电荷补偿对Sr2SiO4∶Eu3+材料光谱特性的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4∶Eu3+发光材料.测量了Sr2SiO4∶Eu3+材料的激发与发射光谱,发射光谱主峰位于618 nm处;监测618 nm发射峰时,所得材料的激发光谱主峰分别为320 nm、397 nm、464 nm和518 nm.研究了Sr2SiO4∶Eu3+材料发射峰强度随电荷补偿剂Li+、Na+和K+掺杂浓度的变化情况.结果显示,随电荷补偿剂浓度的增大,材料发射峰强度均表现出先增大后减小的趋势,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,补偿剂Li+、Na+和K+的浓度分别为8 mol%、7.5 mol%和7 mol%.     

Ca3SiO5:Eu2+材料光谱特性研究

采用溶胶一凝胶法制备了Ca3SiO5:Eu2+发光材料.测量了材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一峰值位于505 nm处的不对称的宽带谱;监测505nm发射峰,所得材料的激发光谱为一双峰宽谱,峰值为374和397nm,研究了合成条件对Ca3SiO5:Eu2+材料发射光谱的影响,结果显示,随合成温度或合成时间或Eu2+浓度的增大,Ca3 siO5:Eu2+材料发射光谱峰值强度均表现出先增大后减小的趋势,当合成温度为1100℃、合成时间为4 h、Eu2+浓度为0.5 mol%时,Ca3SiO5:Eu2+材料发射光谱峰值强度最大.     

KBaPO4:Eu3+红色发光材料的光谱特性

采用高温固相法制备了KBaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、电荷补偿剂等对材料发光性质的影响,并利用X射线衍射及光谱等技术对材料的性能进行了表征.研究结果显示:在400 nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰位于621 nm;监...     

KBaPO4∶Eu3+红色发光材料的光谱特性

采用高温固相法制备了KBaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、电荷补偿剂等对材料发光性质的影响,并利用X射线衍射及光谱等技术对材料的性能进行了表征.研究结果显示:在400 nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰位于621 nm|监测621 nm发射峰,所得激发光谱由O2-→Eu3+电荷迁移带(200~350 nm)和f-f高能级跃迁吸收带(350~450 nm)组成,主峰位于400 nm|改变Eu3+掺杂浓度,KBaPO4∶Eu3+材料的发射强度随之改变,Eu3+浓度为5 mol%时,强度最大|依据Dexter理论,得知引起浓度猝灭的原因为电偶极-电偶极相互作用|添加电荷补偿剂,可增强KBaPO4∶Eu3+材料的发射强度,其中以添加Li+,Cl-时,材料发射强度提高最明显.     

Eu3+:Y2SiO5晶体透射光谱和荧光谱研究

在室温条件下,对Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的透射光谱和４５７．９ｎｍＡｒ＾＋激光激发荧光谱进行测量和研究。这些光谱表明,Ｅｕ＾３＋离子在Ｙ２ＳｉＯ５晶体中占据两种最低对称性Ｃ１格位。利用透射光谱和荧光谱对Ｅｕ＾３＋离子的最低激发态＾５Ｄ０的两种格位光谱进行了成功分离。实验发现,在＾５Ｄ０态两种格位谱的谱宽只有０．１ｎｍ左右,其峰间隔约为０．１８ｎｍ。另外,文中还测量了Ｅｕ＾３＋离子的基态＾７ＦＪ     

LiBaPO4:Eu3+材料的制备及发光特性

采用高温固相法制备了LiBaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、电荷补偿剂等对材料发光性质的影响.结果显示,在401nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5Do→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰位于619 nm;监测619 nm发射峰,所得激发光谱由O2- →Eu3+电荷迁移带(200～350nm)和f-f高能级跃迁吸收带(350～450nm)组成,主峰位于401 nm.改变 Eu3+掺杂浓度,LiBaPO4:Eu3+材料的发射强度随之改变,Eu3+摩尔分数为5%时,强度最大;依据Dexter理论,得出浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用;添加电荷补偿剂提高了LiBaPO4:Eu3+材料的发射强度,且Li+和C1-的效果最好.     

LiBaPO4:Eu3+材料的制备及发光特性

采用高温固相法制备了LiBaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、电荷补偿剂等对材料发光性质的影响.结果显示,在401nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5Do→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰位于619 nm;监测619 nm发射峰,所得激发光谱由O2- →Eu3+电...     

Ba2B2P2O10:Eu3+材料的光谱特性

采用高温固相法合成了Ba2B2P2O10:Eu3+材料,并研究了材料的光谱特性。在400nm近紫外光激发下,材料的发射光谱由4组线状峰组成,峰值分别为600,618,627和660nm,分别对应Eu3+的5D0→7F1,7F2,7F3和7F4跃迁。研究了Eu3+掺杂浓度及电荷补偿剂对材料发射强度的影响,结果显示,随Eu3+掺杂浓度的增大,材料的发射强度增大,并未出现浓度猝灭效应,同时,添加电荷补偿剂可增强材料的发射强度。     

白光LED用Ba2B2P2O10:Eu2+绿色荧光粉的光谱特性

采用高温固相法制备了一种适于近紫外光激发,发射绿光的Ba2B2P2O10:Eu2+材料,并研究了材料的发光性质.Ba2B2P2O10:Eu2+材料的发射光谱为一峰值位于522 nm的非对称单峰宽谱;监测522 nm发射峰,所得激发光谱覆盖300～450 nm,主峰位于381 nm,为Eu2+的5d---→4f跃迁特征激...     

Sr2SiO4∶Eu2+,Nd3+的近红外发光及Eu2+→Nd3+能量传递

用高温固相法制备了Sr2SiO4∶Eu2+,Nd3+发光材料,研究了样品中Eu2+对Nd3+的近红外发光敏化.发现Sr2SiO4基质中Eu2+的存在可以大大增强Nd3+的特征近红外发光.通过对样品中不同位置Eu2+荧光激发和发射光谱、荧光寿命以及Nd3+荧光光谱的研究,对Eu2+向Nd3+能量传递的机理进行了分析.在S...     

纳米Sr2SiO4∶Eu3+荧光粉的燃烧法合成及光谱性质

利用快速燃烧合成方法制备了Sr2SiO4∶Eu3+纳米材料.用X射线粉末衍射、扫描电镜、稳态激发与发射光谱、高分辨发射光谱、位置选择激发光谱和发光衰减等测量对材料的结构、形貌和光致发光性质进行了研究.分析结果表明,通过二甲酰肼的快速燃烧,在800℃条件下反应3 min即可制得颗粒尺寸在80～100nm左右的α-Sr2S...     

电荷补偿对Sr2SiO4：Eu^3＋材料光谱特性的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4:Eu3+发光材料.测量了Sr2SiO4:Eu3+材料的激发与发射光谱,发射光谱主峰位于618 nm处;监测618 nm发射峰时,所得材料的激发光谱主峰分别为320 nm、397 nm、464 nm和518 nm.研究了Sr2SiO4:Eu3+材料发射峰强度随电荷补偿剂Li+、Na+和K+掺杂浓度的变化情况.结果显示,随电荷补偿剂浓度的增大,材料发射峰强度均表现出先增大后减小的趋势,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,补偿剂Li+、Na+和K+的浓度分别为8 mol%、7.5 mol%和7 mol%.     

LaPO4:Eu3+@SiO2核壳结构发光纳米棒的制备与表征

在不加任何表面活性剂的条件下,通过水热法直接合成了LaPO4:Eu3+纳米棒,并采用溶胶-凝胶法在其表面修饰了一层SiO2,得到了LaPO4:Eu3+@SiO2纳米棒.XRD分析表明,样品包覆前后均属于单斜晶系的独居石型的LaPO4.FTIR分析表明,LaPO4:Eu3+粒子与SiO2是以化学键的形式结合在一起.由TE...     

Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Nd3+的近红外发光

用高温固相法制备了Ca<,8>Mg(SiO<,4>)<,4>Cl<,2>:Eu<'2+>,Nd<'3+>近红外发光材料,通过X射线衍射仪,近红外,可见发射光谱和激发光谱,荧光寿命等对样品进行了测试.研究了Eu<'2+>、Nd<'3+>的掺杂浓度对近红外发光性能的影响及相对强度变化的规律,结果表明,Ca<,8>Mg(Si...     

纳米晶Y2O3：Eu3＋的合成及其光谱性质研究

本文报道了草酸作为沉淀剂并添加表面活性剂合成了纳米晶Y2O3：Eu^3 的方法,其一次粒径为15－109nm。对样品的激发光谱、发射光谱及色坐标的测定结果表明：与微米晶比较该纳米晶的发射光谱发生蓝移,激发光谱未见明显变化,猝灭浓度明显提高。荧光粉色坐标x=0.6479,y=0.3442,研究发现了发光亮度随团聚尺寸增大而增强。     

荧光粉Ca4Y6O(SiO4)6:Dy3+的制备与发光特性

采用高温固相法制备了Ca<,4>Y<,6>O(SiO<,4>)<,6>:Dy<'3+>荧光材料,通过样品的XRD谱证明了Ca<,4>Y<,6>O(SiO<,4>)<,6>:Dy<'3+>荧光材料是纯相的结构材料,通过发射光谱和激发光谱等发光特性的研究发现该荧光粉材料有多个发射峰,分别位于480 nm和573 nm处.监...     

Eu~(3+):Y_2O_3纳米微粒的尺寸效应和表面态效应的研究

通过相同掺杂浓度但不同颗粒尺寸的Ｅｕ：Ｙ２Ｏ３纳米晶，和相同颗粒尺寸但掺杂浓度不同的纳米晶的发 光衰减曲线研究了表面态和限域作用对能量传递的影响。纳米晶与体材料相比，有更高的猝灭浓度，分析了纳 米材料中发光中心的猝灭浓度提高的原因。由于纳米材料与体材料相比，纳米晶中的缺陷密度很小，纳米晶中 有较少的体猝灭中心。选择合适的颗粒尺寸并对其进行表面修饰，将获得较高发光效率和较高的猝灭浓度。     

蓝色长余辉材料Sr2MgSi2O7：Eu2+,Dy3+及其基质的VUV-UV激发特性

Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺是一种有效的蓝色长余辉材料,采用高温固相法合成了Sr₂MgSi₂O₇,Sr₂MgSi₂O₇:Dy³⁺,Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺及Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺,利用同步辐射研究了它们的VUV-UV激发特性.在真空紫外光激发下,在基质中发现了稍弱的位于385nm的发射带,在双掺杂的样品中,除了Eu²⁺的4f5d→4f发射带(465nm)外,还观察到了575nm处的发射峰;通过和Dy³⁺单掺杂样品的发射谱比较,发现它是来自于Dy³⁺的4f-4f(⁴F_9/2→6H_13/2)跃迁.在它们的激发谱上可以看出Dy³⁺与基质发射的有效激发均处于真空紫外区,在近紫外及可见区激发下未见到它们发光.另外在Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺中观察到Dy³⁺的发射也说明了Dy³⁺在该类长余辉材料中不仅作为陷阱用来延长余辉,而且也以发光中心形式存在于基质中.     

微波场作用下CaS:Eu~(2+)的快速合成及其荧光光谱特性

在微波场作用下快速合成了CaS :Eu2 +红色荧光体 ,用X射线粉末衍射 (XRD)分析证实它们是立方晶相 ,用扫描电镜 (SEM )观察了Eu2 +各种掺杂浓度下CaS :Eu2 +微晶的形貌及其粒径 ,测定了它们的荧光光谱和荧光衰减曲线。系统地探讨了Eu2 +离子浓度对晶体形貌和粒径以及荧光光谱性质之间的影响关系