镍铬合金中的位错运动与位错反应

对镍铬合金中单一滑移面内和两个滑移面间的位错反应,特别是动态下的反应,进行了透射电子显微镜观察,并对其中的一些位错组态进行了衍衬分析。1.六角位错网络主要是单一滑移面内柏氏矢量相差120°的两组位错间反应的结果;2.与螺型位错一样,刃型或混合型位错也能在两个滑移面间交滑移;3.两个滑移面间的位错反应有时在其截线方向生成不滑动的位错(如L.C.位错锁)并不能完全阻挡住这两个滑移面上的位错运动;4.在含铝、钛的镍铬合金中,超点阵位错的反应与不含铝、钛的合金或无序固溶体中的位错反应相似。 关键词：     

铝镁合金中位错网络与位错子反应的电显微镜透射观察

电子显微镜薄膜技术是研究晶体中位错分布与交互作用的最直观工具。自从1956年以来,这种技术越来越受到广泛的重视,并已取得显著的进展,详见最近的文献总结。 我们在Al-Mg合金薄膜中经常观察到位错网络,其中大多数是不规则的,但有时也观察到平行排列的直线群或四方网络,与小角度晶界的倾斜或扭转晶界模型相符。此外,还观察到一些典型的位错反应,与Whelan在不锈钢和Amelinckx用缀蚀法在NaCl和KCl中的观察结果相似,现将这些初步观察结果简单报导如下。     

用电子显微镜透射方法研究一种镍基合金高温蠕变过程的位错结构

用电子显微镜透射方法研究了一种镍基合金(Ni 80 Cr 20 Ti)在不同蠕变量以后的位错结构。蠕变温度800℃,应力5.5公斤/毫米²。在蠕变第一阶段内,主要观察到均匀分布着的零散位错。它们一般不处在滑移面上。在蠕变第二阶段内,这些位错发生聚集,并且逐渐发展成亚结构边界。所观察到的亚晶粒尺寸在2—5微米之间,由菊池线测出的取向差在20′左右。亚结构边界一般不处在滑移面上。观察结果说明,在高温蠕变的第一和第二阶段,都有位错攀移的作用。     

一种镍基合金高温蠕变过程的电子显微镜透射观察

本文在文献[1]的基础上,用电子显微镜透射方法研究了一种镍基合金(Ni80Cr20Ti)在高温蠕变第一和第二阶段内的位错结构。对蠕变第一阶段进行了较多的观察和分析。结果表明,在高温蠕变第一阶段内,形成了大量的零散位错,它们一般不处在滑移面上,并且大多是混合型位错,因此,它们是刃型位错攀移和螺型位错交滑移联合作用的结果。 关键词：     

中国透射式电子显微镜发展的历程

人眼的视力仅能分辨物体中0．1-0．2mm的细节．若借助光学显微镜,则可看到细胞、细菌．若借助电子显微镜,人能看到原子像、分子像!     

用电子显微镜直接观察石墨薄膜中的位错网络和水纹图

石墨中位错的电子显微镜观察的研究不但可以了解石墨晶体中位错的结构,而且有可能对于石墨的辐照效应提供有用的知识。 本文报导用电子显微镜观察石墨晶体中的各种位错结构所得到的一些初步结果。观察是在民主德国SEM-3型电子显微镜上进行的。仪器的分辨本领是20—30埃。所用的高压是60—80千伏。     

透射电子显微镜样品的电解抛光制备方法

在电解抛光过程中用透射和反射光作显微镜观察,借以监视抛光样品,使获得最佳抛光条件。电路中采用了间歇电流装置,使抛光条件更易于控制。样品制备的成功率和重复性有所提高。制备了一些超导材料和非晶质材料的透射电子显微镜样品,拍摄了透射电子显微镜和选区电子衍射照片。 关键词：     

超晶格正长石的高分辨透射电子显微镜研究

对产自山东五莲辉石二长岩中的正长石进行了高分辨透射电子显微镜(HRTEM)研究,确定这一正长石属大周期超晶格正长石。其扩展晶胞参数与三斜亚晶胞参数间的关系为α=α_tc,b≈8b_tc,c=c_tc,β=β_tc(下标tc表示三斜亚晶胞)。这一超晶格正长石是由一系列的三斜晶畴组成。它是钾长石从C2/m对称向Cl对称的相变过程中,通过四面体中Si-Al间的有序化而形成的一种中间态调制结构。 关键词：     

GaAs单晶滑移位错X射线形貌术研究

应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In砷化镓单晶的滑移位错。观察到由于位错密度不同,其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释。 关键词：     

位错的会聚束电子衍射研究

从硅位错附近得到的会聚束电子衍射图样表明高阶劳厄带线和菊池线分裂,晶体学等效的衍射显示不同的分裂或不分裂,这些结果可以用晶体缺陷的衍衬理论来解释,不分裂的衍射相当于位错的不可见,即g·b=0,会聚束电子衍射提供了强有力的研究缺陷的高空间分辨率手段。 关键词：     

在疲劳载荷下含铜4%的铝合金中的位错钉扎和解脱

【摘　要】用Al-4％Cu合金进行了恆应变扭转疲劳试验,观察到ΔE在起始阶段下降直至接近零值,经过一定的疲劳循环数以后又重新上升。金相观测的结果指出,ΔE的重新上升对应着滑移区的突然变得集中。这有力地证明了我们以前所作的假设,即局部化滑移区的出现是引起ΔE的一种基本过程。在疲劳载荷下的T_m在超始阶段上升,但上升至最高值并保持此值经过一定的疲劳循环数以后,出现骤然的下降,这正对应着ΔE的重新上升。这种现象的出现可能是反映着在前期疲劳载荷下被钉紥的位错得到了骤然的解脱。初步认为,位错的被钉紥和随后得到解脱的过程,是由于在疲劳初期所形成的溶质铜原子气团沿着位错线的某些有利地段富集成核,同时使位错线上的另一些地段从溶质原子中解脱出来。随着富集核的逐惭增大,和其间的得到了解脱的位错段的长度的逐渐增加到某一临界值,便在疲劳载荷下出现了位错“雪崩”的现象,产生了大量的新位错,这使T_m骤然降低,并且导致局部滑移地区的形成,从而使ΔE重新增加。     

硅蹼中位错和层错的X射线貌相研究

利用X射线投影貌相术观察和分析了硅蹼中的位错和层错。在生长态硅蹼中,除观察到柏氏矢量为1/2<110>的刃型、螺型与60°全位错以及柏氏矢量为1/6<112>的Shockley刃型半位错外,还观察到平行于硅蹼表面的大面积层错和蹼中的60°,30°Shockley半位错。位错在热处理过程中运动并发生位错反应形成近六角形的位错网络。热处理改变生长态硅蹼中层错的组态和衬度,并由于杂质聚集破坏了Shockley半位错的消象法则。还观察到层错象中的位错。对所观察的结果都分别作了分析和简要的讨论。 关键词：     

LiNbO3晶体中包裹物和位错的X射线形貌研究

用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb0₃晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3<0111>的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。 关键词：     

硅中位错运动速度

本文用化学侵蚀法显示了硅晶体印压产生的位错。测量了在不同温度、不同切应力下“花结”上刃型(或60°)位错的运动速度。设位错运动是热激活的,激活能为～2.94eV.比较了900℃下刃型(或60°)位错及螺型位错的速度,后者较小。在不同样品上进行速度的测定,说明原生位错对形变位错运动有阻碍作用。观察到原生位错和晶界位错在外加力作用下的增殖,对位错在增殖中的速度进行了测量。讨论了本工作所用的实验方法,并分析了影响速度测量值的某些因素。     

金刚石生长过程中Fe基合金催化机制的研究

 用X光衍射、电子能谱及Mossbauer谱实验方法，测量了高温高压条件下Fe基合金中Fe原子的3d壳层电子状态的变化，揭示了人造金刚石生长过程中，Fe原子3d壳层未成对电子与2P_z电子之间的键合。     

Ni51Zr49非晶合金晶化过程的电子显微镜研究

用透射电子显微镜对Ni₅₁Zr₄₉非晶合金的晶化过程进行了研究,发现晶化初期首先从非晶基体上析出的是具有C心单斜点阵的NiZr＇相,a=0.3268nm,b=0.4101nm,c=0.5224nm,β=71.8°。与稳定相NiZr有很明确的取向关系:[100]_NiZr＇∥[100]_NiZr [001]_NiZr＇∥[110]_NiZr。它可以看成是NiZr相的亚稳态或超结构。随温度升高,逐渐转变成NiZr相。温度再高时,在非晶基体上还会析出少量Ni₁₀Zr₇相。晶化初期,无论是NiZr还是NiZr＇相,都是以多次孪晶的形式析出。孪晶有这两种基本形式,一种是以NiZr或NiZr＇的[021]方向为轴的180°孪晶,一种是以NiZr的[001]或NiZr＇的[010]方向为轴的36°旋转孪晶,其它孪晶为这两种孪晶方式的重复与组合。随着温度的升高,孪晶逐渐减少。 关键词：     

Ni-Zr非晶合金晶化过程的透射电子显微镜研究(Ⅱ)——Ni67Zr33非晶合金晶化过程中出现的过渡区

用TEM研究了Ni₆₇Zr₃₃非晶合金晶化过程中亚稳相与稳定相之间存在的过渡区。在点阵像上亚稳相为宽的或宽窄相间的条纹,而稳定相为单一的窄条纹。过渡区中宽窄条纹的分布是随机的,看不出明显的规律。其电子衍射圈也没有平移对称性,可以看成亚稳态与稳定态的衍射谱之间的变化过程。以相同原子面不同堆垛间距的模型模拟了过渡区衍射强度的分布,与实际强度符合得很好。 关键词：