CRT偏转线圈结构设计中的磁场测量与控制

本文在对ＣＲＴ偏转线圈进行实测的基础上，运用南开大学丁守谦教授发明的双线圈加测试原理并将其加以推广，使双线圈测在测量磁场参数Ｈ２、Ｈ４、Ｖ２、Ｖ４时，沿Ｘ轴或Ｙ轴能以任意步长进行测量，并根据偏转线圈的特殊形状，当测头越接近开口部，沿Ｘ轴或Ｙ轴的测点也越多、跨距也越大，这样 就克服了所测数据只适应近轴范围的不足，充分发挥了双线圈回归测试原理适应较远轴范围的特性。     

环形偏转线圈绕组分布的谐波分析

本文详细介绍了偏转线圈绕组分布的谐波分析方法和计算方法，讨论了各项谐波系数与偏转磁场分布之间的关系，分析结果可用于环形偏转线圈的设计。     

显象管偏转线圈的设计

本文采用磁标位的傅里叶展开法对偏转线圈中的磁场进行分析,并提出了一种具体的设计方法,将结构参量和偏转磁场的分布紧密联系起来.最后对如何调整偏转线圈的分布以校正光栅畸变,进行了一些定量分析.     

高分辨率彩色显示器用偏转线圈

本文介绍国外高分辨率显示器用偏转线圈的有关设计及校正要点，同时揭示了我国目前高分辨率显示器用偏转线圈仅处于初研阶段。     

新一代鞍一鞍型彩电偏转线圈

偏转线圈是彩电的重要部件。随着彩电性能提高，促进偏转线圈设计与制造工艺的发展。本文介绍一种带会聚电路鞍一鞍型的新颖均匀磁场偏转线圈。     

彩色显像管用偏转线圈的特性

装在彩色显像管外的偏转线圈与显像管型号有严格的对应关系。现将国产彩色显像管所用偏转线圈的性能列表如下,供大家参阅。彩色显悦管用偏转线冈简明特性一览表一管型slSX10lY22slSX102Y2251SX105Y22slSX106Y2254SX50lY2254SX502Y2254SX503Y2254SX504Y2254SX505Y2254SX510Y2254SX513Y2254SX515Y2254SX520Y2254SX506Y2254SX507Y2254SX508Y2254SX509Y2254SX5llY22A5lJSY63XA5lJUI-glX565二10二Y2256＊X互05＊2264SX501Y2264SX502Y2264SX503Y2264SX504Y227卫＊XS门Y2273SX50lY22M68＊＊H互65M68KPH195彩色…     

偏转线圈行包结构参数的计算方法

用偏转磁场校正光栅的几何失真已有详细的研究。实际计算中大多采用改变线圈绕组分布及偏转磁场的分布。在改变绕组分布前,必须进行结构参数计算。当显象管型号决定后,实际上就是改变如图1中的A(x_0y_0)、B(x_1y_1)两点的坐标及D的大小,以实现绕组分布的改变。     

偏转线圈安匝数的计算

文章介绍了带双曲函数过渡段偏转线圈安匝数的计算及设计球曲过渡的等效圆柱长等几何方法。     

基于MATLAB的圆形线圈磁场强度与线圈个数的线性关系仿真

MATLAB软件为复杂、抽象物理现象的动态仿真提供了简单、高效的编码环境。文章在利用毕奥——萨伐尔定律推导出圆环电流磁场分布现象的数学模型基础上,运用MATLAB软件对圆形线圈轴线磁场分布进行验证及仿真,得到了圆形线圈轴线磁场强度与线圈个数的线性关系分析结果。     

一维阵列电子注平面聚焦系统磁场分布特性

针对平面集成行波管对一维阵列电子注聚焦的应用需求,设计了4通道电子注平面磁聚焦系统。将各通道磁场轴向和横向分量沿轴分布特征计算结果与测试结果进行对比,确认了Opera软件计算磁场分布特征的准确性。为与轴对称周期永磁(PPM)聚焦系统电子注通道内磁场分布特性进行对比,建立了轴对称PPM聚焦系统模型,测试结果与计算结果一致性较好。通过平面聚焦系统与轴对称PPM聚焦系统电子注通道内的磁场纵向和横向分布特性对比表明,两种聚焦系统电子注通道内纵向和横向磁场具有相同的分布特征,在离轴相同位置的圆周上横向磁场分量与轴向分量的比值均为B_x/B_z≈0.11,该平面聚焦系统可实现一维阵列圆形电子注的良好聚焦。     

多层圆柱形磁性体的散射场

以改善法向模螺旋天线的特性为目的，对平面波入射时任意媒质常数为参量的多层圆柱形磁性体的散射反射电磁场特性及内部磁通进行了研究和解析，数值计算的结果中作为改善法向模螺旋天线性能抑制反射、散射现象的指导性设计资料。     

TriPle-TEM ceLL的三维场模拟与测试

采别采用理论模拟（FDTD）和实际测量的方法给出了不同频率（30MHz、150MHz）正弦信号激励下TTEM cell横截面的场分布和纵向场分布，理论计算与实测结果基本吻合。所得结论为TTEM cell的几何结构的完善提供了设计依据。也为定性地预测TTEM cell的空间场分布提供了有效手段。     

沟道电场分布对AlN/GaN HFETs极化库仑场散射的影响

Based on the measured capacitance–voltage(C–V) curves and current–voltage(I–V) curves for the prepared differently-sized Al N/Ga N heterostructure field-effect transistors(HFETs), the I–V characteristics of the Al N/Ga N HFETs were simulated using the quasi-two-dimensional(quasi-2D) model. By analyzing the variation in the electron mobility for the two-dimensional electron gas(2DEG) with the channel electric field, it is found that the different polarization charge distribution generated by the different channel electric field distribution can result in different polarization Coulomb field(PCF) scattering. The 2DEG electron mobility difference is mostly caused by the PCF scattering which can reach up to 899.6 cm2/(V s)(sample a), 1307.4 cm2/(V s)(sample b),1561.7 cm2/(V s)(sample c) and 678.1 cm2/(V s)(sample d), respectively. When the 2DEG sheet density is modulated by the drain–source bias, the electron mobility for samples a, b and c appear to peak with the variation of the 2DEG sheet density, but for sample d, no peak appears and the electron mobility rises with the increase in the2 DEG sheet density.     

磁场对MERT中次级光子剂量分布影响的蒙特卡罗研究

目的:磁场调制下的电子调强放射治疗可以有效的增加电子束的剂量跌落。电子束产生的次级光子将对靶区后的正常器官产生受量,本文以Monte Carlo的模拟计算研究磁场对电子束产生次级光子的剂量和剂量分布的影响。方法:将几种不同能量的电子束作为外照射源,以置于不同强度磁场下的三维水模为介质模型,使用FLUKA程序模拟电子束垂直入射到水模中引起的电子与物质的相互作用。结果:磁场对电子束的作用会减少水模次级光子的剂量,特别是穿透深度后的X射线污染区剂量迅速跌落。结论:磁场调制下的电子调强减少了电子束的X射线污染,这进一步降低了靶区后正常器官的受量,这意味着磁场调制下的电子调强放射治疗具有相当大的应用前景,但同时为磁场与放疗设备的整合和剂量算法研究带来了挑战。     

磁场作用下的一个含类氢施主杂质二维量子环中的电子能态

Using the finite element method, we investigate the lowest and first few excited state energies in a twodimensional GaAs quantum ring(QR) with a hydrogenic donor impurity and effective mass approximation under a uniform magnetic field perpendicular to the ring plane. We study in detail the dependence of the energy spectrum with different angular momentum on the inner radius, the outer radius and width of the QR, the magnetic field and impurity position. The results reveal that the electron energies increase with the inner radius while decrease with the outer radius and width of the QR; for a fixed ring, the magnetic field induces the increase of the electron energies. Moreover, the existence of impurity reduces energy levels, and the energy levels depend highly on the impurity position, which decreases as the impurity is far away from the center of the QR. Also, the dependence of the angular momentum on the energy spectrum is analyzed in detail.     

ROGOWSKI线圈在磁脉冲压缩准分子激光器中的应用

介绍了磁脉冲压缩器在准分子激光器中的基本工作原理、磁性材料的计算公式和磁脉冲压缩器的参数结构设计,给出了使用了磁脉冲压缩器的准分子激光器的放电过程,并且使用自制的ROGOWSKI线圈测量了不同放电电压时的实际放电过程中的闸流管的脉冲电流波形,还测量了不同放电回路电感Lo时的通过闸流管的脉冲电流波形和激光输出能量。在此次实验中,通过分析所得到的放电波形,磁脉冲压缩器的作用得到了证实,测量结果与原理有着很好的一致性。本实验为放电回路的优化设计提供了有效的依据。     

透射电子显微镜原位磁场双倾样品杆的研制

本文简述了透射电镜磁场双倾样品杆的设计方案,展示了Philips/FEI透射电镜磁场双倾样品杆的研制成果.利用该样品杆可以产生100 Oe的连续磁场,也可以产生140 Oe以上的瞬间磁场.通过“U”型磁组件和样品杯的巧妙设计,尽可能的减小了电子束在横向磁场中的偏移量.     

稀磁半导体薄膜Ti0.93Co0.07 O2显微结构的研究

目的：本工作利用分析电子显微术和X-射线衍射方法研究了Ti0.93Co0.07O2薄膜材料的显微结构。研究结果表明：Co元素主要以替代TiO2锐钛矿结构中的Ti的形式存在;虽然利用透射电镜观察,可偶尔看到局部Co的金属团簇的存在,但数量极少。这表明Ti0.93Co0.07O2薄膜具有独特的稀磁系统特征,其铁磁性的产生不来自于Co的团簇,而可能来自载流子调制。通过X-射线能谱分析得到了Ti0.93Co0.07O2薄膜中Co与Ti的成分分布,Co与Ti的原子比不严格地等同于薄膜的名义配比0．07,而是在纳米尺度上有成分起伏。高分辨图像显示,Ti0.93Co0.07O2薄膜中晶面扭曲,晶格发生畸变,主要是由于薄膜中Co的成分起伏、价态变化等因素共同造成的。