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用射频磁控反应溅射法在ZnS衬底上制备了GeC薄膜,研究了工艺参数对Ge靶溅射及GeC薄膜红外透射性能的影响.衬底温度较低时GeC薄膜中含有H,形成了CH2,CH3,Ge-CH3等,使薄膜产生红外吸收;随衬底温度升高,薄膜红外吸收明显减小.靶基距、射频功率、Ar:CH4气体流量比、总气压对靶面中毒及溅射影响较大,但对GeC薄膜红外吸收影响较小.靶面中毒严重时,所制备无氢GeC薄膜附着性能差,随靶中毒减弱薄膜附着性能变好.优化工艺后,在ZnS衬底上制备了附着性能良好的无氢GeC薄膜,其折射率约为1.78,薄膜中C的含量比Ge的大,二者主要形成了C—Ge键.所制备的GeC/GaP红外增透保护膜系对ZnS衬底有良好的增透效果.
关键词:
GeC薄膜
红外透射光谱
射频磁控溅射
XPS 相似文献
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以GaP为靶材、Ar为工作气体,采用射频磁控溅射法制备了厚层GaP膜.对沉积过程中的辉光放电等离子体进行了发射光谱诊断,发现只有ArⅠ发射谱线.研究了工艺参数对发射谱线强度的影响规律,并在此基础上通过同时改变射频功率、Ar气流量及工作气压,使ArⅠ发射谱线强度保持相同.发现通过增大射频功率、减小工作气压而保持ArⅠ发射谱线强度不变可以提高GaP膜的沉积速率,并使GaP膜的沉积工艺参数得到优化.在优化后的工艺参数下制备出了符合化学计量比、红外透过性能好的厚层GaP膜.
关键词:
GaP薄膜
射频磁控溅射
等离子体发射光谱
红外透射 相似文献
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用YAG激光制备类金刚石薄膜及其光学折射率研究 总被引:2,自引:2,他引:0
用高功率的Nd^3+:YAG脉冲激光轰击真空室内的石墨靶,形成激光等离子体雾状物质,在硅衬底上沉积形成类金刚石薄膜,用椭圆偏振光谱法测量不同衬底温度下制备的系列样品的厚度和折射率,发现随着衬底温度的升高,薄膜的厚度减小而的折射率增大,这种可以控制折射率米化的薄膜,可能为光学增透增反膜的制备提供一种新方法。 相似文献
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本文给出了两种测量双轴晶衬底上双轴晶单晶膜的折射率和膜厚的方法及测量的公式.我们利用这种方法测量了所研制的KTP光波导薄膜层的折射率和膜厚. 相似文献
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以双抛Si片为基底,采用离子束辅助热蒸发沉积技术研制了1.2~3μm波段激光薄膜滤光片.采用长波通滤光片与减反射膜相结合的薄膜样品设计方法,高、低折射率材料分别选用ZnS和MgF2,综合考虑光谱特性和电场强度分布,使用TFCale膜系软件设计出1.064μm高反、1.2~3μm波段增透的长波通滤光片.长波通膜系膜系结构为G|4H2L1.5H2L2H1.5L2H4L|A,减反射膜膜系结构为G|3.5H3.5L|A.最终实现1.2~3μm波段峰值透过率达98.48%,平均透过率为92.35%,1.064μm处透过率为5.09%的光谱特性.对薄膜样品分别采用离子束处理和退火处理,发现适当的工艺参数,有助于提高薄膜激光损伤阈值,当退火温度为250℃时,其激光损伤阈值可达6.3J/cm~2.本文研究可为近红外薄膜滤光片设计和制备提供参考. 相似文献
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以GaP为靶材采用射频磁控溅射法制备GaP红外光学薄膜,通过保持Ar Ⅰ 750nm发射光谱线强度不变获得了不同工艺参数,并对沉积过程进行了计算机模拟.功率较小、气压较大时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均较小,Ga的溅射率及输运效率均大于P的,使薄膜沉积速率较低、薄膜中Ga的含量大于P的,GaP薄膜产生较大吸收.功率较大、气压较小时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均增大,Ga的溅射率大于P的、但其输运效率小于P的,使GaP薄膜的沉积速率增大、薄膜中Ga与P的含量接近化学计量比,GaP薄膜的吸收降低,因此有利于制备厚度较大的GaP薄膜.
关键词:
GaP
薄膜
射频磁控溅射
计算机模拟 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2007,(2)
薄膜光学理论与膜系设计O484.12007021550红外增透与保护膜技术的研究=Study of infrared AR andprotecting coating technology[会,中]/付秀华(长春理工大学光电工程学院.吉林,长春(130022)),董连和…//光学/激光/红外技术学术交流会.-北京,2006.12.-1162-1164采用电子束与离子辅助沉积技术,在氟化镁晶体材料上制备3.5~4.9μm增透与保护膜。经过实验,选取氧化钛与二氧化硅作为薄膜材料,并优化沉积工艺参数,尽可能减少吸收损失,对氟化镁基底实现有效的增透和保护。实验结果表明,镀膜后其单面剩余反射率由未镀膜时的2.5%减少到1.2%,并能承… 相似文献
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利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)分别对所制备的薄膜晶体结构、组分、表面形貌、厚度、反射率和透过率进行表征分析。研究结果表明:薄膜厚度的增加有利于改善薄膜的结晶质量和组分配比,晶粒尺寸和颗粒尺寸随着厚度的增加而变大。样品的折射率在1 500~2 500 nm波长范围内随着薄膜厚度的增加而增大。样品在可见光区域吸收强烈,吸收系数达105 cm-1量级。禁带宽度在薄膜厚度增加到1 042 nm时为1.57 eV,接近于太阳电池材料的的最佳光学带隙(1.5 eV)。 相似文献
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根据军用光学仪器的使用要求,在多光谱ZnS基底上镀制增透膜,要求薄膜在可见与近红外波段400~1000 nm及远红外波段7~11 μm的平均透射率均大于90%.采用电子束真空镀膜的方法并加以离子辅助沉积系统,通过选择ZnS和YbF3作为高低折射率材料,利用最新OptilLayer软件三大模块的功能辅助,调整镀膜工艺参数,改进监控方法,减少膜厚控制误差,在多光谱ZnS基底上成功镀制符合使用要求的增透膜.所镀膜层在可见与近红外波段400~1000 nm的平均透射率大于91%,远红外波段7~11μm的平均透射率大于90%,能够承受恶劣的环境测试,完全满足军用光学仪器的使用要求. 相似文献
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Deposition of hexagonal boron nitride thin films on silver nanoparticle substrates and surface enhanced infrared absorption
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Silver nanoparticle thin films with different average particle diameters are grown on silicon substrates. Boron nitride thin films are then deposited on the silver nanoparticle interlayers by radio frequency (RF) magnetron sputtering. The boron nitride thin films are characterized by Fourier transform infrared spectra. The average particle diameters of silver nanoparticle thin films are 126.6, 78.4, and 178.8 nm. The results show that the sizes of the silver nanoparticles have effects on the intensities of infrared spectra of boron nitride thin films. An enhanced infrared absorption is detected for boron nitride thin film grown on silver nanoparticle thin film. This result is helpful to study the growth mechanism of boron nitride thin film. 相似文献
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氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4~0.8 Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8 Pa时沉积速率迅速下降。讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因。 相似文献