厚膜叠层贴装电容剪切方法的研究

在美军标和国军标中芯片（电容）剪切强度都是判定芯片（电容）可靠性的重要方法之一，但对于不同形貌和组装方式的芯片（电容）两书都没有给出具体的剪切操作方式；本文通过一系列的试验，完整地论述了剪切叠层贴装电容的正确方法。用数据和图示详细的描述了对叠层贴装电容进行剪切时的着力点和剪切结果。对厚膜混合集成电路的生产厂家具有实际的指导作用。     

PZT厚膜的制备及电性能研究

用溶胶-凝胶法制备出锆钛酸铅(PZT)粉体,与流延胶以一定配比混合后流延成型,坯膜于1 100℃高温烧结2h得到PZT厚膜.利用XRD和SEM研究其组织结构,同时测试其相关电性能.结果表明,以10 mL流延胶中加入120 g PZT粉的配比进行流延较合适;得到厚度约为200 μm的钙钛矿结构压电厚膜无裂纹、晶粒尺寸小且分布均匀,其压电常数d33为109 pC/N.在1 kHz测试频率下,其介电常数为179,介电损耗为0.4.     

PZT厚膜与Si衬底互扩散阻挡层研究

在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,利用电泳沉积制备PZT热释电厚膜材料.为防止Pb和Si互扩散,在Pt底电极与SiO2/Si衬底间通过直流磁控溅射制备了TiOx薄膜阻挡层.对具有0、300 nm和500 nm TiOx阻挡层的PZT厚膜材料用SEM和能量色散谱仪(EDS)表征了Pb和Si互扩散情况,用动态热释电系数测量仪测试了热释电系数.结果表明,当TiOx阻挡层为500 nm时,可阻挡Pb和Si互扩散,热释电性能最好.热释电系数p=1.5×10-8 C·cm-2·K-1,相对介电常数εr=170,损耗角正切tanδ=0.02,探测度优值因子Fd=1.05×10-5pa-0.5.     

低成本厚膜PTC热敏电阻浆料制备

本文在传统厚膜PTC(posirive temperature coeficient)热敏电阻浆料制备技术的基础上，改进了功能相的制备方法，大大降低产品成本，用该电阻浆料制备的厚膜热敏电阻在室温下具有较低的方阻，其阻-温特性呈线性。     

微桥结构PZT厚膜红外探测器研究

利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜热释电红外探测器,得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构.使用由斩波器调制的黑体辐射,测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数.结果表明,探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5×...     

MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究

对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究 ,并采用扫描电子显微镜 (SEM )及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明 ,PZT压电厚膜的膜厚可达 10 0 μm ,印制图形分辨率在5 0 0 μm以上 ,在 80 0℃经 1h退火就可获得良好的微晶结构 ,且具有压电特性     

MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究

对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究,并采用扫描电子显微镜(SEM)及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析.结果表明,PZT压电厚膜的膜厚可达100μm,印制图形分辨率在500μm以上,在800℃经1h退火就可获得良好的微晶结构,且具有压电特性.     

PZT厚膜拾振器微图形化工艺研究

采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜，构成了SiO2／Si／SiO2／Ti／Pt／PZT／Ti／Pt形式的拾振器敏感元结构。基于半导体光刻技术，通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术，成功地实现了敏感元的微图形化，解决了Pt／Ti下电极刻蚀难、制作的PZT膜形貌不好和上电极容易起壳等问题，为基于PZT厚膜的高性能拾振器的研制打下了良好的基础。     

PZT厚膜UCPBG结构的射频天线研究

采用了丝网印刷工艺在硅片上制备了锆钛酸铅（PZT）薄膜,进行了相应的工艺分析。设计并仿真了平面光子带隙（UCPBG）结构,测试了结构的电磁参数,证实了结构的可行性,在此基础上提出了一种基于PZT厚膜工艺和平面光子带隙结构的微型射频（RF）天线结构与工艺设计。     

高取向PZT厚膜的0-3复合法制备

采用0-3复合法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了单层厚度0.9μm,总厚度10μm,并且无裂纹的Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3铁电薄膜.溶液中粉体的存在减小了加热时的体积收缩,降低了制备过程中膜内部产生的应力,从而使得单层厚度可达0.9μm,防止了薄膜开裂.X射线衍射分析表明薄膜为单一钙钛矿相结构且结晶状态良好,采用已烧结的粉末时,薄膜呈〈110〉取向;扫描电子显微镜分析表明,薄膜表面无裂纹;介电性能测试结果显示,其相对介电常数可高达1150.为了研究粉末的状态和薄膜取向之间的关系,将未经烧结的未结晶的PZT粉末加入前驱溶液中,在相同的制备条件下,可得沿〈100〉晶向强烈取向的PZT薄膜.     

共沉淀法制备PZT粉体及性能研究

采用共沉淀法,利用Pb(Ac)2.3H2O、ZrOCl2.8H2O、TiCl4为原料,以浓氨水为沉淀剂,聚乙二醇(PEG)为表面活性剂,正丁醇为助溶剂。经实验确定的最佳工艺条件是:反应物浓度为1 mol/L,反应物配比为r[Pb(Ac)2]:r[ZrOCl2]:r[TiCl4]:r[NH3.H2O]=2:1.04:1:12,盐酸浓度为0.04~0.08 mol/L,PEG浓度为0.004~0.006 mol/L,反应温度为常温,反应时间为1~2 h。能够制备出粒度均匀、分散性好的纳米PZT超细粉体,粒径为10~30 nm。650℃煅烧保温2 h,已完全合成为单一晶型钙钛矿PZT固溶体。1 150℃烧结保温2 h,然后对此压电陶瓷的相对介电常数3Tε3/0ε、介电损耗tanδ、压电应变常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、体积密度ρ、居里温度TC等主要性能进行了测试;对显微结构及相组成进行了分析,实验数据表明可得到一种综合性能优良的压电材料。     

多孔PZT的制备与性能研究

用传统造孔剂燃烧工艺(BURPS)法,以碳化淀粉造粒后为造孔剂,制备了不同孔率的锆钛酸铅(PZT)陶瓷,研究了孔隙率随造孔剂量变化规律,并对其介电性能和压电性能与孔隙率的关系进行了讨论.随着孔隙率的增加,材料介电常数降低和压电系数(d33)均减小,而材料的静水压压电系数、静水压电压常数 (gh)、静水品质因数均增加.结合其微观结构初步讨论了产生影响的原因,并讨论了多孔PZT做水下超声应用的可行性.     

水热合成PZT热电体陶瓷材料烧结性的研究

本文对水热合成ＰＺＴ热电体陶瓷的烧结性进行了研究。结果表明：烧成温度为１１６０℃左右，比用传统的固相合成法烧成温度低６０℃，在烧结过程中，Ｐｂｏ的挥发速度比用固相法小得多。     

流延硅基PZT厚膜工艺研究

研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅（PZT）厚膜的工艺。考虑衬底特性对厚膜品质的影响,在不同的种子层上分别制备了PZT厚膜,测试工艺结果,证实了种子层的作用。分析了高温烧结时间对流延PZT厚膜品质的影响,确定了最优高温烧结时间。文章提出的硅基PZT厚膜工艺可用于制备射频天线的介质基片。     

植入关节内压电陶瓷供能研究

为了研究压电陶瓷在植入人工关节内压力下能量产生特性,该文从理论上分析了坚硬锆钛酸铅(PZT)陶瓷元件的能量产生特性和等效电路,并基于实验结果利用非线性拟和算法得到其等效电路的参数拟和值。1个与4个PZT元件的仿真结果和实验结果非常吻合,从而验证了等效电路的参数拟和值的正确性及PZT元件的供电特性(约1.2 mW)。最后描述了利用压电陶瓷供电的电源电路设计和仿真结果,证明了PZT的能量能转换为电路稳定可用电源。     

PZT薄膜电滞回线测试的数值补偿研究

通过Sawyer-Tower测试电路研究了铁电薄膜的电滞回线,发现薄膜漏电阻以及示波器输入电阻和电容的影响可能会使所测量的电滞回线发生形状扭曲或者使测量结果出现较大偏差,通过数值补偿方法重建了电荷平衡方程,并编制了相应的软件补偿程序。通过对溶胶-凝胶制备的PZT铁电薄膜的电滞回线测试表明,运用该数值补偿方法可以有效补偿薄膜漏电阻以及示波器输入电阻和电容对测试结果的影响,满足PZT铁电薄膜制备技术以及微机电系统中器件设计对薄膜性能测试的要求。     

PZT薄膜的深槽反应离子刻蚀研究

研究了锆钛酸铅(PZT)薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下(SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar)刻蚀PZT的效果。实验结果表明,3种工艺气氛下,刻蚀速率都随功率的增加而增加。相同功率下,SF6/Ar的刻蚀速率最高;而CHF3/Ar刻蚀PZT的图形形貌最好,对光刻胶的选择比也最好。最后得出了优化的工艺条件为采用CHF3/Ar,射频(RF)功率为160 W,气体流量比为3∶4(CHF3∶Ar=30 cm3/min:40 cm3/min)时,PZT薄膜的刻蚀速率为9 nm/min,光刻胶的选择比为7。     

PZT铁电厚膜声纳换能器阵列的研制

对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究。最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础。