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相似文献
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1.
具有PFC功能的MKV电容系列B25836系列MKV电容具有功率因素校正(PFC)功能,适合高温环境和恶劣条件应用。B25836系列MKV电容增强的技术性能包括:根据电容类型  相似文献   

2.
《今日电子》2012,(11):67-68
采用P600圆向封装的太阳能电池板保护整流器GPP100MS是一款电流等级高达10A、反向电压达1000V,并采用P600圆向封装的新款光伏太阳能电池板保护整流器。GPP100MS基于玻璃钝化芯片技术,最高工作结温高达175℃。器件具有低热阻,在10A、125℃条件下的正向压降只有0.80V,可承受440A的正向浪涌电流。器件适用于太阳能电池板隔离盒中的极性保护应用,P600封装的最高焊浴温度达到JESD22-B106规定的275℃,持续时间10s。GPP100MS符合RoHS指  相似文献   

3.
《今日电子》2006,(11):113-114
ESD保护二极管和肖特基二极管,优化汽车应用的低压MOSFET,4通道LVDS缓冲器/中继器,小型高电流负载开关系列,新系列家电AC开关  相似文献   

4.
低电容晶闸管浪涌保护器NP0080、NP0120和NP0160低电容、低泄漏晶闸管浪涌保护器件(TSPD)采用节省空间的TSOP-5封装,在发生浪涌和静电放电(ESD)事件时,他们可以保护数字用户线路(DSL)芯片组和线路驱动器。在工作电压范围内拥有小于  相似文献   

5.
《今日电子》2007,(1):103-104
MLP封装的ULTRAFET器件;无卤素树脂二极管;针对CPU稳压器的集成驱动器MOSFET;用于照明系统的MOSFET;采用WL-CSP封装的功率MOSFET。  相似文献   

6.
分立半导体     
《今日电子》2005,(8):76-78
高电压肖特基整流管。MBR60100CT肖特基整流管最适合100至300W供电应用,具有100V反向电压和60A正向电流,封装形式是TO-220AB。该器件典型正向电压是0.64V,最大反向漏电流20mA,典型漏电流仅8.5mA。  相似文献   

7.
正高高可可靠靠性性、低低电电压压齐齐纳纳二二极极管管新型高可靠性ultra-sharp knee二极管器件瞄准国防、航天、工业和医疗市场中的低电压调节和瞬变保护应用,具有低额定电容和低额定泄漏电流特性,其反向泄漏电流低于50nA,工作电压为1~2.4V,测试电流为250μA时最高浪涌电流为25A,符合IEC 61000-42和IEC 61000-4-4标准的ESD和EFT保护。与标准齐纳二极管相比,这些产  相似文献   

8.
针对L波段雷达应用的高速RF输出功率器件BLL6H1214-500是专门针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下简称LDMOS)晶体管,该晶体管在1.2~1.4GHz的频率  相似文献   

9.
《今日电子》2007,(7):118-119
适用于电视广播发射机的超高频晶体管;用于手机相机电子闪光控制的200A IGBT;面向低功耗应用的MLP封装MicroFET;4线总线端口保护二极管阵列;  相似文献   

10.
《今日电子》2007,(12):119-120
PPTC电流过载保护器件,晶闸管浪涌保护器件,基于SiGeC BiCMOS工艺的微波NPN晶体管,可单独控制红色,绿色及蓝色的LED芯片  相似文献   

11.
《今日电子》2007,(6):117-117
具有2W额定功率的面板电位计,SiC肖特基整流器工作电压为1200V,适用运放电路的电阻阵列,可防止表面电弧放电的表面贴装X7R MLCC,新型BiAs单线路ESD保护二极管[编者按]  相似文献   

12.
《今日电子》2007,(2):103-103
小尺寸智能型功率模块接口光电耦合器;采用SOT-953封装的ESD保护二极管阵列;  相似文献   

13.
《今日电子》2005,(1):96-96
小体积的BiCMOS逻辑器件//高效率的双极晶体管//D类音频DirectFET MOSFET//低导通电阻的同步整流MOSFET//NAND闪存采用BGA封装  相似文献   

14.
30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,这两款45V肖特基二极管最大结温高达+175℃,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。这两款器件在+125℃时具有超低的最大正向压降,对于2×30A 60CPT045,30A时典型正向压降低于0.50V,对于2×15A 30CTT045,  相似文献   

15.
《今日电子》2008,(1):116-117
用于保护高速电信设备和数据通信设备的浪涌抑制器件,用于长脉冲调制雷达的大功率UHF晶体管,整合肖特基二极管的单片MOSFET,提高并联服务器电源能效的MOSFET  相似文献   

16.
《今日电子》2005,(2):97-97
MOSFET提高DC/DC转换器效率;小尺寸互补对称MOSFET;微调电容符合RoHS要求;表面贴装的光反射传感器;小尺寸的高电流电感器产品……  相似文献   

17.
正低电容型瞬态抑制二极管阵列低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)可为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下  相似文献   

18.
《今日电子》2005,(6):97-97
推出用于监控AC电流的变压器;智能功率模块;手机相机用闪光控制IGBT;新型低电容ESD保护器件。  相似文献   

19.
采用紧凑型SMD封装的5A肖特基桥CBRSDSH5-40是40V/5A全波桥式整流器,封装在一个表面贴装SMDIP外壳内。VF为0.37V,IR为40μA,该器件适合应用于各种固态照明和电源管  相似文献   

20.
LAN模块电感器,Z箔表面贴装电流感应芯片电阻,固体钽芯片电容器,能提高摩托车点火器性能的微触发单向可控硅,车载用稳压二极管  相似文献   

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