散打电子护具中光纤击打力传感器的设计

鉴于电子护具在体育竞技方面的广泛应用和跆拳道电子护具的发展,提出了基于光纤传感技术的散打电子护具。利用现有光纤微弯传感器的原理和特点,设计出了合适的微弯调制器和各部分发射接收系统。在一定外部击打力作用下光纤会发生不同程度的弯曲,从而可以得到不同的电压值,并根据输出的电压值来判断运动员打击力的大小。实验测试表明,在一定范围内击打力与输出电压值近似成线性关系,从而可实现散打运动的自动评判得分。     

信息技术对跆拳道运动发展的积极作用

现代信息技术的迅猛扩张,互联网技术在教育中的应用日益广泛和深入。在信息时代,跆拳道运动同样需要发展,今日的跆拳道已不只是一种具有高度攻击能力的方法,而且还是一种精巧的形体艺术和健身方法。跆拳道极力提倡培养练习者具有高尚的道德品质,磨炼成刚强不屈的意志,健全和完美的风度以及蓬勃向上的体育精神。     

跆拳道技术教学的探讨

本文通过对普通高校跆拳道特点及及其教学原则和教学方法进行分析与探讨,以期对跆拳道的技术教学进行一定的理论参考和实践指导。     

浅谈电子制作对电子教学的影响

电子教学在不少学生看来都是较为困难与枯燥的,然而随着电子制作加入电子教学课程,电子教学变得不再那么枯燥与困难,让学员对其的学习兴趣大增。那么电子制作究竟对电子教学有何种具体的影响呢？为何为产生这种影响呢？本文将为你一一道来。     

浅谈跆拳道运动员力量素质训练方法

本文运用文献资料、逻辑分析等研究方法,从人体五大身体素质出发,对影响跆拳道运动员力量素质的生理学因素和力量素质在跆拳道运动中的重要性进行了阐述,着重论述了跆拳道运动员力量素质的训练原则和训练方法,最后针对跆拳道力量训练中容易忽视问题进行了总结,并提出合理的建议,旨在为科学合理的训练提供参考依据,为相关研究提供理论参考。     

跆拳道礼仪与大学生的传统文化教育

通过对跆拳道礼仪的研究,揭示跆拳道礼仪与中国传统文化的内在联系,旨在启发大学生练习者,在达到技术发展、技能发挥的同时,还可以培养出礼让、谦虚、完善的高尚品德,对大学生养成健康人格、品质具有积极的作用,并以此宏扬中国传统文化。     

电子—电子相互作用对电致发光高分子极化特征的影响

用同时计入电子－电子相互作用,外电场及电子－晶格相互作用的理论模型研究分析了电致发光高分子的极化特征,发现在位电子相互作用和相邻格点间电子的相互作用明显增加高分子中双激子态的反问极化。本文还探讨了反向极化这悠闲的的物理现象的意义可能的应用。     

中华武术败给跆拳道的商业启示

朋友的孩子最近去参加了一个美国国家级跆拳道比赛。在一通拳打脚踢后,他在参加的四项比赛里,拿了两个冠军和两个亚军。     

电子双棱镜的衍射对离轴电子全息图的影响

提出了一种用计算机模拟离轴电子全息图的方法。在该方法中，首先计算样品在物镜像平面的波函数，再逆向传播到电子双棱镜平面，在计算棱镜面的抽样时加上棱镜对电子波的偏转和棱镜丝的影响。由于考虑到了电子双棱镜超细丝的菲涅耳衍射对干涉图样的影响获得了与实验相一的模拟结果。     

电子阅读对图书馆工作的影响

随着网络和信息技术的快速发展,电子阅读作为一种新的阅读方式正逐渐走进人们的生活,与纸质阅读分庭抗礼,甚至逐渐超过了纸质阅读。与此同时,图书馆也正在从传统图书馆向数字图书馆转型。本文将就这一转型过程中,电子阅读对图书馆的基础设施、工作方式、馆藏资源的建设等方面的影响加以分析,为建设新时期新型图书馆献计献策。     

利用电子能量损失谱对二氧化铀电子结构的研究

锕系元素因具有复杂的5f电子结构,其显示出神秘而又独特的物理、化学特性.为了加深对锕系金属、合金和化合物的特异行为的理解,对其电子结构精确表征的重要性日益凸显.电子显微技术与电子能量损失谱技术的结合在锕系元素原子结构和电子结构研究中发挥了至关重要的作用.本文采用电子能量损失谱研究二氧化铀的5f电子结构,并讨论了铀5f电子的相互作用特性.     

谨防污染物对电子组装的影响

从事电子产品制造生产的人们一定知道，消除生产制造工艺处理中出现的问题就意味着提高效率和实现有效的生产，从而形成快速的生产周期和较高的利润空间。目前随着市场经济的深入发展，PCB制造厂商之间的竞争愈演愈烈，其结果导致利润不断缩减。所以从某种意义上来说，一家PCB制造厂商能否优化生产制造工艺将决定其在这个竞争的市场上的成长或被淘汰。PCB装配厂商同样面临着各种各样的挑战：不断上涨的各项费用、不断趋小的容许偏差和精细间距，以及不断增加的用户要求，这将迫使PCB装配厂商在保持原生产制造费用的同时，重新审视正在…     

缺陷对石墨烯电子结构的影响

基于第一性原理计算方法,通过密度泛函理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现,多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态对应的能带,并导致其能隙有不同程度的增大,而且与之对应的态密度也随之发生相应的变化。其中,Stone...     

压力对NiO晶体结构及电子结构影响的理论研究

采用密度泛函理论的方法研究了不同压力条件下立方结构NiO氧化物的晶格结构、稳定性和电子结构。计算结果表明,NiO氧化物的晶格参数逐渐减小,键长变小,对称性保持不变;体系费米能先降低后增加;零压力下其存在着0.46eV的间接带隙,费米能级附近的状态密度较低,随着外压力的增加,带隙先减小再增大,费米能级附近的态密度先增大再减小。分析结果表明,随着外压力的增加,NiO氧化物价带顶附近的载流子有效质量先增大再减小;导带底的载流子有效质量均较小。外界加力还改变了NiO体系的电子分布情况。     

强电场对NiO电子结构性质的影响研究

基于平面波密度泛函理论研究了电场强度为10V?nm-1下立方结构氧化镍的电子结构性质。结果表明:立方相氧化镍在电场强度10V?nm-1下呈现导体的能带结构,价带上移到导带,态密度谱图在多个能量取得最值,局域化效应增强,费米能级附近的态密度增大为原系统的2倍多。费米能级上的载流子浓度由4 e/eV增大到15 e/eV,这源于Op、Nis、Nid态对费米面的贡献。强电场下的电子在不同量子状态之间显示了明显的转移,介电函数计算表明强电场下体系在0.32 eV附近具有最大的吸收,吸收峰峰值66.89。强电场明显调控了NiO的电学、光学和场致光吸收性能。