电致发光中SiO2加速层中电子的输运特性

研究作为电致发光的加速层的SiO_2中电子的输运行为.给出SiO_2层中陷阶辅助电荷输运的理论模型,并用实验对这一模型进行了验证.认为电致发光条件下SiO_1层中的电子在低场下是以陷阱跳跃的形式输运的,而在高场下陷阱中的电子离化进入导带. 关键词：     

关于第三代电致发光器件加速层的一些探讨

通过简化的三角势垒模型计算发现在第三代电致发光器件中,CdS层确实对提供初电子有利.用计入非晶效应的Monte Carlo方法进行模拟计算,证明非晶SiO2层比ZnS层有更好的加速作用,从而有利于提高器件蓝红比.     

以Liq作为电子注入层的高效有机电致发光器件

利用Liq(8-hydroxy-quinolinato lithium)作电子注入层，制备了结构为ITO(indium tin oxide)／TPD(N，N′-diphenyl-N，N′—bis(3—methylphenyl)—1，1′biphenyl-4，4′diamine)／Alq3(tris-(8-hydroxy-quinolinato)aluminum)／Liq／Al的电致发光器件。实验表明，以Liq作为电子注入层器件的效率约为无Liq器件的5倍。其原因可归于Liq在金属铝电极与Alq3有机层之间产生偶极层，从而形成铝与有机层间的欧姆接触，使电子注入效率大幅提高。     

Si3N4做电子加速层的聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑]固态阴极射线发光

用Si3N4作为电子加速层制备了固态阴极射线发光器件,其中发光层为聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV).在交流电压的驱动下,实现了MEH-PPV的固态阴极射线发光.与SiO2做电子加速层的器件进行了对比研究,两种器件在交流电场的驱动下都得到了波峰位于417 nm的短波长发光峰,它来自有机物中电子从最低未占分子轨道到最高占据分子轨道的直接复合发光,这进一步证明了固态阴极射线理论的正确性.在交流高场下比较了Si3N4和SiO2的电子加速能力,发现SiO2的电子加速能力要优于Si3N4的电子加速能力.     

具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析

为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型Al GaN/GaN HEMTs器件结构.新型结构通过在Al GaN势垒层顶部、栅电极到漏电极的漂移区之间引入部分本征GaN帽层,由于本征GaN帽层和Al GaN势垒层界面处的极化效应,降低了沟道二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG)的浓度,形成了栅边缘低浓度2DEG区域,使得沟道2DEG浓度分区,由均匀分布变为阶梯分布.通过调制沟道2DEG的浓度分布,从而调制了Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场.利用电场调制效应,产生了新的电场峰,且有效降低了栅边缘的高峰电场,Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布更加均匀.利用ISE-TCAD软件仿真分析得出:通过设计一定厚度和长度的本征GaN帽层,Al GaN/GaN HEMTs器件的击穿电压从传统结构的427 V提高到新型结构的960 V.由于沟道2DEG浓度减小,沟道电阻增加,使得新型Al GaN/GaN HEMTs器件的最大输出电流减小了9.2%,截止频率几乎保持不变,而最大振荡频率提高了12%.     

ZnS型薄膜电致发光器件输运过程的解析能带模拟

采用解析能带模型对ZnS型薄膜电致发光器件的输运过程进行了Monte Carlo模拟.利用分段的多项式拟合了ZnS的实际导带结构,计算了能态密度和散射速率.以这些结果为基础,模拟了ZnS中的电子输运过程.通过比较,这一模型既具有非抛物多能谷能带模型运算速度快、使 用方便的优势,又具有与采用全导带模型相近的计算精度.进而,讨论了能带模型对模拟结 果的影响,发现色散关系与能态密度均对模拟结果有较大影响.     

高电子迁移率晶体管及其应用

简要介绍了高电子迁移率晶体管的基本原理，应用及近年来的进展，它具有的高速，高频，低噪声等优异性能，使它将成为未来的主流微波器件。     

固态阴极射线器件复合加速层的研究

固态阴极射线器件的加速层,是提高固态阴极射线性能的重要部分,它能够加大电子能量,倍增电子数量。其中增加注入电子从而提高过热电子的数量,是提高固态阴极射线器件性能的关键。为此 ,文章尝试将加速层复合,兼顾加速与电子注入性能。首先将SiO₂,ZnS和ZnO分别与有机聚合物MEH-PPV组合,确定较适合的复合加速层的组合：SiO₂/ZnS和 ZnO/SiO₂。然后将这两种复合加速层的性能对比,发现SiO₂/ZnS的性能更优越,因为电子注入性能ZnS和ZnO相当,而电子加速倍增性能ZnS明显优于ZnO,其中 SiO₂为主要的加速层,而ZnS起到降低注入势垒变成阶梯势垒的作用。最后又将复合加速层结构的固态阴极射线器件和传统的SiO₂夹层固态阴极射线器件对比,发现这种复合 加速层结构,尤其在高场下,可提高固态阴极射线的初电子源和过热电子的数目,从而提高其发光效率具有促进作用。     

薄膜电致发光器件中SiO2层加速机制的研究

研究非晶SiO2缺陷能级上电子的隧道效应,移植实验的XPS芯能级谱技术,用DV-Xα计算界面SiO2/ZnS的能带断错,认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制.     

以ZnO为电子传输层PPV的发光

以Ⅱ-Ⅵ族无机半导体ZnO为电子传输层,PPV为空穴传输层和发光层,得到的电致发光器件比单层PPV器件的发光亮度和效率都高.器件结构为ITO/PPV/ZnO/Al的电致发光光谱同单层PPV器件的光谱基本相同,但是启亮电压明显比单层器件低,最大亮度大约比单层器件高6倍左右,同时工作电流也比单层器件小.通过PPV层自吸收现象可判断出发光区域在PPV/ZnO界面处.电流-电压曲线表明,这种器件具有空间电荷限制电流特性,即J∝Vn,这里n大约为2,这器件的电流主要受到空穴的限制.     

薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据

本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO₂对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B-V特性好,亮度较高的红色TFEL器件.我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO₂/ZnS:Sm³⁺/SiO₂/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO₂/ZnS:Sm³⁺/SiO₂/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO₂层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度-电压(B-V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO₂中得到了明显的加速.     

薄热氮氧化硅介质膜中的电流传导机构

本文回顾了半导体介质膜中几种主要导电机构。提出了陷阶辅助二步隧穿模型来描述深度氮氧化膜SiO_xN_y的电导特性,而浅度氮氧化膜的电导则可用增强Fowler-Nordheim隧穿来描述。根据模型计算的理论曲线和实验结果符合得很好,决定二步隧穿过程的主要参数φ_t和N_t在2.46—2.56eV和1.2×10¹⁹—7.2×10²⁰cm^-3范围内。这些结果和前人实验结果相一致,并从俄歇分析结果得到满意解释。上述二步隧穿模型同样适用于MNOS结构或含有陷阶的其他介质MIS结构的电导过程。 关键词：     

二次锂电池电极材料非晶态MoS3的结构研究

用X射线衍射和光电子能谱分析方法研究了二次锂电池电极材料非晶态MoS₃的结构。结果表明,非晶态MoS₃的结构是由MoS₂基本结构单元S—Mo—S夹心层与无定形S_n链的均匀混合无序堆垛而成。 关键词：     

小角X射线散射法测定溶胶平均界面厚度

溶胶界面层厚度通常是用Porod法对高角区负偏离的Porod曲线进行拟合求算,但本文研究表明还可通过分别测定Porod负偏离校正前后体系粒子的平均半径之差而获得平均界面厚度.应用上述方法测定了在不同制备条件下制备的二氧化硅溶胶的平均界面厚度 关键词： 小角X射线散射 溶胶 平均界面厚度     

n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg_0.80Mg_0.20Te薄膜在15 —250K温度范围内的输运特性.采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程(MCF)相结合的方法对 实验数据进行了分析,由该方法获得的结果和Shubnikov de Hass(SdH)振荡测量的结果都证 明材料中存在二维(2D)电子和三维(3D)电子.其中2D电子主要来自于Hg_1-xMgxTe-CdTe的界面积累层或Hg_1-x关键词： 变磁场霍耳测量 界面积累层 二维电子气 1-xMg_xTe')" href="#">Hg_1-xMg_xTe     

SiOxNy薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究

本文研究热氮氧化硅(SiO_xN_y)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的持续时间和大小(直到8MV/cm)无关,电子陷阱能级是较深的;当样品被氮化的程度较重时,随着对样品氮化时间的进一步增加,膜中的有效电子陷阱表面浓度逐渐减小,电子陷阱能级深度逐渐变浅,被陷电子的释放率逐渐增加,并与外加反向电场和外加反向电场的 关键词：     

氢对非晶态Y5Ni95合金膜的磁性和电子输运性质的影响

采用电解法实现了非晶态Y,Ni₉₅合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni₉₅H_x(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。 关键词：