La_(2-x)Sr_xCuO_4准二维体系的反常同位素效应

本文针对La_(2-x)Sr_xCuO_4的Cu-O面准二维体系给出了一个简单的物理掺杂模型。利用BCS理论弱耦合框架下的Van Hove奇点模型进行了掺杂量x与同位素效应指数α之间关系的计算,发现能与实验基本一致。     

硅——二氧化硅界面电气特性及其对器件性能的影响

在硅——二氧化硅之间有个过渡层,过渡层中存在着界面态和固定电荷,它们能影响晶体管和集成电路的性能。本文简单介绍了界面态和固定电荷的特性,以及它们如何影响器件性能的。同时也介绍了控制界面态密度和固定电荷密度的一些方法。这些方法能有效地提高半导体器件的性能。     

普通肉食螨对腐食酪螨捕食效能

研究了普通肉食螨不同螨态对腐食酪螨在五个恒温状态下的功能反应。结果表明普通肉食螨不同螨态对腐食酪螨的功能反应均属于HollingⅡ型，其中雌成螨的捕食能力最强，其次是雄螨、幼若螨；在猎物密度不变的情况下，捕食螨自身密度对捕食率有干扰作用，密度升高，捕食率下降。     

复合材料层合板的奇异应力场分析

本文根据特征值与特征函数展开理论,用极其简单的矩阵形式,对纤维增强复合材料层合板中各种断裂模型的界面裂纹奇异性问题进行了一系列的理论推导。计算了各种情况下的应力奇异性值,提出了具有一般奇异性的扇形奇异裂纹单元。最后,分析了复合材料中的边界层效应、层面离层、层板横裂等情况的奇异应力场。计算结果表明,本文的方法是行之有效的。     

甲基三氯硅烷——甲基三乙氧基硅烷二元体系等压汽液平衡研究

利用新型泵式沸点仪，在101．3kPa下测定了甲基三氯硅烷－甲基三乙氧基硅烷二元体系汽液平衡数据，对甲基三乙氧基硅烷的临界性质进行了估算，分别用Wilson,NRTL,Margules,Van Laar四种模型对所测数据进行了关联，结果令人满意。     

横观各向同性材料椭圆片状裂纹问题的新方法

严格从三维横观各向同性材料弹性力学理论出发,用超奇异积分方程的方法对椭圆类片状裂纹问题进行了重新研究.超奇异积分方程中的未知位移间断近似地表示为基本密度函数与多项式之积,其中基本密度函数反映了椭圆片状裂纹前沿应力场的奇异性.椭圆片状裂纹在均布载荷作用下,通过巧妙地引入椭球坐标系,进一步得到了未知位移间断的封闭解.使用这些近似封闭解和应力强度的定义,精确地得到了裂纹前沿Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型应力强度因子以及电位移强度因子的表达式.该结果与现有精确解完全一致.     

反常玻色子系统量子统计力学的相干态表述

本文引入反常玻色子系统的相干态和新定义的分布函数,将正则密度矩阵的Bloch方程、非平衡态密度矩阵的von Neumann方程以及Heisenberg运动方程转换为可分离变量的偏微分方程,并给出了它们的形式解,还讨论了便于微扰求解的相互作用表象。     

条件密度双重核估计的积分均方误差的中心极限定理

条件密度函数f(y|x)的双重核估计的积分均方误差为在适当条件下,本文讨论了I_n的渐近正态性。     

二维晶格中电子的态密度

从考虑了次近邻原子的耦合及晶格二聚化后的电子能谱出发，计算出二维晶格中电子的态密度。     

空间轴对称变形界面裂纹尖端的应力奇异性分析

假定位移场,并将位移势函数展开成一系列的特征函数,代入空间轴对称变形的基本方程,推得界面裂纹的特征值理论。把这一理论应用到单向增强的连续纤维复合材料上,建立了纤维断裂、基体开裂等模型下应力奇异性的特征方程,分析了界面裂纹尖端的应力奇异性。     

射频溅射法制备Pb_(1-x)Co_xSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体 Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 薄膜．研究了薄膜的成分结构以及电阻率温度特性和磁化率温度特性间的关系．结果表明：由于 Ｃｏ 离子介入, Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 发生了由金属特性向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变．磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关     

分形子动力学及分形子对固体输运性质的影响

综述了逾渗系统的统计分形性质、逾渗网络的动力学、分形子概念的引入及其特殊的态密度 ,色散关系和超局域的性质、分形子存在的实验证据以及研究分形子的意义 .讨论了分形子 (振动分形子或磁分形子 )对金属玻璃中的类近藤效应 ,并对稀释磁体中电输运、半导体中激子弛豫动力学、分形结构超导体的转变温度、正常态电阻温度关系及分形子超局域化的实验证据等问题进行了研究 .     

最近邻格点间直接杂化机制引起的超导电性

给出了高 T_c 超导电性的直接杂化机制,并运用平均场近似做了研究.由最近邻格点间杂化作用为媒介形成局域空穴对.对转变温度、零温能隙和比热跃变作为掺杂参数的函数做了估算,并且给出了能隙、比热和热力学临界场对温度的依赖关系.     

Er3+:CaO-La_2O_3-B_2O_3玻璃的制备及其光谱性能

采用传统的熔融冷却技术制备了Er3+:CaO-La2O3-B2O3(Er:CLB)玻璃。玻璃的转变温度为647℃,析晶起始温度741℃。测试了样品的红外光谱、吸收光谱和发射光谱。Er:CLB玻璃在790 nm和970 nm附近均存在吸收峰,与AlGaAs和InGaAs激光二极管输出波长吻合。Er:CLB玻璃在1 530 nm附近存在     

纳米金属颗粒膜的二次谐波增强效应

纳米尺寸金属颗粒膜可以产生较大的表面二次谐波增强。本文测量了用溅射法制备的钠米尺寸Ａｕ颗粒的反射二次谐波，其增强因子可达１０２数量级，理论计算了局域场因子与波长的关系曲线。对于用Ｎｄ：ＹＡＧ激光器输出的１．０６μｍ波长的基频光，可以获得较强的倍频光的局域场增强，对金属颗粒尺寸对局域场因子的影响进行了计算和分析。     

钠米金属颗粒膜的光学非线性

应用有效介质理论和非线性光学的基本原理,分析了小尺寸(nm)金属颗粒膜的等离子体激元共振增强效应,给出了描述局域场增强的表达式,根据实验结果,计算和讨论了局域场增强因子的质量厚度并得到金属微粒尺寸的相关特征。     

掺C_(60)二氧化钛微晶特性和光催化活性研究

通过热分析、X射线衍射以及光活性测试 ,分析了不同掺杂量、不同煅烧温度下掺杂 C60 二氧化钛微晶样品 ,研究了掺杂对二氧化钛光活性的改善情况 . C60 掺杂二氧化钛体系中 C60 的热解温度明显提前 ,二氧化钛的晶化温度延迟、相变受到抑制且光活性得到一定程度的提高 ,其微晶参数也有一定规律变化 .     

kagome晶格中无序和自旋交换作用对量子霍尔电导率的影响

数值计算了kagome晶格中无序和海森堡交换相互作用下的量子霍尔效应, 其中无序包括非磁性杂质和磁性杂质, 相互作用包括近邻的铁磁和反铁磁海森堡交换相互作用. 计算结果表明, 非磁性和磁性无序增强将导致量子化的霍尔电导平台从高朗道能级到低朗道能级逐步被破坏. 除了破坏霍尔电导平台, 磁性杂质还可以解除自旋简并, 使系统发生从非常规量子霍尔效应到常规量子霍尔效应的转变. 对于自旋交换作用影响下的霍尔电导, 铁磁相互作用同样会使系统发生从非常规量子霍尔效应到常规量子霍尔效应的转变, 而反铁磁相互作用却对系统的量子霍尔电导没有影响. 这暗示着在S=1/2的反铁磁kagome体系中形成的量子自旋液体仍然保有零能隙的特征.     

过渡单元应用的讨论

本文综合考虑裂尖奇异元尺寸和过渡元尺寸效应。数值计算表明,采用过渡元能够提高计算的精度,但要注意过渡元的尺寸大小。给出了能供实际计算参考的尺寸范围。本文还讨论了与过渡元相关的一些基本认识。