Fe—Mn合金高温相图的电子理论计算

本文根据余瑞璜提出的“固体与分子的经验电子理论”,应用集团变分方法和余氏理论的键能公式,建立了一个计算具有bcc和fcc结构二元合金自由能的电子理论模型.利用这一模型计算了Fe—Mn二元合金高温区的平衡相图,理论计算与实验结果相符.     

L2′型多元固溶体价电子结构的计算

本文利用余瑞璜的“固体与分子经验电子理论”提出:(1)₂^′型多元置换、间隙型固溶体的价电子结构计算模型;(2)未知键距结构固溶体的键距差(BLD)分析方法;(3)BLD分析中解的不唯一性的处理。     

锕系金属结合能的计算

应用固体与分子经验电子理论给出了锕系金属结合能的计算公式:计算了9种已知晶体结构的锕系金属的结合能,其值与实验值基本符合;预测了6种未知结构锕系金属的结合能。     

一种DV—Xα计算d~N配位场谱的方法——对(CrF6)3-的应用

本文延伸通常的DV-X_α计算,应用Bird等人的配位场理论方法,提出一种理论计算过渡金属络合物的d^N配位场谱的方法。通过对(CrF₆)^3-的d³配位场谱的计算和与实验及其他理论结果的比较,表明该方法是方便而又有效的。     

激光晶体MgF2:Co2+的MS-Xα计算——Ⅱ.激光晶体的Xα研究

本文报道了具有D_2h格位对称性的过渡金属络离子(CoF₆)^4-的自旋非限制MS-X_α计算结果。给出了单电子本征值和本征函数。讨论了激光晶体MgF₂:Co²⁺的电子结构。用Slater过渡态方法计算了晶场分裂参数10D_q及电荷转移跃迁能量,结果与光谱及XPS实验值符合得很好,并且优于组态相互作用从头计算结果。由Case-Karplus电荷分配法得到了Co²⁺的自旋-轨道耦合常数λ。最后对两种调谐激光晶体MgF₂:Co²⁺和MgF₂:Ni²⁺的电子结构进行了比较。     

过渡金属Ni晶界的电子结构

本文基于重位点阵模型,用分子动力学方法弛豫界面原子,给出倾转∑5晶界原子坐标.在此基础上,用递推方法计算了过渡金属Ni的晶态及含晶界态的电子结构,给出了晶界能、键序及原子间相互作用,以及电荷转移信息.同时,定义了界面电子活性.结果表明:预弛豫的∑5晶界是一类可能出现的结构,且有俘获电子的作用.此外,计算还表明,与晶态相比,界面原子间力有减弱的倾向,这意味着界面原子属弱连接结构.     

碱金属自扩散激活能EAM计算

运用过渡族金属bcc结构EAM(embedded atom method)模型,计算了碱金属Li,Na,K,Rb,Cs的单空位自扩散激活能、双空位形成能和双空位结合能,计算的单空位迁移能和迁移激活能同实验结果符合得很好,计算的双空位迁移能和迁移激活能同已有的实验结果基本相符。     

光纤面板传输机理研究(Ⅰ)

光纤面板中元光纤是传递光信息的信道,元光纤特性对信息量传输有很大影响.本文建立了扩散型元光纤的物理模型——“三层结构光纤”,引入“过渡层模”的概念,推导出导模与过渡层模传输的本征方程,定义了元光纤传输效率与串光的表达式,并就几个低次模式计算了各种扩散情形、结构设计参数下的传输效率.结果表明:扩散过渡层的存在是影响光纤有效传输、造成串光的重要因素.     

过渡金属Ni晶界原子结构及界面掺杂响应

基于重位点阵模型,用分子动力学方法对过渡金属Ni多种母函数(∑3,∑5,…∑19,…∑33)的晶界原子结构进行了弛豫计算,给出了相应于各类晶界的原子结构特征以及预参量对界面结构的影响。为探索与物性密切相关的掺杂界面响应,选择了∑3倾转晶界,基于间隙及空位机制,以势能及畸变能为判据,研究了晶界掺硼、氮及磷的界面响应,给出了掺杂的最可几位置,掺杂对界面结构的影响以及界面精细结构对掺杂类型的依赖性及掺杂量排序,基于弛豫区局域能量分析,表明轻杂质硼、氮和磷具有界面偏聚倾向且在不同程度上改变了界面结构的原子组态特征并预期了掺杂对界面的可能影响。     

晶化导向剂作用下NaY沸石晶化过程的研究

本文在晶化导向剂的作用下,研究了NaY沸石的晶核形成和晶体成长过程。在55°—100℃的温度区间内,计算了该沸石的晶核形成和晶体成长的表观活化能。研究了NaA沸石在NaY沸石的晶化条件下转变为NaY沸石的重新晶化——转晶过程。其过程可表示为: 无定形硅酸铝凝胶 NaA→NaY NaA→Nay并发现当凝胶晶化几乎完全时,NaA沸石才开始重新晶化。由扫描电子显微镜观察和转晶动力学曲线表明,其机理包括NaA沸石晶体表面的“降阶”和溶解过程。NaY沸石的晶核形成和晶体成长是直接发生在NaA沸石的晶体表面。     

氧化物型晶体电光和非线性光学效应的阴离子配位基团理论

为了使新型电光和非线性光学晶体材料的设计和研制有可靠的理论基础,文中对氧化物型晶体的这些光学效应,同它内部微观结构之间的相互关系进行了系统的研究。在这基础上,提出了“阴离子配位基团理论”,认为晶体的电光、倍频效应来自晶体中的离子基团。应用定域化轨函计算方法,简便地阐明了钙钛矿型和钨青铜型晶体中氧八面体的畸变,与电光、倍频效应之间以及碘酸盐中(IO₃)基团与倍频效应之间的定量关系;对其它氧化物型(如磷酸盐、钼酸盐、硫代砷酸盐等)电光和倍频材料,也同样能根据这个理论阐明(PO₄),(MoO₄),(As S₃)等基团同倍频效应之间的关系。 最后还就定域化轨函理论方法的进一步发展作了初步讨论。     

由Nd2Fe14B的晶体结构直接给出其价电子结构的分析

本文根据Herbst报道的Nd₂Fe₁₄B晶体结构资料,用余瑞璜的固体与分子经验电子理论中的键距差方法,直接给出了晶体价电了结构。得出在Nd₂Fe₁₄B晶体中处于各种晶位的各类元素的杂阶:B(g)-6,Nd(f)-1,Nd(g)-1,Fe(c)-A15,Fe(e)-A13,Fe(j₁)-A10,Fe(j₂)-C3,Fe(k₁)-A7,Fe(k₂)-A8和相应共价键络;最强键为n₃=0.5819。根据价电子结构计算了各类铁原子周围的电荷分布,通过含Fe原子的水平平面上、下两侧电荷分布的比较,分析了Fe的原子磁矩指向C方向的原因。指出j₂晶位上的Fe原子具有大的原子磁矩(计算值为m^3d)=3.4587_μB,实验值m=3.32_μB)的原因是近邻稀土原子的影响和该原子晶位具有较大结构体积。     

激光晶体的Xα研究——Ⅳ.金绿宝石的DV-Xα-HF计算

本文首次报道了原子簇(BeCrO₆)^7-的DV-X_α-HF计算结果,给出了单电子能量本征值、晶场参数10D_q和电荷转移跃迁能量,并且把DV-X_α-HF方法推广到普遍的多重态计算和组态混合,我们的计算结果与激光晶体金绿宝石的吸支谱实验符合得很好,这表明DV-X_α波函数和双电子算符的结合可能为原子簇的多重态计算提供了一种较为简便而有效的方法。     

论星系盘上密度波的传播与演化——Ⅱ.薄过渡层近似理论

本文提出了一种波子不稳定演化过程的简化理论——薄过渡层近似,并且把这一理论得出的结果与G-L片理论进行了比较与讨论。     

40CrNiMo的价电子结构及其对相变动力学的影响

利用余瑞璜的“固体与分子经验电子理论“对40 CrNiMo奥氏体结构进行了键距差(BLD)分析,依据原子杂化状态、原子磁距、实验键距等已知资料建立了40 CrNiMo奥氏体的价电子结构;用固溶体微观不均匀性理论进行推理揭示了C-Cr,C-Ni,C-Mo在奥氏体中的短程偏聚。用电子显微分析及能谱分析证实了C-Cr,C-Ni,C-Mo偏聚对相变产物的影响。据此,40 CrNiMo等温转变动力学曲线的形成便追溯到合金相的价电子结构。     

在普通有限核中的π凝聚效应

根据Migdal的预言,即在普通有限核中可能存在着π凝聚现象,我们从赝矢πN耦合和唯象的ππ有效相互作用出发,导出了由于π凝聚的存在所引起的核密度的调制。基于这一调制,我们研究了在高能粒子核散射,μ介子原子的X射线能谱和原子核结合能等核现象中的π凝聚效应。结果表明:在大部分过程中都有足够的机会表现π凝聚的作用;而且理论与实验更符合了。     

掺镁铌酸锂晶体阈值效应的研究

本文测量了一组掺镁和掺铁铌酸锂晶体的OH~-吸收谱、光吸收边、点阵常数、密度、色心吸收谱和Fe³⁺室温ESR谱及它们与掺镁浓度的关系。观察到存在着掺镁浓度的阈值效应。用缺陷化学讨论了掺镁铌酸锂晶体缺陷结构,给出不同浓度下晶体中存在的缺陷格子及其消长规律。计算表明,当一致熔化组份晶体中掺镁浓度达到5.3mol％时,将出现合有Nb位Mg²⁺的缺陷晶格。认为这是“阈值”的主要标记。用由此引起的LiNbO₃品格中离子环境的改变较满意地解释了上述实验结果,阈值浓度的计算值与实验相符。用本文的结论解释了高浓度掺镁铌酸锂晶体抗光伤能力成百倍提高的原因,这对于其他ABO₃型电光晶体的改性研究同样是有意义的.     

轻闭壳核的相对论性自洽场理论处理

本文考虑了一个由交换标量和矢量玻色子而相互作用着的核子系统的相对论Dirac-Hartree模型。我们应用此模型,对¹⁶O,⁴⁰Ca和⁴⁸Ca等闭壳核作了相对论自洽场计算,在计算自洽迭代势中,采用样条函数方法和高斯积分,以改进数值计算,对结合能、能量本征值、自旋—轨道劈裂、均方根半径等等,作出了计算。这个模型能较好地描述这些物理量,计算结果对于标量玻色子参数变化的敏感性也作了讨论。     

键参数函数及其应用(一)——金属键的形成条件

本文讨论了化学键参数∑z/r_k) (或∑z*/r_k)和△x与金属键形成条件的关系,提出了半经验函数φ(g),用以研究金属化合物的化学键类型。     

不可约张量方法与分子结构(Ⅲ)——对过渡金属及稀土元素络合物的应用

本文将文献[1-2]发展的不可约张量方法运用于过渡金属络合物和稀土络合物的能谱计算,并且讨论了这种方法与配位场理论的关系。