一代人工色模型与单top产生qq→tb

计算了一代人工色模型(OGTM)中的赝标哥尔斯通玻色子(PGBs)对Tevatron上qq＇→tb单top产生的单圈修正.发现相对于树图水平的散射截面,它对单top夸克产生单圈修正总的散射截面的最大修正可达-15.3%,这在高亮度的Tevatron下是可以观察到的.     

顶色辅助的多标度人工色理论对稀有过程e~ e~-→s的单圈效应

讨论了顶色辅助的多标度人工色理论预言的赝标哥尔斯通玻色子（ｔｅｃｈ－ ｎｉｐｉｏｎｓ,ｔｏｐ－ｐｉｏｕｓ）对稀有过程ｅ＋ｅ－→ｂｓ的单圈效应,计算了该过程在ＬＥＰⅡ上 的产生截面,得到较标准模型预言值要大一个数量级的数值结果．并进一步讨 论了在Ｂ介子工厂上探测此稀有过程的可能性．     

顶色辅助的多标度人工色理论中的PGB’s对顶夸克产生的修正

在顶色辅助的多标度人工色模型框架下,计算了赝标哥尔斯通玻色子（TC介子,Top介子）对Tevatron上qq^-→tt^-顶夸克对产生的单圈修正。计算表明此修正主要来自Top介子,在适当的参数范围内,PGB‘s对顶夸克对树图级产生截面的单圈修正可达17％。     

MWTCM中PGB对Top夸克衰变的单圈修正

在MultiscaleWalkingTechnicolor模型（MWTCM）下，计算赝标戈尔斯通玻色子（PGB）对Top夸克衰变的单圈修正，发现Top夸克的衰变宽度被极大压低．如果进一步引入Topcolor，在TopcolorassistedMWTCM中，Top夸克衰变宽度明显提高；且在参数的一定空间内，PGB修正可达到－7％，可望在实验上被观测到．     

现实的一代ETC模型对Zb_b~－、Zτ~＋τ~－顶角的辐射修正

在一个现实的一代扩展人工色（ＥＴＣ）模型中，计算了旁路（Ｓｉｄｅｗａｙｓ）及对角（ｄｉａｇｏｎａｌ）ＥＴＣ规范玻色子交换对Ｚｂ、Ｚτ＋τ－顶角的单圈辐射修正．结果表明Ｚ→ｂ过程的衰变宽度Ｔｂ、分支比Ｒｂ以及τ的极化不对称参数Ａτ都较标准模型的要大，与最近的实验数据相符．     

顶色辅助的多标度人工色理论中的PGB′s对顶夸克产生的修正

在顶色辅助的多标度人工色模型框架下,计算了赝标哥尔斯通玻色子(TC介子,Top介子)对Tevatron上qq→tt顶夸克对产生的单圈修正.计算表明此修正主要来自Top介子,在适当的参数范围内,PGB′s对顶夸克对树图级产生截面的单圈修正可达17%.     

顶色辅助的多标度人工色理论中的PGB＇s对顶夸克产生的修正

在顶色辅助的多标度人工色模型框架下,计算了赝标哥尔斯通玻色子(TC介子,Top介子)对Tevatron上qq→tt顶夸克对产生的单圈修正.计算表明此修正主要来自Top介子,在适当的参数范围内,PGB＇s对顶夸克对树图级产生截面的单圈修正可达17％.     

He—H2非弹性碰撞截面理论研究

当Ｈｅ原子入射能量Ｅ＝０．０５ｅＶ时，计算了Ｈｅ－Ｈ２碰撞弹性散射（００－００）和第一激发态（００－０２）的角分布（微分散射截面）。最多计算５０个分波，使弹性散射和碰撞激发的散射截面收敛。     

《量子力学》自学辅导之十—散射（续）

《量子力学》自学辅导之十──散射（续）宋宇辰，曾心愉，裴衣杰（复旦大学理论物理骨干教师班，复旦大学物理系，上海２００４３３）２．４散射截面薛定谔方程的渐近解（１６）式一定满足波函数的边界条件（１８）式，即从此式我们可以解出散射振幅微分散射截面的表述式...     

He,Ne,Ar与N2分子碰撞转动激发截面理论计算

利用ＩｎｆｉｎｉｔｅＯｒｄｅｒＳｕｄｄｅｎＡｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ（ＩＯＳ）［１］计算了Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ与Ｎ２分子碰撞的总微分散射截面、弹性微分散射截面和积分散射截面。当入射能量Ｅ＝０．０２７３ｅＶ时，计算Ｈｅ－Ｎ２的碰撞总微分散射截面结果与ＣｌｏｓｅＣｏｕｐｌｉｎｇ（ＣＣ）［２］计算结果符合很好，说明ＩＯＳ对所研究的Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ－Ｎ２碰撞体系是一种简捷可用的方法。     

费米子质量的单圈修正和强、弱作用的CP破坏效应计算

本文在可重整的自发破缺规范理论中, 用路径积分方法导出了一种在普遍情形下计算有效位势单圈修正的公式, 在此基础上给出了费米子质量的单圈修正表达式. 运用所得结果在一种SU(2)×U91)×S₃模型中着重计算了夸克质量的单圈修正对QCD的CP破坏效应的贡献, 得到较V. Goffin等人给出的更为普遍的结果. 对弱作用的CP破坏情形也作了讨论.     

PGBs对高能e~＋e~－湮没产生顶夸克对的单圈量子效应

在一代Ｔｅｃｈｎｉｃｏｌｏｒ（ＴＣ）模型中计算了ＰＧＢｓ（ＰｓｅｕｄｏＧｏｌｄｅｎｓｔｏｎｅＢｏｓｏｎｓ）对高能ｅ＋ｅ－→ｔｔ过程的单圈量子效应．给出了重整化的形状因子和矩阵元．计算了ＰＧＢｓ对总截面前后不对称参数ＡＦＢ和左右不对称参数ＡＬＲ的虚贡献，结果表明选取适当的参数值，新物理对以上可测量的贡献最大分别可达：－１２．３％、－３．３％和－１１．７％．在下一代对撞机上这一理论结果能为ＴＣ理论打开实验的窗口．同样的计算表明ＰＧＢｓ对ｅ＋ｅ－→ｂｂ过程的单圈贡献小于－１．０％．     

ILC上ee对撞产生tt夸克对

本文结合国际直线对撞机(ILC)的实验 讨论了 湮灭产生 对过程．在具体计算过程中,本文采用一种新的计算方式,即“混合链图传播子”修正下的反应截面,首先对QED中Dyson链图传播子理论在电弱统一标准模型中做了推广,获得WS中的光子、中间玻色子混合链图传播子,进而计算了 混合链图修正下 反应总截面 ,并与单圈修正下的总截面 和最低阶总截面 做了对比分析,发现在国际直线对撞机对撞能区, 对 和 的修正很大．此外,作者还结合国际直线对撞机的对撞亮度,讨论了每年可在ILC上产生 对的事例数．     

低能氢原子（e，2e）反应中非一阶效应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型对入射能为27．2eV时，共面非对称几何条件下电子离化氢原子的三重微分散射截面进行了计算，并把结果与一级玻恩近似下的计算结果以及实验数据进行了比较，对修正后的BBK模型中非一阶效应进行了分析和探讨．     

电子与锂和铍原子碰撞角分布的理论研究

用模型势方法研究电子与锂和铍原子弹性散射，计算了能量从０．１到１．０ｅＶ散射电子的角分布（微分散射截面），从理论计算中，看到在０．１－１．０ｅＶ能区内，随入射电子能量增加，电子被Ｌｉ和Ｂｅ原子散射的微分截面有相似变化，即小角微分散射截面越来越大     

在Z→bb衰变中Gluino和Squark的质量效应

本文在最小的超对称模型(N=1)中,讨论了Z→bb衰变的单圈修正与Gluino质量和Squark质量的依赖关系,以及左手和右手Squark混合所产生的影响.计算结果表明,在某些质量范围内,Gluino对Z→bb衰变宽度相对于所有强子的分支比的修正可达3%.     

Technicolor理论中的赝标格尔斯通粒子对t─→W~＋b过程所产生的虚效应

计算了Ｔｅｃｈｎｉｃｏｌｏｒ理论中的赝标格尔斯通粒子对ｔ→Ｗ＋ｂ过程的单圈贡献，并讨论了这种贡献对ｔ夸克和赝标格尔斯通粒子质量的依赖性．可以得出：当ｍｔ在１００—２００ＧｅＶ之间变化时，总的Ｔｅｃｈｎｉｃｏｌｏｒ单圈贡献从０．６％变到－２．０％．     

熔融织构YBCO单晶的层间耦合

在０～７．５Ｔ磁场范围内,采用膺磁通变压器结构（八电极）,测量了磁场平行于ｃ轴时熔融织构生长的ＹＢＣＯ单晶上和下两个表面的电阻－温度关系。实验结果表明,在测量仪表所能测量的精度范围内,没有观测到Ｖｔｏｐ和Ｖｂｏｔ的情况,Ｖｔｏｐ总是大于Ｖｂｏｔ。不同磁场下Ｖｔｏｐ／Ｖｂｏｔ随着温度的降低而变化;ｃ－轴电阻的测量结构则表明,样品沿ｃ方向与ａｂ面具有相似的超导电性,且Ｔ＾ｃｃ〉Ｔａｂｃ,这充分表明随着     

在Z→b衰变中Gluino和Squark的质量效应

本文在最小的超对称模型(Ⅳ=1)中,讨论了Z→b衰变的单圈修正与Gluino质量和Squark质量的依赖关系,以及左手和右手Squark混合所产生的影响。计算结果表明,在某些质量范围内,Gluino对Z→b衰变宽度相对于所有强子的分支比的修正可达3％。     

H（2s）靶（e,2e）三重微分散射截面

采用包含库仑相关的三体近似末志波函数，计算了入射能为２５０ｅＶ、散射角为３°、５°、７°、９°条件下ｅ－＋Ｈ（２ｓ）→Ｈ＋＋２ｅ－共面反对称三重微分散射截面（ＴＤＣＳ），并与三级修正的ＥＢＳ结果进行了比较。结果发现基态Ｈ电离与亚稳态电离特征有很大的差别。