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采用直流磁控溅射法在NdGaO3 ( 110 )衬底上制备了La2/3Ca1/3MnO3-δ外延单晶薄膜 .在 0~8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度TC 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H2 ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。 相似文献
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设Xε=|Xε(t);0≤t≤1|(ε>0)是由随机发展方程 dXε(t)=ε(1/2)σ(Xε(t))dB(t)+b(Xε(t),ν(t))dt控制的随机过程,其中ν(t)是与Brown运动B(·)独立的随机过程。讨论了|(Xε,ν(·));ε>0|的大偏差性质;在特殊情形下,给出了精确的速率函数,解决了Eizenberg和Freidlin所提的一个问题。此外,还得到一个一般性大偏差定理。 相似文献
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将2θ(204)-2θ(400)角度差(称为E函数),与△θ1=2θ(131)-2θ(131),△θ2=2θ(241)-2θ(241),Γ=2θ(131)+2θ(220)-4θ(131)或△θ1-△θ2等角度差相配合,可以对An0—An70范围内的斜长石An含量和结构状态作出合理的鉴定.将E=2θ(204)-2θ(400)CuKα分别投于△θ1—An(mol%),△θ2—An(mol%),Γ—An(mol%)和△θ1—△θ2—An(mol%)图中,即得到四个鉴定图(图1—4).运用本文的方法,在一未知斜长石的x射线粉末衍射图中测定出所需反射的2θ值,再将有关的2θ差值投于相应的鉴定图中,便可容易地同时鉴定出该斜长石的An含量和结构状态. 相似文献
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本文证明了下述结果: 设f(z)是一个ρ级亚纯函数。记f(z)的i级导数,f(i)(z)(f(O)(z)=f(z)的反函数的判别有穷非零直接超越奇点个数为pi,则当ρ≥1时,有和当0≤ρ<1时,有p≤1。 相似文献
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研究由拟共形理论中的η-偏差函数ηk(t)定义的某些函数的单调性,并从其得出ηk(t),ηk(t)-t和ηk(t)-λ(k)等函数的渐近精确的上下界.从而揭示了关于解析函数的Schottky定理中上界函数的一些性质,改进了它的已知的显式估计. 相似文献
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本文主要证明了下述结果:设f(z)是ρ级整函数,fi(z)是它的i(i>0)级导数或—i(i<0级积分(f(z)≡f0(z))。记f(i)(z)的反函数的判别有穷非零直接超越奇点个数为pi,则有sum from i=-∞ to +∞ pi≤ρ。 相似文献
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本文研究在条件(1.2)(其中e1,e2,…,假定有不同的分布)之下,估计σ2(n)的大样本性质,得到了:
1.σ2(n)为σ2的弱相合估计的必要条件;
2.σ2(n)为σ2的强相合估计的必要条件和充分条件,二者差别不大(有可能,必要条件也是充分条件)。 相似文献
1.σ2(n)为σ2的弱相合估计的必要条件;
2.σ2(n)为σ2的强相合估计的必要条件和充分条件,二者差别不大(有可能,必要条件也是充分条件)。 相似文献
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考虑微分方程d2x/dt2+g(s)=p(t),其中g(x)∈C1(R);P(t)∈C(R)是2π周期函数。本文在假定g(0)=0,m2≤g′(x)≤(m+1)2,m为非负整数的情形下,比较完整地解决了方程(1.1)的2π周期解的存在问题。 相似文献
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本文在相当广泛的条件下证明了文献[1]中关于样本自相关函数ρ(t)的一致收敛速度的结果,特别取消了E(ε(0)2|?-∞)是常数这一条件,这里ε(n)是新息。在这些条件下还讨论了ρ(t)服从中心极限定理和重对数律的问题。另外,在较弱的条件下对样本协方差函数r(t)证明了文献[2]中结果及中心极限定理和重对数律,特别减弱了E(ε(n)2|?n-1)是常数这一条件。 相似文献
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设x是一个实数,a,q是正整数并且满足1≤q≤(logx)3,(a,q)=1。在本文中我们证明了:如果x≥e11.5,则有其中sum from l=1 to q表示 sum from l=1 (l,q)=1 to q。μ(n)表示Mbius函数,φ(x;q,l)=sum from n≡l(mod q) n≤x ∧(n), τ(?)=sum from h=1 to q(?)(h)e(h/q)。当存在模q的实特征使得L(s,)有实零点■≥1-logq/0.1077时■=1;否则■=0。 相似文献
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设x,y∈Rn,x被y所控制记作x(?)y。又w∈Rn,令Sk(x)为第k个初等对称函数。Qm,n为前n个自然数取m个的严格增序列的集合。对于β∈Qm,n写wβ=(Wβ(1),…,WB(m)∈Rm。本文主要证明了下面的结论:(1)Sk(x)在(?)w上是Schur-凹的充要条件是(2)Sk(x)≥0,(?)x∈(?)w的充要条件是Sk(w)≥0且Sk(x)在(?)w上是Schur-凹的(3)Sk(x)≥0,(?)x∈(?)的充要条件是 相似文献