3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi_4O_4S_3超导电性的影响

文章报道了3d金属离子X(X=Fe3+,Co3+,Mn4+)少量掺杂对新近发现的超导体Bi4O4S3结构及超导电性的影响.粉末X射线衍射数据表明,少量3d金属离子X的掺杂对晶格结构几乎没有影响.观察发现随着掺杂离子X半径的减少,超导转变宽度△Tc变窄,也就是少量3d金属离子X的掺入提高了Bi4O4S3的超导电性.3d金属离子X的部分掺入提高了Bi4O4S3超导转变温度是一个非常值得关注的现象.     

水份对YBa_2Cu_3O_7超导电性的影响

在高 T_c 超导体的应用中,首先遇到和必需解决的是稳定性问题,特别是在潮湿空气和浸水条件下,对样品超导电性的影响.但在至今所进行的相应的研究中,都不能定量地测定样品中的水含量.本文采用热中子透射法测定了样品的水含量,从而定量地研究了水含量对超导样品性能的影响.     

SmFeAsO0.78F0.22中Mn掺杂对超导电性的抑制效应

本文报道了Mn替代Fe对最佳掺杂的Sm-1111体系超导电性的影响.通过电输运及磁性质的测量发现Mn对Fe的替代迅速抑制了超导电性.随着Mn含量的增加,体系的电阻率ρ和磁化率M逐渐增大.对于低掺杂x＜0.25%和未掺杂样品,M接近零,对于≤1%,M从室温到超导转变几乎不变,实验指出Fe2+失去其磁性.我们提出这是由于F...     

正离子尺寸离散度对掺杂La2CuO4超导电性的影响

固态化学与物理学的结合推动了高温超导体的发现与发展．美国普林斯顿材料研究所的Ｒ．Ｊ．Ｃａｖａ，由于在上述领域创造性的工作，获得了’９７国际超导大会（北京）奖．最近，Ｃａｖａ在一篇为《Ｎａｔｕｒｅ》撰写的短评中讲述了发生于１９８６年１２月的一段亲身经历...     

Bi_2O_3-B_2O_3-Ga_2O_3玻璃的三阶非线性研究

采用传统熔融淬冷法制备了4组高Bi2O3含量的Bi2O3-B2O3-Ga2O3玻璃样品。测试了样品的密度、折射率和透过光谱,并分析了它们和Ga2O3含量之间的关系,拟合了样品的线性折射率随波长的变化曲线。根据Z扫描实验原理,利用钛宝石飞秒激光器测量了800 nm波长下各个样品的三阶非线性折射率n2以及非线性吸收系数β。结果表明:随着Ga2O3含量的增加,样品的线性折射率n0和三阶非线性折射率n2也随之增加,线性折射率最大样品对应的n2和β分别为3.331×10-18m2/W和0.695 cm/GW,表明该系列玻璃样品是一种优良的三阶非线性光学基质材料。     

CuCo2S4系统的掺杂与超导电性

尖晶石型CuM2S4(M=Co，Rh，Ir)族硫化物中，CuRh2S4为4．7K的超导体，CuIr2S4在230K经历金属-绝缘体相变，用Zn替代Cu后可成为超导体，CuCo2S4是否具有超导电性目前仍有争议．本研究了CuCo2S4及其掺杂体系的成相及其电、磁性质，表明单相CuCo2S4在1．8K以上不超导，而在Cu1 xCo2-xS4和CoS2的复相样品中观察到～3．5K的超导转变．另外少量Zn替代Cu引入杂相，在样品中未能观察到超导电性．     

Sn掺杂对In_2O_3热电性能的影响

本文利用第一性原理结合半经典玻尔兹曼理论研究了Sn掺杂对In_2O_3热电特性的影响.由于一个In_2O_3原胞有80个原子,所以为了清楚表明Sn的掺杂浓度,我们将化学式表述为In_(32-x)Sn_xO_(48).形成能的计算表明Sn比较容易取代In位,且Inb位比Ind位更容易被取代.且只有x=1,形成能是负值,而x=2和3的形成能是正值.电子结构的计算表明Sn掺杂对In_2O_3的能带结构的形状影响很小,只是费米能级向导带方向移动了,基于这一点我们预测刚性带模拟In_2O_3的电子热电特性和实际Sn掺杂的应该比较接近.输运性质的计算表明在价带顶或导带底附近,电子输运性质随化学势发生明显的变化,而在价带以上导带以下的一定化学势范围内,虽然S,σ/τ和n随化学势和温度变化比较大,ZeT随化学势和温度几乎没有变化,且n型和p型掺杂下的ZeT非常接近,大小在1附近.令人兴奋的是,通过将刚性带模型计算In_2O_3电子输运性质和实验结果对比,发现当温度为1000 K,化学势为0.6512 Ry时的实验ZT=0.28和理论0.273非常接近.而此化学势远在导带底以上,说明如果选择较低的掺杂浓度,In_2O_3的输运性质有望进一步提高.     

C、Cu掺杂对MgB_2超导电性的影响

本文利用固相烧结法制备了一系列碳(C)、铜(Cu)掺杂的二硼化镁(MgB2)样品,并对样品进行细致的分析.X射线衍射图表明随着C掺杂量的增加c轴方向晶格常数几乎不变,a轴方向晶格常数略有减小,c/a随C掺杂量的增加逐渐增大,由此估算出了C的实际替代量,推测出此条件下C在MgB2中溶解度在12.5%和15%之间.电阻随温度变化关系(R～T)表明在Cu的掺杂量确定时,转变温度(Tc)随C的掺杂量的增大而降低。     

空穴掺杂超导体的超导电性

在二维空穴掺杂t-t′-J-U模型和重整化平均场理论的框架下,用Gutzwiller方法研究了电子次近邻跃迁对空穴掺杂超导体的超导电性的影响。在掺杂浓度小于0.1的欠掺杂区,随着电子次近邻跃迁的增大,超导序参数在欠掺杂区域受到抑制,而在过掺杂区得到加强。     

Bi_4Ge_3O_(12)晶体的磁光法拉第旋转

在可见光范围测量了Bi_4Ge_3O_(12)晶体磁光法拉第旋转的色散关系,也测量了从室温到液氮温度磁光旋转在633nm的变化。大的磁光旋转和很宽光波范围的高透过率表明晶体在磁光应用上也是很有价值的。扼要讨论了Bi离子在抗磁晶体中对磁光旋转的重要作用。     

锶掺杂钡位对YBCO晶体结构和超导电性的影响

利用XRD对系列样品YBa2-xSrxCu3O7-δ的(x=0~0.2)晶体结构进行研究,给出了体系相结构的掺杂效应,结果发现,随着掺杂量的增加,样品的晶体结构由正交相向四方相转变.同时采用四引线法对掺杂样品YBa2-xSrxCu3O7-δ的超导电性能进行了系统测量,发现随着锶掺杂量的增加,样品的超导转变温度总体呈明显降低趋势,并初步分析了钡位锶掺杂所引起的晶体结构变化对超导电性的影响.     

Al掺杂对MgB2电子结构和超导电性的影响

建立了不同Al掺杂浓度的Mg1-xAlxB2模型并进行几何优化,讨论了掺杂对系统几何构型、能带结构、电子态密度、键布居和超导转变温度的影响.结果表明,随着Al掺杂浓度的增加,B-Mg离子键增强,B-B共价键减弱,B-Al间的弱共价键增强,能带展宽,费米面附近的态密度降低,超导电性减弱.     

Bi_4Ce_3O_(12)单晶的电子结构和光致发光过程

Ⅰ—实验数据 锗酸铋的吸收谱是由两个宽带所组成。一个比较强的位于2000(?)-3000(?)的紫外区。另一个比较弱,位于可见区。在主峰2800(?)     

Eu掺杂对Ca_3Co_4O_9磁性、电输运和热电性质的影响

采用固相反应法制备了单相的Ca3-xEuxCo4O9(x=0.00,0.10,0.20,0.30)系列多晶样品,并系统地研究了其磁性、电输运和热电性质.结果表明,随着Eu掺杂浓度的增加,亚铁磁转变逐渐消失,低温导电机制由热激活半导体转变为二维变程跳跃;热电势也随着掺杂量x而增加,当x增加到0.2时热电势在低温呈现陡然的上翘,导致热电优值(ZT)大幅度增加.我们将低温热电势行为归结于两个方面的原因:一是三价Eu3+离子替换二价Ca2+引起载流子浓度减小,导致电子关联效应增强;二是掺杂破坏磁有序引起自旋熵的增加.     

Subsolidus phase relation in the Bi_2O_3–Fe_2O_3–La_2O_3 system

Bismuth-containing semiconductor material is a hot topic in photocatalysts because of its effective absorption under the visible light.In this paper,we expect to explore a new bismuth-based photocatalyst by studying the subsolidus phase relations of the Bi2O3–Fe2O3–La2O3system.The X-ray diffraction data shows that in this ternary system the ternary compound does not exist,while seven binary compounds(including one solid solution series Bi1 xLaxO1.5with 0.167≤x≤0.339)are obtained and eight compatibility triangles are determined.     

化合物La3Co的超导电性与磁场的关系研究

我们报告稀土化合物La3Co的单晶样品在不同的磁场中的电阻率随温度变化的测量结果，从而得出该材料的超导转变温度随磁场的变化关系，超导转变温度随磁场的增大而降低．我们认为这是由于磁场的加大使电子间的相互作用增强，同时减弱了材料中的有效电子（3d、4f）的转移作用．     

化合物La3Co的超导电性与磁场的关系研究

我们报告稀土化合物La3Co的单晶样品在不同的磁场中的电阻率随温度变化的测量结果,从而得出该材料的超导转变温度随磁场的变化关系,超导转变温度随磁场的增大而降低.我们认为这是由于磁场的加大使电子间的相互作用增强,同时减弱了材料中的有效电子(3d、4f)的转移作用.     

Zr掺杂对MgB2超导微观结构和超导电性的影响

将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得Mg1-xZrxB2(x=5%10%和20%),压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析烧结后样品的显微结构和化学组成,采用差热分析(DTA)观察Zr掺杂对MgB2分解温度的影响,并用物性测试仪(PPMS)测试样品的超...     

锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12))单晶闪烁体

1965年,Nitsche[1]第一次拉成锗酸铋(以下简称BGO)单晶.然而把BGO单晶作为闪烁体来进行研究,其历史却还不到十年.1973年,Weber等人[2]首先用X射线激励,研究了它的发光机理和荧光特性.1977年,Cho等人[3]对 BGO和 Nal(TI)闪烁体用于探测低能核辐射进行了比较。指出:由于BGO具有较