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研究了退火条件和 In 组份对分子束外延生长的 In Ga As 量子点(分别以 Ga As或 Al Ga As 为基体)光学特性的影响。表明:量子点中 In 含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的 Al Ga As 基体可增强材料的热稳定性。以 Al Ga As 为基体的 In Ga As 量子点,高温后退火工艺 ( T= 830℃)可改善低温生长的 Al Ga As 层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。 相似文献
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汽─液─固相法生长GaAs/InAs量子点1995年4月,日本《固体物理》第30卷第399页发表的比留间健之等的文章介绍了汽-液-固相法生长的GaAs/InAs量子点及其光荧光蓝移现象。在以As终止的GaAs(111)面上真空蒸发约1nm的Au膜,加... 相似文献
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本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×1015cm-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.47)In_(0.53)As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层里观察到H1(E_v+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的H2(E_v+0.11eV)和E2(E_v-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。 相似文献
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单量子势阱激光器的三元衬底生长日本富士实验室已研制出一种液体密封式切克劳斯基晶体生长法(Czochralski),用来生长高质量InGaAs晶体,继之用来生长单量子势讲InGaAsP激光M极管。若能保证生长期间熔料的质量,就可改进块状晶体组份的均匀性... 相似文献
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利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/AlGaAs量子点结构。通过原子力显微镜观察表明,InAlAs量子的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大;发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌,光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围,并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要昌受量子点的横向尺寸影响。 相似文献
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报导了InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs垂直耦合量子结在注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱,量热吸收谱和电致荧光谱的特性,该激光器的连续波波发光功率在室温下可达1W。 相似文献
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高功率808nm InGaAsP—GaAs分别限制结构的半导体激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了研究分别限制结构InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延技术制造。在GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别限制结构的激光器,主要参数如下:发射波入λ=808nm,阈值电流密度J=300A/cm^2,对于条宽ω=100μm的激光器,连续功率为1-2W。 相似文献
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产生1.3μm辐射的InAsP量子势阱日本Furukawa电气工业公司和光电技术研究公司合作研制成功1.3urn激光器。此激光器采用JnAsP而不是采用GalnAsP或GaldeP作为加载层量子势价结构中的激活区。与普通材料相比,InASP结构的晶体... 相似文献
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采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法成功地研制了具有两对梯度折射率(GRIN)异质结构的InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器。该器的波长为970-982nm,室温连续工作阈值电流密度为140A/cm^2,工作在0.9A时单面连续输出光功率为520mW,工作在2.0时,连续输出光功率为1.49W,最高功率可达2.4W,微分量子效率高达0.83W/A。 相似文献
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高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用金属有机化合物气相淀积( M O C V D)方法成功地研制了具有两对梯度折射率( G R I N)异质结结构的 In Ga As/ Al Ga As 应变双量子阱激光器。该激光器的波长为 970~982 nm ,室温连续工作阈值电流密度为140 A/cm 2, 工作在0.9 A 时单面连续输出光功率为520 m W , 工作在2.0 A 时, 连续输出光功率为 1.49 W , 最高功率可达 2.4 W 。微分量子效率高达0.83 W / A。 相似文献
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研制出使用多量子阱有源层的可见InGaAlP发光二极管。光致发光测试结果表明,与单纯衬底相比,在具有由(100)面向「011」方向故意表面误取的GaAs衬底上进行生长可以明显地改进多量子阱的质量。发光二极管的发射特性主要取决于多量子阱结构的参数变化,尤其是量子阱数量的变化。 相似文献
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由于GaAs与AlAs晶格常数相近,GaAs晶格常数为0.56535nm,AlAs的晶格常数为0.56605nm,当固熔体中Al组份x值从0变到1时,晶格常数变化约为0.15%.因此,在GaAs衬底上生长Ga1-xAlxAs时,在界面处的失配位错少,... 相似文献
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建立了半导体激光器电光取样系统。选择1.3μm,InGaAs增益开关半导体激光器作为取样光源,利用微带GaAs衬底的纵向电光效应作为电光取样器,测量了InGaAs/InP雪崩二极管的脉冲响应特性。分析表明,本系统具有0.35mV/√Hz的电压灵敏度和9ps的时间分辨率。 相似文献
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各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-xP外延单晶薄膜(GaInP2/GaAs).很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染.我们用高灵敏的CAMECAIMS4F型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染GaInP2/GaAs的微量杂质是Si,而不是C.由GaInP2/GaAs在1.17eV附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主-受主对复合发光.进一步分析表明,施主为处在Ga格位上的Si杂质(SiGa),受主为Ga空位(VGa). 相似文献