中子非弹性散射对Bi_(12)GeO_(20)和Bi_(12)SiO_(20)旋声性的研究

通过用中子非弹性散射测量旋声晶体高对称方向的横声学支声子色散曲线的劈裂,从三个方面研究了同构异质晶体Bi_(12)GeO_(20)和Bi_(12)SiO_(20)的旋声特性。值得注意的是,沿〈111〉方向传播的左旋、右旋圆偏振声子具有不同的衰减。其中传播速度快的圆偏振声子衰减较大,该结论为这两种晶体所证实,这是在晶体旋声性研究中首次观察到的现象。实验还直接确定了衰减较大的这支声子的寿命约为2×10~(-11)S。     

锗酸铋(Bi_(12)GeO_(20))表面波温度传感器

近来出现的表面波温度传感器不但具有如体波石英测温晶体那种直接输出数字信息的特点,而且还具有频率上限及灵敏度高、线性好、容易批量生产、性能稳定、可靠性和老化特性好等优点.可以制成接触式和非接触式两种类型.这种器件在无线电测温和控温方面的应用是很有希望的. 本文介绍采用锗酸铋单晶作基底材料的接触式表面波温度传感器.T.M.Reedet 等人曾报道过用锗酸铋试制表面波温度传感器[1],但未给出实测的曲线.本项工作是验证器件实用的可能性,测试了频温特性曲线,并同采用铌酸锂(Li Nb O3)单晶的同类器件作比较.1.工作原理 表面波温度…     

Bi_4Ge_3O_(12)晶体的磁光法拉第旋转

在可见光范围测量了Bi_4Ge_3O_(12)晶体磁光法拉第旋转的色散关系,也测量了从室温到液氮温度磁光旋转在633nm的变化。大的磁光旋转和很宽光波范围的高透过率表明晶体在磁光应用上也是很有价值的。扼要讨论了Bi离子在抗磁晶体中对磁光旋转的重要作用。     

法拉第效应和波长的关系

基于法拉第效应,在室温下,搭建实验光路,研究了入射光波长与法拉第偏转之间的关系,测得了实验样品MR3-2对不同波长的菲尔德常量,对菲尔德常量和波长关系进行拟合,拟合曲线与理论曲线符合较好.     

提拉法生长BGS(Bi_(12)Ge_xSi_(1-x)O_(20))系列低声速新单晶

用提拉法,生长了BGS(Bi_(12)Ge_xSi_(1-x)O_(20))系列中六种新的低声速单晶材料。晶体尺寸约为15×15×80mm~3。BGS系列单晶属等轴晶系,23点群,空间群是I23或I2_13二者之一,晶格常数为α≈10.11A。密度在9.20×10~3kg/m~3(BG)至9.30×10~3kg/m~3(BS)之间。(100)方向的纵波声速υ=3.7×10~3m/s,与BG单晶和BS单晶相近。     

Bi_4Ce_3O_(12)单晶的电子结构和光致发光过程

Ⅰ—实验数据 锗酸铋的吸收谱是由两个宽带所组成。一个比较强的位于2000(?)-3000(?)的紫外区。另一个比较弱,位于可见区。在主峰2800(?)     

Bi_(3.15)Nd_(0.15)Ti_3O_(12)纳米棒的拉曼和紫外吸收光谱研究

以Bi(NO3)3.5H2O,Nd(NO3)3.6H2O和Ti(OC4H9)4为原料,加入聚乙烯醇(PVA-124),采用水热法在200℃经48 h合成了铋层状钙钛矿结构掺钕钛酸铋(Bi3.15Nd0.85Ti3O12,BNdT)纳米棒,纳米棒直径约10~200 nm,长度达十几微米。利用Raman散射研究了掺钕对钛酸铋晶格结构的影响。掺钕钛酸铋和钛酸铋的Raman光谱表明,Nd取代了类钙钛矿层中A位的Bi,掺Nd改善了BTO的对称性和减小了TiO6八面体的畸变。利用UV-vis光谱研究了BNdT纳米棒的光吸收特性,BNdT纳米棒存在A(400 nm),B(275 nm),C(210 nm),D(196 nm)四个吸收带,分别对应于电子从Bi3+的基态1S0到激发态3P1,3P2,1P1的跃迁和电子从阴离子团TiO6八面体到带正电的Bi3+离子的跃迁。BNdT的带隙为4.3 eV,大的带隙归因于纳米结构的量子尺寸效应。     

磁光克尔和法拉第效应的完整测量

简单叙述了克尔效应和法拉第效应的原理，并从光谱学研究的角度，对克尔和法拉第旋转角和椭偏率完整磁光参数的若干种实验测量作了介绍和讨论；讨论了一种可供实用的傅里叶磁光谱分析法，可以用较少的并且是无色散的光学元件，通过旋转检偏器，对出射光强随检偏角变化的关系，作傅里叶变换，就可直接可见光区求得完整的克尔和法拉第磁光参数，同时还给出了具体的实例和测量研究的结果。     

法拉第效应的微机辅助实验

运用CAI方法，编写了法拉第效应演示程序，介绍了该程序设计原理、设计思想及在教学中的应用．     

脉冲强磁场下的法拉第效应

本文提出了利用脉冲强磁场测量法拉第效应的方法．测得火石玻璃（ｆｌｉｒｔｇｌａｓｓ）和硫化锌（ＺｎＳ）的Ｖｅｒｄｅｔ常数为０．４５８（ｄｅｇ／Ｔ·ｍｍ）和２．９８（ｄｅｇ／Ｔ·ｍｍ）．     

磷酸铝(α-AlPO_4)单晶旋光性的研究

本文研究了磷酸铝单晶的旋光特性.用偏光显微镜观察了晶体的锥光干涉图、埃拉螺旋图;测量了晶体的旋光率、旋光率随波长和温度的变化.指出该晶体旋光性质是受晶体中Al-O及P-O四面体的旋向和随温度的变化所制约.     

石英晶体旋光性的温度效应测试研究

为了测试温度对石英晶体旋光性的影响,采用陶瓷平板型半导体制冷器件作为温控器,设计、建立了石英晶体旋光性温度效应的测试系统,对石英晶体旋光特性的温度效应进行了测试研究：在-10～60℃的温度范围内,从实验上测试了石英晶体的旋光角随温度的变化。实验结果表明：对于确定的单色光,随着温度的升高石英晶体的旋光率增大。根据测试结果,通过求解塞耳迈耶尔方程和四次拟合的方法,得出了塞耳迈耶尔方程的常数与温度的关系式,从而可以得出任意温度下不同波长对应的石英晶体的旋光率。     

一种完整测量磁光克尔效应和法拉第效应的方法

详细给出了一种测量完整克尔和法拉弟效应的原理和实验装置。该装置简单可靠,安全由计算机控制。利用傅里叶变换方法,实验系统可以在从０．０１度至几百度的克尔和法拉第旋转角范围内以及在１．５￣６．０ｅＶ的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第旋转角范围内以及在１．５￣６．０ｅＶ的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第效应的绝对值。作为实验测量的例子,给出了ＭｎＢｉＡｌ合金薄膜样品和ＧａＰ块状样品的克尔和法     

金属中逆法拉第效应的经典理论

研究电子在圆偏振光驱动下的经典动力学问题以及金属中逆法拉第效应(IFE)的经典微观机制.得到电子在圆偏振光驱动下的一个解,表明其运动轨道是螺旋线.忽略电子与磁场的相互作用,电子作绕平行于其初速度的轴、横截面为椭圆的螺旋线运动,产生了一个平行于其初速度、方向由圆偏振光的手征性决定的磁矩.磁矩的统计结果与Hertel从电子气整体出发得到的结果一致.     

一维磁光子晶体的法拉第效应

由于一维磁光子晶体能同时展示出很好的光透射率和法拉第旋转,故可用于实现小尺度的磁光隔离器。采用传输矩阵法研究了由磁光膜(Bi∶YIG)和电介质膜(Ta2O5,SiO2)构成的一维磁光子晶体,分别讨论了在垂直入射和斜入射条件下的法拉第效应,并给出了几种可行性结构,对磁光隔离器件的进一步改进设计具有一定的参考价值。     

法拉第效应旋光不可逆性的实验验证

现有的法拉第效应实验装置仅能验证光单方向通过介质时,偏转角变化量与磁场间的正比关系,却无法验证法拉第效应旋光的不可逆性.重新设计光路,可测量线偏振光二次通过介质后的旋光角,与单次通过介质时的旋光角进行比较,实验结果可验证法拉第效应旋光的不可逆性.     

Pd_(73) Si_(20)Cr_7合金的磁阻效应

本文报告了Pd_(73) Si_(20) Cr_7合金的磁阻测量结果.发现在4.2K之下,非晶态样品在低场区为正的磁阻效应,在高场区为负的磁阻效应.其峰值出现在几千到一万高斯的范围内.     

LiKSO_4的旋光性和相变

室温下测量了LiKSO_4单晶的旋光频散特性,用“晶体”旋光模型可以很好地拟合实验结果。在-180℃到680℃温度范围内,测量了LiKSO_4的旋光度,观测到四个相交:低温相变具有显著的温度迴线,相变温度随样品而异。讨论了上述相变模式与目前已报道的LiKSO_4相变资料之间的关系。     

一种完整测量膜片法拉第效应和损耗的方法

提出了一种能完整测量零锁区激光陀螺法拉第偏频组件中旋光膜片的法拉第旋光效应和超低损耗的方法和自动测量系统.该方法利用双光路正交分解平衡测量原理,通过测量两束光光强平衡时起偏器的偏振方向来确定旋光膜片的法拉第转角和超低损耗.测量结果表明：系统对法拉第转角的测量分辨率小于0.9″,损耗测量分辨率为10 ppm.环境温度的波动对法拉第转角的测量变化很小,但对膜片超低损耗测量影响很大,温度变化8.1 K,膜片损耗测量值变化一个周期.实验及结果证明,该系统能满足超高精度测量的要求.     

基于几何遮蔽效应和法拉第旋光效应耦合的磁流体偏振光透过率

根据几何遮蔽效应和法拉第旋光效应耦合原理给出的解析表达式,通过数值模拟计算,研究了磁流体的纵场诱导偏振光透过率及磁流体的浓度、液态介电常量、磁性颗粒磁偶极矩热能比和单位磁性颗粒团聚体所含磁性颗粒数量四个参量的变化对其偏振光透过率的影响.结果表明,磁流体的浓度、液态介电常量和磁性颗粒磁偶极矩热能比对其偏振光透过率有显著影响,低浓度样品的偏振光透过率随着纵向磁场强度的增大而线性增加,而高浓度样品则随着纵向磁场强度的增大呈现振荡变化的特性.在一定范围内,磁流体偏振光透过率随其液态介电常量εliquid和磁性颗粒磁偶极矩热能比μd/(kT)的变大而增加.而单位磁性颗粒团聚体所含磁性颗粒数量对其偏振光透过率没有影响,磁流体参量依赖的偏振光透过率在低磁场区域和高磁场区域有明显区别.提出了磁流体纵场诱导偏振光透过率在几类光子器件中的可能应用.