用高压显微光谱系统研究非晶态As_2S_3的光学折射率随流体静压力变化的规律

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在高达66kbar的流体静压力和光谱波段为400—900nm范围内,用透射光干涉谱法测量了非晶态As_2S_3(a-As_2S_3)的光学折射率n与压力p以及波长λ的变化关系。a-As_2S_3的折射率对压力极为敏感,在波长为650nm,压力从1bar变到66kbar时,它增加35％。在计算机上用最小二乘法对实验点进行拟合的结果得到:对某一波长λ来说,遵循n(P)=n(0) Ap Bp~2的非线性关系。其中n(p)和n(0)是p压和常压下的折射率,A和B是与波长有关的系数,文中给出了A和B的具体参数。这个关系与Weinstein和Galkiewicz等人公布的n(p)和p之间遵循线性关系不同。     

用高压显微光谱系统测量流体静压力对非晶态As2S3光学吸收边的影响

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在0—66kbar的流体静压力范围内测量了a-As₂S₃的光学吸收达随压力的移动特性。发现a-As₂S₃的光学吸收边随压力的增加而迅速红移。在计算机上用最小二乘法对实验点进行了拟合,结果得出吸收边和压力之间的关系为:E_g(P)=E_g(0)-1.31×10^-3P-3.91×10^-4P²+4.04×10^-6P³值得注意的是|dE_g/dP|和压力之间的关系经历了一个先是增大,然后再减小以至于趋于饱和的过程。这和Weinstein等人先前的实验结果是有所不同的。 关键词：     

用高压显微光谱系统研究(Zn0.85Cd0.15)S:Cu,Al磷光体在流体静压力下施主-受主对的发光

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在室温和1bar—66kbar的流体静压力范围内研究了(Zn_0.85Cd_0.15)S:Cu,Al磷光体的发光峰位置和相对发光强度随压力而变化的规律。随着压力的增加,发射峰值波长迅速移向短波方向,而发射峰值对应的光子能量随压力增加的速率为4.7meV/kbar(38cm^-1/kbar)。这个值比该材料的吸收边随压力增加的速率要小。随着压力的增加,该磷光体的发光峰值相对强度急骤下降,当压力从常压升到66kbar时,发光峰值相对强度下降到原值的6％。这些结果可以用Al³⁺-Cu⁺的施主-受主对模型来解释。本文还估计施主(Al³⁺)和受主(Cu⁺)的激活能之和随压力增加的速率为3.7meV/kbar(30cm^-1/kbar)。 关键词：     

H3PAuPh与(H3PAu)2(1,4-C6H4)2光谱性质的密度泛函研究

用密度泛函(DFT)方法优化了配合物H₃PAuPh(a),(H₃PAu)₂(1,4-C₆H₄)₂(b)的基态的几何结构,并用含时密度泛函方法计算了它们的吸收光谱.结果表明配合物a与 b的最低能量吸收谱线的波长分别为257.5 nm和307.6 nm,皆具有C(2p)→Au(6p)电荷转移参与下的p_π 关键词： 激发态 光谱 密度泛函 3')" href="#">AuPH₃     

Ga2S3-Sb2S3-Ag2S硫系玻璃和光纤的制备及性能研究

本工作确定了一种新型的Ga₂S₃-Sb₂S₃-Ag₂S硫系玻璃体系的玻璃形成区,研究了玻璃的热稳定性和光学性能、稀土离子掺杂玻璃的中红外发光特性以及玻璃的成纤性能,评估了该玻璃在中红外波段的应用潜力.实验结果表明,Ga₂S₃-Sb₂S₃-Ag₂S体系的玻璃形成区为～10%—30%Ga₂S₃,～60%—80%Sb₂S₃和～0—15%Ag₂S(均为摩尔分数);该玻璃具有较宽的红外透过范围(～0.8—13.5μm)、较高的线性折射率(～2.564—2.713@10μm)和较大的三阶非线性折射率(～9.7×10^-14—15.7×10^-14 cm²/W@1.55μm);使用1.32μm激光抽运,稀土离子Dy...     

n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响

以ZnO和HGaO₂为原料,用不同配比合成出系列ZnGa₂O₄,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa₂O₄的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa₂O₄的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa₂O₄属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa₂O₄结构中,并对ZnGa₂O₄的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa₂O₄存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[T_d(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[O_h(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa₂O₄的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa₂O₄基质或掺杂的发光材料具有一定意义。     

基于透射光谱确定溅射Al2O3薄膜的光学（已撤稿）

基于反应磁控溅射Al₂O₃薄膜的紫外—可见—近红外透射实验光谱,采用Swanepoel方法结合Wemple-DiDomenico色散模型,方便地导出了Al₂O₃薄膜在200—1100 nm波长范围内的光学常数,包括折射率、色散常数、膜层厚度、吸收系数及能量带隙.研究发现反应磁控溅射Al₂O₃薄膜具有高折射率(1.556— 1.76,测试波长为550 nm)、低吸收和直接能量带隙(3.91—4.20 eV)等光学特性,而且其光学常数对薄膜制备过程中的重要工艺参数——膜层后处理温度表现出强烈的依赖性.此外,在膜层的弱吸收和中等吸收光谱区域内,计算得到的折射率色散曲线与分光光度法的测试结果基本符合,说明本实验中所建立的计算方法在确定反应磁控溅射Al₂O₃薄膜光学常数方面的可靠性. 关键词： 光学常数 Swanepoel方法 2O₃薄膜')" href="#">Al₂O₃薄膜 热处理     

铁电单晶0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3折射率的研究

用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_{3< /sub>-0.38PbTiO3( 0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率，给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带 结构与折射率的关系，计算了样品的Sellmeier光学系数：对no，E0=5.50eV,λ0=0.2 26μm，Ｓ０=1.004×10¹⁴m^-2，Ed=28.1 0eV；对ne，Ｅ0=5.57eV,λ 0=0.223μm，S0=1.017×10¹⁴m^-2，Ed=28.10eV.A BO3型钙钛矿材料中，BO6八面体基元决定了晶体的能带结构，对折 射率产生重要影响. 关键词： PMNT单晶 折射率 Sellmeier光学系数}     

基于透射光谱确定溶胶凝胶ZrO2薄膜的光学常数

基于溶胶凝胶ZrO₂薄膜的紫外/可见/近红外透射实验光谱,采用Swanepoel方法结合Wemple-DiDomenico色散模型,方便地导出了ZrO₂薄膜在200—1200nm波长范围内的光学常数,包括折射率、色散常数、膜层厚度、吸收系数及能量带隙.研究发现,溶胶凝胶ZrO₂薄膜具有高折射率(1.63—1.93,测试波长为632.8nm)、低吸收和直接能量带隙(4.97—5.63eV) 等光学特性,而且其光学常数对薄膜制备过程中的重要工艺 关键词： 光学常数 Swanepoel方法 2薄膜')" href="#">ZrO₂薄膜 热处理     

LiYF4:Nd3+的电子喇曼散射与双光子荧光

首次观察到下列LiYF₄:Nd³⁺的光谱:用波长λ为4880?的Ar⁺激光激发的⁴I_11/2能级所属斯塔克子能级Y₁—Y₆的电子和电-声子喇曼散射谱;用波长λ为6943?的红宝石激光激发的双光子荧光和电-声子荧光谱。 关键词：     

Influence of pressure on the inhomogeneous mixed-valent state in Eu3S4

The 21.7 keV nuclear gamma resonance of ¹⁵¹Eu was used for studying the inhomogeneous mixed-valent compound Eu₃S₄ in the pressure range 0–15 kbar. At room temperature the activation energy for electron hopping between the crystallographically equivalent divalent and trivalent Eu sites was found to decrease with pressure by dE_a/dP=-1.8±0.3 meV kbar^-1. No change of the mean valence of Eu with pressure was observed.     

Pressure dependence of the superconducting transition temperature of a (Mo0.6Ru0.4)86B14 metallic glass

We have studied the pressure dependence of the superconducting transition temperature of amorphous (Mo_0.6Ru_0.4)₈₆B₁₄ for hydrostatic pressures up to P ～ 9 kbar. The transition temperature T_c decreases with pressure at a rate dT_c/dP=-(9±1) mK kbar^-1. We estimate the Grüneisen parameter and the volume dependence of the electron-phonon coupling constant.     

Use of smoke samples in diamond-anvil cells to measure pressure dependence of optical spectra: Application to the ZnO exciton

We present measurements of ZnO exciton peak energies, E₀, at pressures up to 107.3 kbar. Smoke samples consisting of randomly oriented single crystal particles were prepared by oxidizing metallic zinc in air and were collected on one diamond face of a Merrill-Bassett pressure cell. Pressures were measured by the ruby fluorescence technique. In the pressure range between 5 and 90 kbar, our results indicate a consistent linear dependence with dE₀/dP = 2.33 × 10^?3 eV kbar^?1 for both increasing and decreasing pressures. A mixed phase structure is suggested by the observed irregular peak shapes and measured pressure dependence for the sample that had been taken beyond ? 90 kbar where the transformation to the NaCl structure has been reported.     

Influence of pressure on the inhomogeneous mixed-valent state in Eu3S4

The 21.7-keV nuclear gamma resonance of ¹⁵¹Eu was used for studying the inhomogeneous mixed-valent compound Eu₃S₄ in the presence range 0 to 15 kbar. At room temperature the activation energy for electron hopping between the crystallographically equivalent divalent and trivalent Eu sites was found to decrease with pressure by dE_a/dP = -1.8 ± 0.3 meV/kbar. No change of the mean valence of Eu with pressure was observed.     

半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应

本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_1-xMn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10^-3eV/kbar的速率漂移,并具有10^-5/kbar²量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10^-3eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。 关键词：     

Hydrostatic pressure effect on Tc of Ba0.9K0.1Pb0.75Bi0.25O3

The superconducting transition temperature of Ba_0.9K_0.1Pb_0.75Bi_0.25O₃ has been found to be suppressed smoothly by the application of hydrostatic pressure at a rate of —(2.9 ± 0.2) × 10^?5 kbar^?1 up to 15 kbar. The implications of these results are discussed.     

Photodarkening in glassy As2S3 under pressure

Photodarkening phenomena have been studied in glassy As₂S₃ films under pressure up to 3 kbar. A remarkable shift of the absorption edge to lower energy by the band gap illumination is observed under pressure. The shift is quenched even after releasing pressure. X-ray diffraction studies have also been performed at various pressures. The first sharp diffraction peak disappears at 50 kbar. The origin of the observed enhancement of the photodarkening may be associated with the increase in the interlayer correlation by application of pressure.     

金属有机分解法制备的SrTiO3薄膜的光学特性

采用金属有机分解法（MOD）在石英衬底上沉积了SrTiO3薄膜。所制备的薄膜是晶格常数为a=b=c=3.90?的多晶结构。通过测量190—1100nm波段内的透射光谱，采用包络方法计算了薄膜的光学常数（折射率n和消光系数k）。结果表明，采用MOD方法制备的薄膜的折射率大于采用射频磁控溅射、溶胶—凝胶和化学气相沉积方法制备的薄膜的折射率；薄膜的折射率色散关系满足单振子模型，其中振子强度S0为0.88′1014m-2，振子能量E0为6.40eV；薄膜的禁带宽度为3.68eV。     

流体静压力下快离子导体Rb4Cu16I7Cl13离子电导的研究

在流体静压力为0.5—11.6kbar,温度-80—80℃范围内,测量了Rb₄Cu₁₆I₇Cl₁₃多晶粉末“松散”样品和“致密”样品的离子电导。“松散”样品电导与压力的关系表明,在4.0—5.0kbar附近,电导存在极大值;“致密”样品电导随压力单调下降。在一定压力下,“致密”样品电导率随温度变化的趋势与常压结果相同,压力对Rb₄Cu₁₆I₇Cl_关键词：