聚离子复合物单分子膜的聚集结构研究

LB膜在非线性光学材料、生物传感器等众多领域有着诱人的应用前景,受到了广泛的关注.为了充分发挥LB 膜的功能,必须制备高度取向、无缺陷的LB 膜,因此充分把握LB膜的构成单元单分子膜的聚集结构显得十分重要.由于气液界面离子复合结构的形成对单分子膜的聚集结构产生很大的影响,近年,有关这方面的工作越来越活跃.本文以探讨     

新型两亲性酞菁锌LB膜的研究

本文合成了一种新型的两亲性酞菁分子,研究了它在不同溶剂中的聚集行为,考察了酞菁及酞菁与正十六烷混合的成膜性能,制备了混合的多层LB膜,并利用紫外光谱研究LB膜内的分子聚集状况,用分子激子理论对实验结果加以分析,还应用偏振紫外的方法对LB膜内酞菁分子大环的取向进行了确定。     

10,12-双炔甘三酸镉盐LB膜的FT-IR光谱

近年来,由于LB膜在功能器件中(如光电子器件,微型电池、低维半导体、热释电探测器等)显示出了令人兴奋的应用前景,因此有越来越多的人致力于LB膜的研究工作.其中对LB膜的成膜质量的评价,特别是LB膜的分子取向问题,是一个非常引人关注的问题.此外,对于碳原子数大于20,熔点小于45℃的系列双炔酸(R—C≡C—C≡C—R′)可以利用LB技术制备多层膜.这类LB膜在紫外光或电子束的作用下可以迅速发生聚合.利     

磷脂酸Langmuir-Blodgett膜分子结构的原子力显微术研究——分子排列有序性,分子间氢键作用,超分子结构以及晶格结构转变

利用原子力显微镜(AFM)研究了二棕榈酰磷脂酸(DPPA)的单层,双层和三层Langmuir-Blodgett膜的分子排列结构,发现相邻的(2～6个)DPPA分子的极性头磷酸基团通过分子间氢键形成局域超分子结构.分子分辨的AFM图象表明,DP-PA LB膜中分子排列具有长程的取向和位置有序.DPPA分子的晶格排列随着LB膜层数的增加由单层和双层的六方晶格转变成三层的正交(四方)晶格.探讨了不同的pH下的DPPA极性头磷酸基团的分子间氢键作用及其对膜分子有序排列以及云母基片对DPPALB膜中分子排列的晶格结构的影响.     

四硫富瓦烯衍生物/硬脂酸LB膜的表征

研究了四（苄硫基）四硫富瓦烯／硬脂酸（TBT－TTF／SA）（1：1）LB膜、二（亚乙二硫基）四硫富瓦烯／硬脂酸（BEDT－TTF／SA）（1：1）LB膜和四（十六烷硫基）四硫富瓦烯／硬脂酸（THT－TTF／SA）（1：1）LB膜的结构．从X射线衍射结果得到了LB膜的层间距离．X射线衍射图显示了TBT－TTF／SALB膜和BEDT－TTF／SALB膜的层间结构由硬脂酸控制．从偏振红外结果计算出硬脂酸和四硫富瓦烯衍生物在LB膜中的取向角．根据分子取向角确定了LB膜的层间结构．用分子长度和分子取向角得到的层间距离与从X射线衍射得到的层间距离相吻合．     

用原子力显微镜研究磷脂酸Langmuir-Blodgett双层膜中超分子结构

用原子力显微镜研究了二棕榈酰磷脂酸(DPPA)双层LB膜的分子排列结构,发现DPPA双层膜的分子排列具有长程的位置和取向有序,为有序六方结构;同时,在DPPA双层膜的极性区磷酸基团间存在局域超分子结构.     

四(十六烷硫基)四硫富瓦烯/硬脂酸混合LB膜的结构研究

我们考察了四(十六烷硫基)四硫富瓦烯/硬脂酸(THT-TTF:SA=1:n)在气一液界面的聚集状态及在LB膜中的排列.当n=1时,THT-TTF分子在气-液界面形成了双分子膜;当n>6时,THT-TTF分子形成了单分子膜;1相似文献   

硬脂酸Langmuir Blodgett膜的FTIR研究

本文首次测得3—11层硬脂酸LB膜的FTIR-T光谱与测得的1—11层LB膜FTIR-ATR光谱对照表明, 透射技术简便易行, 两种技术研究LB脂结构, 可以起到相互补充的作用, 对于复杂体系LB膜, 两种方法对应的谱带强度比是获得分子片断取向的重要手段。     

酞菁铜化合物LB膜的制备及结构形态研究

利用LB技术研究了带有4个长碳氢链的酞菁铜化合物(CuC12Pc)的单分子膜及它与十八胺(ODA)、二十酸(AA)的混合LB膜的聚集结构形态. 结果表明这种酞菁铜化合物在气液界面上可以形成比较稳定有序的双层Langmuir膜, 且可以转移质量较好的多层LB膜. 利用原子力显微镜(AFM)研究了酞菁铜分子的聚集体结构, 发现CuC12Pc/AA混合膜表现为网状的聚集结构, 而CuC12Pc/ODA混合膜形成长岛颗粒状聚集, 并结合UV-Vis吸收光谱讨论了酞菁铜分子形成不同聚集结构的原因.     

2-十八烷基-7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷和3,3′,5,5′-四甲基联苯胺电荷转移配合物LB膜的制备和表征

利用LB技术制备了2-十八烷基-7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷(C18TCNQ)和3,3,′5,5′-四甲基联苯胺(TMB)的电荷转移配合物(CT comp lex)薄膜,即TMB.C18TCNQ LB膜.利用红外(IR)光谱、紫外-可见-近红外(UV-V is-NIR)光谱以及原子力显微镜(AFM)研究了TMB.C18TCNQ在LB膜中的分子取向、结构及表面形貌.结果表明,配合物为混合堆积类型,LB膜中电子给体TMB和电子受体C18TCNQ的环面分别垂直于固体基板表面,而且给体和受体以面对面的方式堆积.5层TMB.C18TCNQ LB膜的AFM照片显示,其表面形貌是由许多堆积在一起的六边形片状微晶组成的,微晶的宽度约为180 nm.与通过LB技术和掺杂技术制备的TMB.C18TCNQ掺杂膜比较,TMB.C18TCNQ LB膜具有明显不同的结构,其长的脂肪烃链有向垂直于基板表面方向变化的趋势,LB膜与掺杂膜的表面形貌也有明显不同.这表明不同的制备方法可以影响薄膜的结构和形貌.     

camoo4薄膜的恒电位阳极氧化法制备及表征

camoo4薄膜;恒电位;阳极氧化; 制备;表征     

基片温度对LiCoO2薄膜结构与电化学性能的影响

采用射频(RF)磁控溅射技术制备了用于全固态薄膜锂电池的非晶态和多晶LiCoO2阴极薄膜,利用XRD和SEM研究了沉积温度对LiCoO2薄膜结构和形貌的影响,并研究了高温退火后薄膜的电化学性能.研究结果表明,随著基片温度的不同,薄膜成分、表面形貌以及电化学行为有明显差异.室温沉积的薄膜很难消除薄膜中Li2CO3的影响,经过高温退火处理后也无法形成有效的多晶LiCoO2薄膜,而150℃沉积的薄膜经过高温退火后形成了有利于锂离子嵌入的多晶LiCoO2结构,薄膜显示出了较好的电化学性能.     

射频等离子沉积聚硅氧烷薄膜的XPS研究

用CVD方法在一台射频放电等离子体聚合实验装置内成功地制备了沉积聚酯薄膜基底有机聚硅氧烷薄膜.该薄膜在有原子氧模拟实验装置内具有抗原子氧剥蚀的良好性能,对航天器等材料表面起到防护作用.有机聚硅氧烷薄膜与等离子体沉积时氧的泄露量有关,且沉积密度经AFM检测有较大的差异.并用XPS较详细考察了不同工艺制备的聚硅氧烷官能团构成和表面状态,以期得到优良的防剥蚀膜.     

锂离子电池锡薄膜负极制备及电化学性能研究

应用真空蒸发法在泡沫铜基底上制备锡薄膜负极.XRD、SEM分析表征薄膜的物相结构及其微观形貌,并测试了材料的电化学性能.结果表明,泡沫铜基底的三维结构增强了活性物质与基底的结合力.在同一基底温度下,锡颗粒随蒸发时间延长逐渐增大,电池电化学性能降低;而在同一时间内,升高基底温度,颗粒无明显变化,电池循环寿命有了很大提高.样品A″电池(基底温度:200℃,蒸发时间:0.5 h)经100次充放电循环后比容量仍达407.3 mAh·g-1.     

氧化铑电致变色薄膜的制备、结构及性能

采用溶胶_凝胶方法在ITO导电基底上制备氧化铑电致变色薄膜 .当在碱性溶液中对薄膜分别施加阴极和阳极电位时 ,薄膜即呈现由亮黄到深绿的可逆变化 .采用原位XRD、TG_DTA、IR、XPS等方法对薄膜的结晶态、热处理过程以及膜的化学组成进行分析 .应用交流阻抗法计算了薄膜变色过程的扩散系数 ,结果表明该膜基本可以用于变色器件     

溶胶-凝胶法在聚酰亚胺衬底上制备c轴取向ZnO薄膜

通过溶胶-凝胶工艺, 采用两步加热法在聚酰亚胺表面制备了具有c轴取向的ZnO薄膜. 通过差式扫描量热-热重分析(DSC-TGA)得出最佳的前热处理温度和后热处理温度分别为300和390 ℃. 通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体取向和表面形貌进行了分析, 描述了ZnO薄膜在聚酰亚胺上的生长过程. 拉伸实验结果表明, ZnO薄膜与聚酰亚胺衬底有较强的附着力.     

Characterization of CuInS2 Thin Films with Different Cu/In Ratio

Thin films of CuInS₂ were grown on glass substrate by successive ionic layer adsorption and reaction method with different [Cu]/[In] ratios and annealed at 400 °C for 30 min. The crystal structure and grain sizes of the thin films were characterized by X-ray diffraction method. Atomic force microscopy was used to determine surface morphology of the films. Optical and electrical properties of these films were investigated as a function of [Cu]/[In]ratios. The electrical resistivity of CuInS₂ of thin films was determined using a direct current-two probe method in the temperature range of 300—470 K. It is observed that, the electrical resistivity values show a big decreasing with increasing [Cu]/[In] ratio. Hence, the [Cu]/[In] ratio in the solution can drastically affect the structural, electrical, and optical properties of thin films of CuInS₂.     

高功率准分子激光沉积类金刚石膜的结构及性能

采用高功率和高频率准分子激光器在高真空及H₂和N₂气氛下沉积类金刚石膜.利用Raman光谱和电子衍射方法分析了膜的微结构.Raman光谱呈典型DLC膜的特征,G峰位于1528cm^-1,D峰位于1327cm^-1,为一大的肩峰,电子衍射图象呈多晶电子衍射特征,可观察到5个同心圆环,由此计算出的面间距与金刚石(111),(200),(220),(331)和(332)面间距相符.红外吸收光谱测量结果表明,在Ge片上单面镀类金刚石膜具有明显的红外增透效果,在1000～3000cm^-1范围内红外透过率达到55%以上.用原子力显微镜和SEM观察了表面形貌,用显微硬度计和显微划痕仪测试了膜的硬度与附着力.     

低含量铁掺杂纳米TiO2薄膜的制备及其抗菌机理研究

采用溶胶凝胶-浸渍提拉法,制备了玻璃基底上生长的Fe/TiO₂薄膜.利用XRD、XPS、AFM等对样品进行表征,研究了铁掺杂对TiO₂薄膜晶体结构和表面形貌的影响,并研究了不同掺铁量TiO₂薄膜对大肠杆菌的抗菌性能.结果表明,铁掺杂TiO₂薄膜的抗菌性能均优于纯TiO₂薄膜,其中掺铁量为0.1%时薄膜的抗菌性能最佳,高达98%.     

Sol–gel derived nanostructured nickel oxide films: Effect of solvent on crystallographic orientations

Nickel oxide films were deposited onto glass substrates by sol–gel dip coating method using solvents of different polarities without any catalysts, templates or surfactants. Methanol, 1,4-butanediol, ethanol, and 2-propanol were used as solvents. The structural, optical and electrical properties of NiO films were investigated using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), UV–visible spectroscopy and Hall effect measurements, respectively. Nickel oxide thin films with cubic phase crystal structure of various preferred orientations were obtained in the different solvents. The XRD results showed that films deposited from solution using higher polar solvents develop a (1 1 1) preferred orientation, while the (2 0 0)-orientated films were obtained using lower polar solvents. The average particle size increases with viscosity of solvents. Surface morphology of the nickel oxide film consisted of nanoparticles with uniform coverage of the substrate surface. The solvent of higher viscosity induced larger particle size. Band gap narrowing from 4.42 to 3.87 eV was observed using different solvents. The lower resistivity and Hall coefficient was obtained for prepared NiO films using higher polar solvents. The relationships between solvent physicochemical properties, preferred orientation, structural, optical and electrical properties of NiO films were investigated.