外延生长、液滴外延生长方法。最近,课题组查国伟、喻颖等在研究中发现:通过优化GaAs纳米线侧壁淀积Ga液滴成核温度与晶化条件等参数,可以生长出密度与形貌可控量子点、量子环等新奇量子结构,首次发现单根纳米线侧壁形成单个"方形"量子环且具有高品质发光特性。(Nanoscale,10.1039(2013))。他们进一步生长了GaAs/AlGaAs纳米线中的GaAs量子点,以及置于AlGaAs量子环中心并覆盖AlGaAs 相似文献
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《人工晶体学报》2014,(2)
<正>中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中,在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》(Nanoscale)上,并被选为"热点论文"(Hot Article)。二维半导体材料拥有独特的物理性质,可以应用于不同的技术领域,因此成为了纳米交叉学科的研究热点。石墨烯是目前研究最为广泛的二维材料,但由于其带隙为零,限制了它在许多领域中的应用。作为石墨烯的类似物,具有半导体带隙的金属硫化物备受关注。这些二维半导体材料的光电器件具有优越的性能,并 相似文献
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《人工晶体学报》2014,(10)
<正>近年来,微纳米科学技术发展迅速,在产业化方面已经取得了不少进展。然而,实现高密度、规模化微纳米结构的批量操纵是实现芯片器件极具挑战性的关键因素之一。众所周知,利用光镊技术可以实现单个的微纳米结构操纵,然而大面积阵列的操纵是耗时的。实现芯片内高密度、规模化一维微纳米阵列特定对准取向制造是器件集成至关重要的挑战。氧化锌(ZnO)作为一维微纳米结构家族中最出色的一员,是一种直接宽带隙(3.3 eV)半导体,其激子束缚能为60 meV。它可应用于激光发射单元,场发射晶体管,光子探测器和发电机。氧化锌微纳米结构在室温下可以用作高效稳定的激子紫外(UV)辐射材料。直到现在,有少量的研 相似文献
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