硅PNP型大功率达林顿晶体管

达林顿晶体管增益大、可靠性高,尤其在大功率应用中更加简便。介绍了20 A硅PNP达林顿晶体管的设计思路、芯片的内部结构、工艺流程和工艺参数,同时列出了制造的产品的电性能测试结果。     

达林顿晶体管的PSpice建模和仿真

达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的,一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIP120仿真的,比如在不同的集电极-射极饱和电压状态下的电流增益（hVE）,集电极电流VS,输入级电流,以及集电极-射极饱和电压和集电极电流之间的关系。     

异质结光电晶体管增益特性分析

从理论上分析了用宽带隙材料作发射区的ｎ－ｐ－ｎ光电晶体管可提高其发射区注入效率，就ｎ－ｐ－ｎ光电三极管的增益特性进行了研究，给出了光增益与电增益的关系。     

改进达林顿管输出特性的措施

单片功率达林顿器件既保持了分立器件的高耐压、大电流、高功率容量的优点,又是一种简单的功率集成。为了提高其热稳定性及改善输出特性,R_1及R_2的选取是十分重要的。本文着重介绍了一种方法:采用双次P扩散和对T_1、T_2管隔离的办法,利用基区薄层电阻作为R_1,从而提供了一种可以独立控制电阻R_1的办法,工艺上很容易实现,R_1的一致性又非常好,全部控制在5kΩ以上,I_c达10A时,I_b注入<0.2mA即可开启。     

达林顿功率晶体管电流增益的计算机模拟

本文介绍了用数值分析法对GTR单管结构和达林顿结构的电流增益进行计算机模拟,得到几个影响电流增益的主要因素;提出一种适合工作在大电流段的GTR电路模型参数的提取方法,为GTR达林顿结构及应用电路的网络分析提供了有效的途径。     

达林顿功率晶体管稳定电阻最佳设计及温度特性的改善

本文探讨了达林顿功率晶体管稳定电阻的最佳设计及温度特性改善措施,通过生产实践得到了证实.     

SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.     

达林顿光电耦合器电路的特性和应用

介绍达林顿光电耦合器的特性和结构，讨论光耦电路的设计要求、工艺实现和应用领域。     

硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.     

SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

利用窄能隙SiCGe三元合金，采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法，提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构，并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究. 分析结果表明，SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性，其饱和导通压降为4.5V左右，且宜于强光工作.     

A new design of the SiC light-activated Darlington power transistor

A SiC light-activated Darlington heterojunction transistor is proposed for anti-EMI (electromagnetic interference) applications, in which a monolithically integrated SiCGe/SiC pn heterojunction photodiode is employed to produce a light-induced base current for triggering the transistor. Performance of the proposed light-activated power switch was simulated using MEDICI tools. Feasibility of the proposal is confirmed by its good light-activation characteristics obtained from the simulation. The simulation also demonstrates that good I-V characteristics with a light-independent turn-on voltage knee of about 5 V may be achievable to the light-activated power switch has.     

SiCGe/3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真

针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的Ⅰ-Ⅴ特性,饱和压降大约为4V.     

Design and Simulation of a Light-Activated Darlington Transistor Based on a SiCGe/3C-SiC Hetero-Structure

针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的Ⅰ-Ⅴ特性,饱和压降大约为4V.     

达林顿管瞬态热阻测试方法的研究

达林顿管是一种两级或多级的复合管。功率型的达林顿管的功率级是后极,而后极功率管的δVbe不能直接测量,所以,达林顿管瞬态热阻测量仪器的研发一直是一个的难点。从晶体管的瞬态热阻测量原理出发,研究了达林顿管的热阻测量方法。此方法也可以引申到达林顿管稳态热阻的检测中。     

硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究

介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状.针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件直流参数的统计分析,初步得出了其失效机理.     

1.46~1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术,器件在1.46～1.66GHz频带内,脉宽200μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于250W,功率增益大于7.0dB,效率大于45%.     

新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析

给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算、光通信等领域中具有较好的应用前景