无源功率因数校正电路的实验研究

对电子镇流器的几种无源功率因数校正电路进行了分析,指出电路存在的问题和改进措施,从实验中证明了灯电流的波峰系数与灯的使用寿命之间的关系。     

用示波器观测电感镇流器与电子镇流器的工作状态

日光灯使用的镇流器有电感镇流器和电子镇流器.就日光灯管的点燃和正常工作,要求的电压条件是不相同的:点燃灯管时要有瞬时高压,以击穿灯管内稀薄气体而导电;在点燃灯管后,又要将电压迅速降低至正常工作电压.这两种电压与电源电压均相距甚远.     

对测量镇流器参数实验方法的讨论

对测量镇流器参数实验方法的讨论刘正生，戚善和（扬州大学师范学院２２５００２）在一般《电磁学》或《电工学》的单相交流电路实验中，都要安排做一个用日光灯管（作为电阻Ｒ）与镇流器（作为具有一定内阻厂的电感Ｌ）串联组成单相交流电路的实验，测量电路电流，各段电...     

功率因数校正技术在电子镇流器中的应用

本介绍了功率因数校正的基本原理,论述了单级功率因数校正技术在电子镇流器应用的巨大潜力,并详细分析了如何使用电感和电容实现电路的功率因数校正。     

波峰系数对灯寿命影响的实验研究

由实验中测出不同的灯电流波峰系数与灯开关次数的对比结果，说明了灯电流波峰系数偏高对灯寿命的影响，从而推出一种高性能低成本的电子镇流器。     

高频电流发生器用于电照明的优越性能：电子学使日光灯变革

高频电流发生器用于电照明，在日光灯具中可获得显著的效益。本文通过实验，测试和分析，明确指出它的优越性能，以及节能，长寿命的物理学，电子学的依据。     

紧凑型节能荧光灯用新型电子粉

介绍一种新型电子粉制备工艺和电子发射性能,及用该电子粉替代三元碳酸盐制成紧凑节能荧光灯后的工作情况。初步测试结果表明该电子粉的电子发射能力和耐离子轰击能力与三元碳酸盐电子粉相当,而分解时放气量少等方面则明显好于三元碳酸盐电子粉,是替代碳酸盐电子粉的较为理想的选择对象。     

电子膨胀阀应用于低温陈列柜制冷系统的节能研究

与热力膨胀阀相比,电子膨胀阀应用于陈列柜制冷系统,可以更为精确地控制其柜温及过热度。为进一步减小低温陈列柜制冷系统能耗,文中提出通过改变电子膨胀阀脉冲信号的控制策略以达到节能的目的。通过试验证明:与热力膨胀阀相比,可节能25%;同时可减小系统过热度,提高低温陈列柜制冷系统温度特性。为电子膨胀阀在低温制冷陈列柜中的应用提供参考依据。     

密立根对电子电荷的测定和对光电效应的实验研究

回顾了密立根的生平和对科学发展的主要贡献,介绍了他在电子电荷的测定中不断改进装置,提高精度和在光电效应的实验研究中消除误差,最终证明了爱因斯坦方程的努力,以及他重视理论,尊重实验和严格细致的工作作风。     

自感实验的一个补充

通常用图l电路演示通电自感,用图2电路演示断电自感.在图1中,开关闭合瞬间,看到L2较L1亮度滞后,在图2中,看到L在断开开关后闪亮一下再熄灭. 这组实验中,用的是2.5V或3.8V小灯泡,亮度不够,而且现象持续时间短,不能引起学生足够的兴趣,于     

铜氧化物超导体两能隙问题的电子拉曼散射理论研究

电子拉曼实验表明在空穴型掺杂的铜氧化物超导体中存在两能隙行为,即在欠掺杂区,随着掺杂浓度的降低,一个能隙逐渐增大而且在超导转变温度以上仍然存在,而另一个能隙逐渐减小且在DDW态依然存在.解释两能隙行为非常重要因为它与赝能隙的机理密切相关.本文计算了超导序和d-density-wave(DDW)序竞争机理下相图上不同区域的电子拉曼谱,发现欠掺杂区能隙表现出两能隙行为,与实验一致.特别地,本文发现B_1g峰对应能量由超导和DDW序共同决定,且随着掺杂浓度的降低而增大,在D 关键词： 两能隙 电子拉曼散射 竞争序     

In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究

采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂导致ZnO禁带宽度变窄.随着掺杂量的增大,In_xZn_1－xO的导带底和价带顶同时下降,但是导带底比价带顶下降得多,这导致了带隙的变窄.此外,In掺杂使晶胞晶格常数增大,这对带隙的变窄也有一定作用.     

CoSi电子结构第一性原理研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性扩展平面波法，首先对CoSi的晶胞参数进行优化计算，CoSi多粒子系统的最低能量为-134684297Ry，此时其晶胞处于最稳态，与最稳态对应的晶胞体积V0等于5899360a.u.3,晶胞参数为a=b=c=04438nm；然后计算了优化后的CoSi的电子结构及Si侧Al掺杂的CoSi075Al025的电子结构并分析了两者的电子结构特征，计算的CoSi电子能态密度与已有的计算结果整体形貌相同，但存在局部差异，Al掺杂后费米面发生了偏移；最后探讨了两者的电子结构对热电性能的影响，Al掺杂可提高CoSi的材料参数B，因此有望提高其热电性能. 关键词： 第一性原理 电子结构 热电性能     

钛铝合金高温氧化机理电子理论研究

为了从电子层面揭示钛铝合金高温氧化的物理本质,采用递归法与Castep相结合的方式, 计算了原子埋置能、亲和能、结合能等电子结构参数,探索合金氧化机理.研究表明: 氧在钛中有较大固溶度,氧原子可以在钛表面的基体内聚集,逐步向深层扩散. 氧与钛具备较强的亲和力,能形成钛的氧化膜.钛基体中铝原子间具有相互吸引力, 能形成铝的原子团簇.铝原子团簇中的钛原子间相互排斥与铝形成化合物. 铝、钛与氧的亲和能相近,不易发生铝的优先氧化,而是同时生成钛的氧化物和铝的氧化物. Al₂O₃比TiO₂的结合能略低,因而更加稳定,铝在TiO₂中有较大的固溶度, 能替换其中的钛形成更稳定的Al₂O₃氧化物.     

固态二氧化碳电子结构及性能的理论研究

采用基于赝势平面波理论的第一性原理计算方法,研究了9种结构的固态二氧化碳的结构和性质.经过结构的几何优化,得到α石英稳定结构晶格常数与他人的计算值基本一致.通过对平衡态能量的分析,我们得出β方石英(cristobalite)结构是能量最低的结构.这与文献的研究结果一致.对弹性性质的计算结果表明,除了超石英(stishovite)和立方黄铁矿(cubic-pyrite)结构之外,其他的结构都是弹性稳定的.利用基于Mulliken轨道重叠布居数的共价固体本征硬度计算方法,预测了各个结构的本征硬度值.结果表明, 关键词： 第一性原理计算 固态二氧化碳 电子结构 硬度     

Ga掺杂ZnO电子结构和吸收光谱的第一性原理研究

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了纤锌矿ZnO掺杂Ga前后的电子结构和光学性质.计算结果表明,ZnO中引入杂质Ga后,导带底主要由Ga4s态和Zn4s态构成,并且Ga4s态跨过费米能级,形成n型半导体.计算得到电子浓度为2.42×10~(21)cm~(-3),掺Ga有效提高了ZnO的载流子浓度.同时ZnO掺Ga后,ZnO的光学带隙从3.47 eV展宽为4.25 eV,并且在可见光区几乎无吸收,是理想的透明导电材料.     

块状NiSe2的电学，光学和热力学性质的理论研究

在密度泛函理论框架下通过平面波赝势的第一原理计算,研究了块体材料NiSe2的电学,光学和热力学性质.根据计算得到的立方晶体（空间群：PM3,No：200）的能量-体积曲线,获得了最低能量的最优结构.基于能带结构和电子态密度结构计算的结果表明,NiSe2为半金属.当有电磁波穿过块体NiSe2时,通过非自洽计算,分析介电函数的实部和虚部得到了能量损失函数谱,反射率,吸收谱,折射系数和消光系数.在准谐波德拜模型的基础上,我们还研究了NiSe2的热力学性质.     

黑索金电子结构和光学性质的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法对黑索金晶体的电子结构和光学性质进行了计算. 结果表明: 黑索金是能隙值为3.43 eV的绝缘体, 价带主要由C, N和O的2s与2p态构成, 而导带主要由N-2p和O-2p态构成; 静态介电函数ε₁(0)=1.38, 介电常数的虚部有5个峰值, 其中最大峰值在光子能量4.59 eV处, 并对造成这些峰值的可能的电子跃迁做了详细分析. 利用能带结构和态密度分析了黑索金的光反射系数、吸收系数及能量损失函数等光学性质, 发现黑索金是对光吸收、反射及能量损失不敏感的材料. 关键词： 黑索金 第一性原理 电子结构 光学性质