硅基多孔氧化铝模板非水电沉积CdS纳米线的研究

纳米材料,包括尺寸为纳米量级的超细微粒?线?薄膜?量子阱和超晶格等引起了人们广泛的重视 [1,2] ?其中 , 半导体纳米微粒和由其构成的纳米固体结构开辟了材料科学研究的新领域?硫化镉 (CdS) 作为一种重要的Ⅱ - Ⅵ族无机半导体材料 , 具有独特的光电性质 , 在光电化学电池和多相光催化反应中都有广泛应用?近年来 , 已有大量关于合成 CdS 纳米结构的文献报导 [3～12] , 所采用的方法如反胶束法?单分子膜法?自组装法以及电化学沉积法等 , 其中非水电解与模板技术相结合的制备方法引起了人们高度的重视并且被广泛的采用?自从 Baranski 等在上…     

多孔阳极氧化铝膜的制备研究

在直流恒压下,在不同的酸性溶液中对铝片实施两步阳极氧化制备多孔氧化铝膜,在磷酸溶液中制得的模板孔径大,并且电解时间缩短,加快了制备模板的过程。同时利用阳极氧化初期电流密度的变化,分析了多孔氧化铝膜的形成机理。     

硅基多孔氧化铝膜的AES多层结构分析和生长过程研究

将电子束蒸发在硅衬底（Ｐ型，〈１００〉晶向，０－５ Ω·ｃｍ） 上厚度４００ ｎｍ 、纯度９９－９９ ％的铝膜，浸入具有中等溶解能力的１５ ｗｔ％ Ｈ２ＳＯ４ 中，ＤＣ恒压６０ Ｖ、恒温０ ℃条件下，进行多孔型过度阳极氧化处理，从而在Ｓｉ 基上得到包含空隙层的多孔氧化铝膜．通过对样品ＴＥＭ 平面形貌、ＳＥＭ 横断面形貌观察以及ＡＥＳ深度剖析，研究了样品的多层结构，并初步讨论了由此揭示出的硅基多孔氧化铝膜的生长过程     

嵌入硅基多孔氧化铝中的荧光染料的发光性质研究

3种不同的荧光染料被分别嵌入硅基多孔氧化铝模板中,并且在室温下得到了蓝光、绿光和红光波长的荧光发射.实验中同时观测到上述荧光光谱的蓝移现象.研究结果表明,荧光染料沉积在不同的模板(如硅基多孔氧化铝、多孔硅)中,其相互作用的机理是不同的.模板发光机制的差异将直接影响荧光染料的发光性质.     

多孔氧化铝有序膜的制备研究

本文用阳极氧化法分别在硫酸和草酸电解液中成功制备出高度有序、具有纳米级孔洞的氧化铝有序阵列模板。采用饱和HgCl₂去除Al基体后,得到典型六方形结构的多孔Al₂O₃有序膜。通过改变氧化电压、氧化时间等条件使模板的孔径、孔深可调、膜厚度可控,并系统研究了对模板有序性、孔径、膜厚度等的影响因素,总结出制备Al₂O₃有序膜的最佳工艺。     

高多孔度多孔硅自支撑膜的制备与表征

发光多孔硅由于在光电子学方面的应用前景而引起人们极大的关注[1]．最近多孔硅发光二极管的研究方面取得了重大进展[2]。但是，有关多孔硅的发光机制仍然存在着争论[1，3，4]，利由于消除了单晶硅衬底的影响，对脱离了硅衬底的多孔硅自支撑膜能够进行普通多孔硅所不能进行的一     

二次阳极氧化方法制备有序多孔氧化铝膜

通过二次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜与一次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜孔排布规律性的对比,结果发现,二次阳极氧化方法制取的多孔氧化铝膜孔排布规律性明显好于一次阳极氧化法制取的多孔膜.在几个微米范围内,孔呈理想的六角排布.去除一次阳极氧化膜后,二次阳极氧化得以在更良好的表面进行,制取的氧化铝膜孔规律性和有序度更高.有序区域的尺寸与晶粒内的亚晶大小有一定关系.     

铜包覆多孔硅基材料p-Si@Cu(x)的制备与性能

在球形SiO_2颗粒表面包覆适量的CuO,经还原得到铜包覆的多孔硅复合材料[p-Si@Cu(x)].利用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和比表面积分析等手段对样品的组成、物相结构、微观形貌和孔结构进行分析,并初步研究了材料的循环性能和倍率性能.结果表明,铜包覆量x=0.05时,在100 mA/g电流密度下,样品的首次放电容量为3596.9 mA·h/g,首次充电容量为2590.7 mA·h/g,首次库仑效率为72.03%;在1C倍率下可逆容量为1004.9 mA·h/g,0.1C倍率下循环100周后的可逆容量仍为1706.5mA·h/g,容量保持率为76.1%.     

硅基多孔氧化铝膜的整体发光及其化学修饰

利用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积了500nm厚的铝膜，分别在硫酸、磷酸和 草酸中通过阳极氧化技基多孔氧化铝模板通过透射电镜（TEM）观测了形貌，并测 定了它们的光致发光光谱（PL）．结果表明利用不同的酸性质得到的多孔氧化铝模 板的发光现象是不完全相同的．基于这种思路，采用了其它的酸性电解质磺基水杨 酸或在酸性电解质中预先加人有机荧光物质罗丹明6G，得到了不同发光特性的硅基 多孔氧化铝膜．结合过去的理论，对上述荧光光谱的来源以及变化进行了讨论．多 孔氧化铝的发光一般都来自于与氧空位有关的缺陷态F~+，但它的复合过程会受到 体系中质能级或其它发光物质的影响．来自电解质中的物质在阳极氧化的过程中会 参与氧化铝膜的形成，进而改变氧化铝膜的成分，并影响其发光过程．     

担载多孔Al2O3膜的制备和表征

研究了溶胶—凝胶法在多孔陶瓷载体上制备多孔Al_2O_3膜的工艺条件,发现在孔径为1.1～1.6μm的多孔陶瓷载体上必须经过多次重复浸渍—干燥—焙烧过程,才能制备出担载均匀的多孔A1_2O_3膜,不过对溶胶和多孔陶瓷载体进行适当的化学改性后,能够减少重复以上过程的次数。用BET法和透气实验对Al_O_3膜的孔径大小和透气性能进行了表征。     

Preparation of Porous Alumina Film on Aluminum Substrate by Anodization in Oxalic Acid

Self-ordering of the cell arrangement of the anodic porous alumina was preared in oxalic acid solution at a constant porential of 40V and a temperature of 20℃. The honeycomb structure made by one step anodization method and two step anodization method is different. Pores in the alumina film prepared by two step anodization method were more ordered than those by one step anodization method.     

多孔阳极氧化铝模板电化学法去阻挡层的研究

提出了一种通过电解去多孔阳极氧化铝(PAA)模板阻挡层的新方法. 用电化学方法研究了去阻挡层的影响因素, 用扫描电镜表征了模板的形貌, 在去阻挡层的PAA模板中化学沉积了普鲁士蓝. 循环伏安测试表明, PAA作阴极在氯化钾溶液中电解一段时间后, 在-0.4 V(vs Ag/AgCl)处出现铝的氧化峰, 普鲁士蓝修饰的PAA电极呈现两对可逆的氧化还原峰. 温度升高、电位降低, 碱生成速率增加, 去阻挡层的时间缩短. 在278 K和－1.8 V时, 电解900 s可去除PAA的阻挡层而不出现扩孔、连孔现象. 通过控制合适的温度、电位和时间, 电解可以去除PAA的阻挡层而不影响模板形貌.     

介孔氧化硅膜在多孔陶瓷载体上的组装

采用过滤成膜方式结合溶剂挥发诱导自组装方法在多孔氧化铝中空纤维上制备了介孔氧化硅膜。XRD、TEM和N₂吸附脱附实验结果显示非担载膜具有有序的六方介孔结构。通过对中空纤维担载膜的XRD分析进一步确认介孔氧化硅膜的形成。SEM和EDS线扫描结果显示制备的担载膜表面完整、无缺陷,膜层和载体界面之间结合紧密。在此基础上对介孔膜在多孔陶瓷载体上的形成机理进行了探讨。     

TiO2微粒功能化多孔Al2O3膜的光电化学研究

用恒电位法制备了多孔Al2O3薄膜,通过在Al2O3薄膜孔内水蒸汽水解钛酸异丙酯生成了锐钛矿型TiO2微粒,制备出了Al2O3与TiO2微粒的复合薄膜．用XRD,SEM,光电化学方法进行了研究．实验表明：该复合薄膜具有光电转换特性,在光催化、光电化学太阳能转换中具有应用价值．     

多孔硅的制备与光伏特性研究

采用特制的电解池在不同条件下制备了一系列多孔硅样品。通过测定其ＳＰＳ发现，多孔硅的ＳＰＳ特征带同单晶硅相比有明显蓝移，并且随制备条件不同，蓝移效应也不同。电解质中ＨＦ浓度和电解时间对基ＳＰＳ响应有明显影响，这一现象的出现主要归因于最子线阵的生成。     

担载多孔Al_2O_3膜的制备

研究了溶胶－凝胶法在多孔陶瓷载体上制备多孔Ａｌ２Ｏ３膜的工艺条件。发现在孔直径为１．１和１．６ｕｍ的多孔陶瓷载体上必须经过多次重复浸渍干燥－焙烧过程，才能制备出担载均匀的多孔Ａｌ２Ｏ３膜。对溶胶和多孔陶瓷载体进行适当的化学改性后，能够减少浸渍－干燥－焙烧过程重复的次数。对Ａｌ２Ｏ３膜的孔径大小和透气性能进行了表征。     

担载多孔Al2O3

研究了溶胶－凝胶法在多孔陶瓷载体上制备多孔Ａｌ２Ｏ３膜的工艺条件，发现在孔直径为１．１和１．６μｍ的多孔陶瓷载体上必须经过多次重复浸渍－干燥－焙烧过程，才能制备出担载均匀的多孔Ａｌ２Ｏ３膜，对溶胶和多孔陶瓷载体进行适当的化学改性后，能够减少浸渍－干燥－焙烧过程重复的次数，对Ａｌ２Ｏ３膜的孔径大小和透气性能进行了表征。     

Anomalous Emission And Carrier Effect of Fresh Porous Silicon

IntroductionThe study of luminescent silicon material[1] ,especially porous silicon( PS) ,has received muchattention owing to its potential application ininformation technology. Many models have beenproposed to explain their photoluminescnece andelectroluminescence[1— 11] . Three of the mostpopular models are the quantum confinement[1,2 ] ,surface trapping[3 ,4] ,and oxygen related chemicalspecies formation[5,6] .It has been suggested thatsurface chemical reaction plays an importantrole info…