有机光子选通烧孔材料中受体浓度对光致填孔的影响研究

研究了光谱烧孔的填孔过程，在几种有机电子转移型永久性烧孔材料中，得到了光谱烧孔的光擦除过程中孔的擦除程度随样品中受体浓度的减少而减弱，并受擦孔光的光子能量影响，同时与受体本身性质有关的实验结果．得出填孔过程也是一种电子转移过程的结论，并提出了一个能级模型对实验结果进行了分析．     

光子选通多重光谱烧孔中的光致填孔机制

报道了给体－受体电子转移型材料ｚｉｎｃ－ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｒｉｎ＋ｚｉｎｃ－ｔｅｔｒａｐｈｅｙｌ ｂｅｎｚｏｔｒｉｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｒｉｎ／ｐｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚａｌｄｈｙｄｅ／ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌ）ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ的光子选通多重烧孔过程。结果表明要获得高质量的多重光谱孔，从短波往长波的逐次烧孔更为有效。其影响来自与波长有关的光致填孔现象，造成该填孔的主要机制     

混合卟啉体系中的光化学烧孔

在有机电子转移型烧孔体系中,混杂两种电子给体-苯并卟啉锌衍生物分子,可增加吸收带的非均匀宽度。本文通过对光谱孔的宽度和烧孔效率的讨论,证明了混杂电子给体的方法对孔宽和烧孔效率无明显影响,可以达到增加此类材料体系的烧孔数目,提高信息存储密度的目的。     

光谱烧孔技术

论述了光谱烧孔技术的动力学理论模型 ;介绍了单光子烧孔和多光子烧孔所取得的实验结果 ;讨论了光谱烧孔的发展趋势 :提高烧孔度 ,实现室温烧孔和提高探测及读出时的信噪比。问题的关键在于光致填孔机制的研究。同时提出将它投入实际应用亟待解决的问题 ,即作为一种可能的高密度频域光信息存储手段所亟待解决的问题是开发适应于此技术的新材料 ,深入研究材料体系的烧扎特性     

光谱烧孔的偏振探测

在光子选通给体０体电子转移光谱烧孔的实验基础上，新采用了偏振方法探测烧出的孔，使孔的检测灵敏度和信噪比均得到了大幅度的提高。以此为工具，烧出了很好的多孔，并做了一系列样品烧孔性能的测试和分析。     

卟啉类有机体系THP／PMMA的永久性光谱烧孔

首次报道了四-对羟基苯基卟吩/有机玻璃体系(THP/PMMA)的单光子永久性光谱烧孔.研究了烧孔特性和成孔条件.测量了孔的稳定性,在液氦温度下孔的保存时间已超过几个小时.实现了孔的擦除和重复烧孔.探讨了烧孔机制,认为激光诱导质子转位变构是导致该体系永久性光谱烧孔的原因.     

用光谱烧孔研究卟啉掺杂的高分子薄膜中电子-声子的相互作用

本文对电子给体、受体双掺杂在高分子薄膜中形成的光谱烧孔体系,做温度循环实验,研究体系中电子-声子的相互作用,得到了表征电子-声子耦合强度的黄昆因子和薄膜中局域振动的声子频率.     

BaSO4Sm^2＋晶体的光谱及光子选通烧孔效应

首次报道—种新的无机光子造通光谱烧孔材料——BaSO_4:Sm~ (2+)的烧孔效应.并给出了有关光谱性质的实验结果.     

无机材料BaFCl0.5Br0.5：Sm^2＋光子选通光谱烧孔

本文报道了无机材料的BaFCl_(0.5)Br_(0.5):Sm~(2+)的光子选通光谱烧孔.文中叙述了光子选通光谱烧孔的机制.在低温4.2K下进行多孔烧孔和探测.测量了孔的选通性和稳定性.实现了孔的可擦除和重复烧孔.测量结果表明,处于4.2K的BaFCl_(0.5)Br_(0.5):Sm~(2+)样品,在一个非均匀加宽轮廓内可实现1×10~3个以上数目的永久性光谱烧孔.     

二价钐离子谱线的非均匀加宽、荧光窄化和永久性光谱烧孔

基于光谱烧孔在高密度光存储中的可能应用,研究了谱线非均匀加宽、荧光谱线窄化、高温永久性光谱烧孔、烧孔机理、烧孔动力学过程和光谱孔的热稳定性。在国际上率先设计并研制出二价钐离子掺杂碱土金属氟卤化物混晶高温光谱烧孔体系,实现了室温永久性光谱烧孔,获得了室温寿命300h的光谱孔。利用时间分辨光谱分离出非均匀线形内的各局域组态,比较烧孔前后光谱再分布证实了三价钐离子的电子陷阱作用。利用Block理论分析了烧孔动力学过程。     

分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性

采用分子束外延技术在蓝宝石衬底上制备Ｍｇ掺杂的立方相ｐ－ＧａＮ,并对其不同温度下的光致发光光谱进行了研究．实验观察到高Ｍｇ掺杂ＧａＮ中施主受主对发光的反常温度行为．理论分析表明,高Ｍｇ掺杂ＧａＮ中施主受主对的发光受到陷阱与受主间竞争俘获非平衡空穴过程和空穴隧穿输运过程的影响．     

小孔等离子体运动实验方法

在间接驱动惯性约束聚变的黑腔中,辐射烧蚀的高Z等离子体的流体力学运动过程对激光注入黑腔的效率、辐射场均匀性和通过诊断口的黑腔辐射温度诊断都有显著影响。为研究诊断口在黑腔辐射场中的等离子体缩口过程,用激光产生X光辐射加热低Z泡沫填充的金黑腔诊断口,以激光辐照钛平面靶产生的2～5 keV高能段窄能区X光作为背光源,用X光分幅相机获得了源靶和小孔靶两种靶型的小孔等离子体运动过程图像,研究了X光烧蚀的小孔等离子体的流体力学运动过程,探索了定量测量小孔等离子体面密度的空间分布与时间演化过程的实验诊断方法,初步给出小孔等离子体的面密度。     

High resolution magneto-optical studies of p-InSb

High resolution photoconductivity and transmission spectra in p-InSb are obtained over a wide temperature range at magnetic fields from 9 to 100 kG using a CO₂ laser. The low temperature results are described in terms of hole transitions from the acceptor ground state to excited states associated with free light-hole Landau states.     

光子晶体波导对垂直腔面发射激光器光束远场形貌的调控

研究了光子晶体波导对垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束远场形貌的调控.采用三层对称平板波导模型分析了影响光子晶体VCSEL(PC-VCSEL)远场发散角的参数.研究表明,PC-VCSEL中光子晶体的填充比(空气孔直径和光子晶体周期的比值)以及空气孔的刻蚀深度控制了光束的发散角,低填充比和浅刻蚀的PC-VCSEL有利于获得低发散角的光束.设计并制作了两种不同结构参数的PC-VCSEL,这两种器件中光子晶体的填充比和空气孔的刻蚀深度不同.实验结果表明,低填充比和浅刻蚀的PC-VCSEL的发散角更低,与理论分析符合得很好.     

Experimental-theoretical Landau energy level data and its use in making p-Ge laser transition assignments

Landau energy levels are determined from cyclotron resonance absorption data and compared to theoretical calculations. Energy level diagrams are presented to graphically display the nonequal energy level spacings and identify absorption transitions. This information is then used to make transition assignments responsible for the p-Ge laser signals seen by V. N. Shastin et al. and C. Kremser et al. This work suggests that the p-Ge laser yields signals via the following transitions: (a) the expected cyclotron transitions for n=1, (b) harmonic cyclotron transitions for n=2, 3, (c) light-to-heavy hole transitions and (d) light hole to acceptor level transitions. The material of this paper should be of aid in the study of the pumping-oscillation cycle of the p-Ge laser.     

Charge manipulation and imaging of the Mn acceptor state in GaAs by cross-sectional scanning tunneling microscopy

An individual Mn acceptor in GaAs is mapped by cross-sectional scanning tunneling microscopy (X-STM) at room temperature and a strongly anisotropic shape of the acceptor state is observed. An acceptor state manifests itself as a cross-like feature which we attribute to a valence hole weakly bound to the Mn ion forming the (Mn²⁺3d⁵+hole) complex. We propose that the observed anisotropy of the Mn acceptor wavefunction is due to the d-wave present in the acceptor ground state.     

V形高双折射光子晶体光纤特性研究

本文基于全矢量有限元法,设计了一种V形结构高双折射光子晶体光纤,数值分析结果表明:当光纤的包层孔间距Λ为1.0 μm,包层大空气孔D和小空气孔d分别为0.95 μm,0.7 μm时,在波长为1.55 μm处,该光纤的双折射度B达到1.225×10^-2,比传统光纤高约两个数量级. 另外,分别在可见光和近红外波段出现了两个零色散波长,使钛宝石飞秒激光器工作波段(700—980 nm) 处于光纤的反常色散区,为新颖的光子晶体 关键词： 光子晶体光纤 高双折射 有限元法 V形结构     

Fluorescence-excitation and hole-burning spectroscopy of heavy-dose neutron-irradiated α-Al2O3

We report on persistent spectral hole-burning and fluorescence-excitation spectroscopy in heavy-dose (3 × 10²⁰ n/cm²) neutron-irradiated and annealed sapphire using a Ti:Sapphire ring laser in single-frequency and broad-band operation. The optimum conditions for hole burning were obtained after annealing the crystals to 400 °C. Holes have been detected in the near-infrared spectral range between 745 and 795 nm. At 1.5 K, the narrowest hole widths were approximately 2 GHz, so that about 10⁴ holes can be burnt in this spectral region. Besides the storage density in the wavelength dimension, the coefficient describing the electric-field-induced filling of a spectral hole also rises by more than one order of magnitude as compared to crystals with low neutron-irradiation dose.