纳米ZrO2固体低温内耗谱的研究

本文系统研究了不同颗粒度的纳米ZrO₂块状固体从室温至-200℃的内耗和模量.发现三个内耗峰(P₁,P₂和P₃——对应升温测量或P''₁,P''₂和P''₃——对应降温测量),通过这些内耗峰行为的研究,可以看出,P₃或P''₃峰可以归因于晶界的弛豫,即它是由于纳米ZrO₂固体中晶界的滑动产生的.P₂(或P''₂)与纳米ZrO₂在低温下的相变有关.随着退火温度的升高,能量耗散迅速减小,模量明显增大.     

关于有限p-群的正规闭包的一些条件

Berkovich 提出了研究满足下列条件的有限p-群G, 对于G的每一个非正规子群H满足(N₁)exp(H)=exp(H^G); (N₂) |H^G:H|≤ p; (N₃) H^G=HG''. 本文首先研究满足条件(N₃) 的有限p-群,然后讨论满足条件(N₁); (N₂) 和(N₃) 的有限p-群.     

Nasicon结构的快离子导体

本文根据结晶化学原则和快离子导体中离子快速迁移的条件,探索Nasicon结构的快离子导体。研究了Na₃Zr_2-xYb_xSi_2-xP_1+xO₁₂,Na_1.8+xZh_1.2Yb_0.8Si_xP_3-xO₁₂和Li_1+xTi_2-xIn_xP₃O₁₂等系统的相关系和电导及其结晶化学规律性,得到了新的钠离子导体和锂离子导体。     

在替代式无序赝一维导体中Peierls不稳定性和超导电性

本文用CPA方法计算了在赝一维导体中替代式无序对Peierls转变温度(T_p)及超导转变温度(T_c)的影响,讨论了在这些系统中探索具有稍高T_c超导体的有利条件。     

三矩阵乘积的(T,S,2)-逆的反序律

矩阵A的(T,S,2)-逆是指适合XAX=X,R(X)=T和N(X)=S的矩阵X,以矩阵的秩为工具,本文研究了三矩阵乘积的(T,S,2)-逆的反序律,给出了(ABC)_(T4,S4)⁽²⁾=C_(T3,S3)⁽²⁾B_(T2,S2)⁽²⁾A_(T1,S1)⁽²⁾的充要条件。     

图的2-强边色数的上界

本文研究了图的2-强边色数的上界. 利用图染色的概率方法中的一般局部引理, 得到了3 ≤Δ ≤ 730时,χ''_s(G,2) ≤ 2Δ + 1, 推广了参考文献[11,12]中的结果     

深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型

对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zn_i^?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zn_i^?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''_Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''_Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证.     

La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其电性能的研究 *

系统研究了在LaAlO₃ ,SrTiO₃ 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La_0.5Sr_0.5CoO₃薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻 温度关系 .研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性 ,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征 ;在LaAlO3 衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能 ;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理 .     

某类振荡积分算子在Lebesgue空间及Wiener共合空间上的映射性质*

假设 β₁ > 3α₁ > 0, β₂ > 3α₂ > 0,给定函数f(x) ∈ S(R³), 定义算子T_α,β如下:T_α,βf(x,y,z) = p.v.ZT_Q2f(x- t, y-s, z-γ(t)h(s)) e^{-2πit-β₁ s-β₂}/t^1+α₁ s^1+α₂dtds.本文主要考虑如上定义的算子T_α,β在Lebesgue空间L^p(R³)及Wiener共合空间W(FL^p, L^q)(R³)上的有界性. 这里 Q² = [0, 1] × [0, 1], γ(t), h(s)满足适当的条件.作为应用, 本文还考虑了带粗糙核的奇异积分算子在乘积空间上的有界性.     

离子注入对YBa2Cu3O7-x薄膜超导性能的影响

本文报道了Ar和F离子注入对YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa₂Cu₃O_7-x薄膜T_c,J_c和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,T_c和J_c随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×10¹³Ar/cm²时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×10¹³Ar/cm²时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。     

关于P2(C)全纯曲线唯一性问题的注记*

本文讨论P²(C)中全纯曲线相交处于次一般位置超平面的唯一性.设f₁, f₂, · · · , f_λ为P²(C)中线性非退化的全纯曲线,H₁, H₁, · · · , H_q为P²(C)上处于m-次一般位置的超平面,满足A_j :f₁^-1(H_j) = · · · =f_λ^-1(H_j) (1 ≤ j ≤ q)且A_i ∩ A_j = ?(i = j).假设存在整数l (2 ≤ l ≤ λ),使得f_j1(z) ∧ f_j2(z) ∧ · · · ∧ f_jl(z) = 0 (z ∈ A_j)对任意l个指标1 ≤ j₁ < j₂ < · · · < j_l < λ成立.那么当 q > 2λ/λ-l+1 + 3/2 m时, f₁ ∧ · · · ∧ f_λ ≡ 0.关键技术是第二基本定理中不等式改进为: ∥(q - 3m/2)T_ft(r)≤ Pjq=1N²(f_t,H_j )(r, 0) + o(T_ft(r))(1 ≤ t ≤ λ).     

Si1-xGex/Si量子阱价带子带间跃迁的偏振特性及Kerr效应的研究

首先用Fourier红外吸收谱对p型掺杂的Si_0.75Ge_0.25/Si量子阱价带子带间跃迁的偏振特性进行了研究。实验表明TE和TM偏振光均能激发价带子带间跃迁,并在HH₁→HH₂跃迁中观察到很强的二向色性。同时分别在45°及垂直入射的情况下,对加有直流电场的样品进行Fourier红外电致吸收测量,首次得到样品在不同直流电场下吸收系数变化谱和折射率变化的电场依赖关系(Kerr效应)。在外电场作用下测得的较大△n(∝E²)及子带间跃迁的偏振特性表明,SiGe/Si半导体量子阱材料在焦平面阵式布列的集成线路及光电器件等应用方面具有潜在优势。     

Am×n矩阵的加边矩阵的奇异性问题

给定m×n阶矩阵A,我们给出了它的加边矩阵M=[A B C O] (1)为非奇的充分必要条件。其中O为r₁×r₂阶零矩阵。把M的逆矩阵记为分块形式M^-1=[A₁ B₂ C₃ O₄]其中C₁为n×m、C₂为n×r₁、C₃为r₂×m、C₄为r₂×r₁阶矩阵。在一定条件下,我们证明了其中的C₁为A的广义逆矩阵A⁺。     

应用Rietveld方法研究氧化锆的晶体结构

采用XRD及Rietveld粉末衍射峰形拟合方法对氧化锆的晶体结构及其相变进行了研究 .当掺杂CeO₂ 和Y₂ O₃后 ,氧化锆的晶体结构发生了由单斜向四方的转变 .四方氧化锆的空间群为P42 /nmc ,Z =2 ,对于CeO₂ ,Y₂ O₃稳定的ZrO₂ 其晶格常数分别为a =0 .3 62 6( 5 )nm ,c =0 .5 2 2 6( 3 )nm及a =0 .3 60 2 ( 8)nm ,c =0 .5 179( 1)nm ,单胞中阳离子Zr⁴⁺ ,M (M =Ce⁴⁺ ,Y³⁺ )和阴离子O^{2 -} 分别占据空间群的 2b和 4d晶位 ,还从晶体学角度讨论了立方、四方、单斜 3种不同结构的氧化锆之间的相互转换关系 .     

变参数波纹喇叭的分析与计算

本文在充分考虑电磁波在不连续面左、右两侧入射时的模转换的前提下,在场匹配原理的基础上应用矩阵理论和耦合波理论导出了两种变参数(连续变化和折线式变化)波纹喇叭的模转换的理论计算公式,并应用导出公式计算了一个环加载波纹喇叭的模转换及辐射特性,分析了EH₁₁表面波模和EH₁₂高次模对喇叭辐射特性的影响,理论计算值与实测值得到了较好的吻合。     

一类弱拟凸域上的Bergman型算子

得到了算子在空间 L^p(Ω_a,dv_λ)(1< p< ∞)上有界的充分必要条件,其中h(ξ)=(1-|z|²)^α-|w|²,K_s,_u,_v)( ξ , ξ'' )为一核函数.作为应用,证明了对所有多重指标α=( α₁,…,α_n)和β=(β₁,…,β_n),f∈L_H^p(Ωα, dv_λ)蕴含1≤ p<∞.     

蔊菜有效成分的研究

从十字花科植物蔊菜Rorippa montana(Wall) Small的全草中分得两种结晶,命名为蔊菜素和蔊菜酰胺。其分子式经元素分析和光谱测定,分别定为C₁₁H₂₁NO₂S和C₁₁H₂₃NO₃S.经红外光谱、核磁共振光谱和质谱推断,并由合成方法证明了它们的结构式分别为:CH₃SO₂CH₂(CH₂)₇,CH₂CN(rorifone)和CH₃SO₂CH₂(CH₂)₇CONH₂ (rorifamide)。 蔊菜素经100例临床试用(口服:每人200—300毫克/日,连服20天)治疗迁延期慢性支气管炎,显效率为41.9％,总有效率为90.8％,另一组337例以相同剂量服用30天,显效率54.3％,总有效率88.43％。 蔊菜酰胺药理试验效果不明显,未进行临床验证。     

关于某类带参数λ的四阶非对称微分算子性状之研究

考虑如下具有振动背景的带参数λ的四阶非对称微分算子A_λ及其一般化?_λ:A_λ:(K_(i,j),‖·‖_H⁴)→(A_λK_(i,j),‖·‖_L²),0≤iλ:(K_(i,j),‖·‖_H⁴)→(A相似文献   

(BaxY1-x)CuO3-y系统的超导电性

本文系统地分析了组份和制备条件(包括热处理温度、时间等)对超导氧化物(Ba_xY_1-x)CuO_3-y正常态电子输运特性和超导临界温度的影响。在x=0-0.55的组份范围内,系统经历了从半导体(绝缘体)到金属(超导体)的转变;随着组份x的增大,超导临界温度T_c单调上升。结合物相分析的结果,对该系统的高温超导电性机制和正常态输运特性作了讨论。     

脉冲532nm激光导致的HoP5O14非晶紫外上转换发光的分析

本文报道了532nm 脉冲激光导致的 HoP₅O₁₄非晶的紫外上转换发光现象.从实验和理论上对上转换发光现象、机理和通道进行了测量、分析和计算,表明单离子的步进双光子吸收和离子间能量传递共同参与而感生了其上转换发光.