硅基蓝光半导体激光器

试图从半导体得到蓝光的研究人员从某种意义上说已经得到蓝光 ,但他们并不乐观。在过去几年里他们已成功实现用电抽运掺氮化镓的半导体器件时发出蓝光 ,在半导体可能得到应用的地方开辟了一个崭新的领域 ,包括把蓝光变成其他颜色的光 ,或把半导体合成小体积的器件来代替灯抽运。但蓝光半导体用在这些方面仍然太贵 ,部分原因是因为它们生长在昂贵的基质上 (例如蓝宝石等 )。现在美国一研究组报道找到更便宜途径方面的进展。Asif Khan和他在南卡罗莱纳州大学 ,哥伦比亚大学 ,以及在帕特森空军基地和在纽约传感器电力技术公司一起工作的同事们…     

GaN基蓝光LED关键技术进展

以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击,并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延,P型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指出了需要改进的问题,展望了末来的研究方向。     

蓝光ZnO LED

日本坂口电热公司开发了蓝光ZnOLED生产设备。目前，蓝光LED一般采用昂贵的蓝宝石衬底和氮化镓材料。利用此设备可采用便宜的氧化锌材料，激光照射加热情况下在基板上送入锌化合物气体和氮气而沉积薄膜，均匀的薄膜面积达到5cm（2in），制造成本大大降低。     

硅衬底GaN基LED的研究进展

与蓝宝石衬底相比，硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点，普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成，因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展，同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果，及研制出工作电压为3．6V、串联电阻为31Ω、输出功率近1mW的Si衬底GaN基蓝光LED。     

ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED

采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3 μm、周期6 μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响.结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,与传统平面结构相比,其PL增强了42.8%;而采用ITO作为透明电极的LED,在20 mA注入电流下,正面出光增强了38%、背面出光增强了10.6%,同时前向电压降低了0.6 V,反向漏电流基本不变.     

GaN基蓝光LED吸湿失效分析及改善

湿气进入LED芯片内部会加速其老化失效,影响其可靠性.本研究模拟实验LED芯片在湿气环境中产生的GaN氧化、金属电极吸湿腐蚀和金属离子迁移等失效外观.利用ALD沉积A12O3钝化层替代传统的PECVD沉积SiO2钝化层.通过逆电解的方式测试了其失效时间,通过高温高湿老化实验测试了其正向电压和亮度变化,实验结果表明:A1...     

GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化

基于量子阱结构中载流子遂穿势垒原理,使用APSYS软件模拟不同条件下具有不同垒高、垒宽及阱宽的发光二极管（LED）的I-V特性、光强和内量子效率（IQE）的变化,发现自发发射光谱存在红移现象。通过与传统LED的多量子阱（MQW）参数比较发现,当阱宽为2 nm、垒宽为4 nm、垒中In含量为0.08和驱动电流为20mA时...     

硅基多孔β－SiC蓝光发射的稳定性

在自然存放、光辐照以及高温氧化等条件下，通过与常见多孔硅发光性能的对比，发现硅基多孔β－ＳｉＣ具有稳定的蓝光发射．这种发光的稳定性来源于多孔β－ＳｉＣ中Ｓｉ－Ｃ键的化学稳定性     

硅基多孔β—SiC蓝光发射的稳定性

在自然存放，光辐照以及高温氧化等条件下，通过与常见多孔硅发光性能的对比，发现硅基多孔β－ＳｉＣ具有稳定的蓝光发射。这种发光的稳定性来源于多孔β－ＳｉＣＫ Ｉ－ｃ键的化学稳定性。     

脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射

用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒，在４４０ｎｍ附近的蓝光范围内有一光致发光带，初步认为它是由形成的二氧化硅中的氧空位缺陷引起的     

高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击.简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果.最后,提出了需要着重解决的问题.     

硅衬底GaN基LED外延生长的研究

采用在AlN缓冲层后原位沉积SiN掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜.通过该法在硅衬底上获得了1.7 μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(LED)外延片,其外延片的总厚度约为1.9 μm.采用高分辨率双晶X-射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)测试分析.结果表明,GaN薄膜(0002)面的半峰全宽(FWHM)降低到403 arcsec,其表面平整度得到了很大的改善;InGaN/GaN多量子阱的界面较平整,结晶质量良好.光致发光谱表明,GaN基LED峰值波长为469.2 nm.     

合肥彩虹蓝光高亮度氮化镓基LED外延片试产成功

近期,合肥彩虹蓝光科技有限公司首批高亮度氮化镓基LED外延片试产成功,经由光电仪器测试,发光波长为463nm,亮度与均匀性良好,达到预期技术指标。合肥彩虹蓝光LED项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设,经过一年奋战,实现了首批高亮度氮化镓基LED外延片的一次试产成功。     

LED蓝光异常原因分析

采用电性测试、X-ray检查、开封内部检查、扫描电镜与能谱分析等方法对蓝光缺色、死蓝光的原因进行了分析。结果表明,LED灯珠蓝光芯片表面铝反射层存在空洞及金层未包裹铝反射层的现象,蓝光芯片表面涂层存在缺陷,致使蓝光易出现漏电、短路,导致蓝光失效。     

高亮蓝光、绿光LED

HLMPCxxx系列绿光（525nm）和蓝光（470nm）．高亮LED,其照度分别可达到59000mcd和12000mcd。     

LED灯具蓝光危害测试

分析了IEC/TR 62778:2012规定的蓝光危害的测试方法,并应用这一方法对LED灯具进行评估,同时还介绍了控制LED蓝光危害的方法。