半导体介质波导中光生载流子的浓度分布

本文采用数值方法求解半导体矩形介质波导中光生载流子的非线性连续方程，获得了光生载流子在波导中的三维空间稳态分布，为严格分析光控矩形介质波导毫米波传播特性打下了基础。     

半导体介质波导中光生载流子的浓度分布

本文采用数值方法求解半导体矩形介质波导中光生载流子的非线性连续方程,获得了光生载流子在波导中的三维空间稳态分布,为严格分析光控矩形介质波导毫米波传播特性打下了基础。     

多层平面介质波导两类辐射模之间的正交关系

通过场的平面波表示式导出了多层平面介质波导两类辐射模之间一个简单的正交关系，这一正交关系仅由多层波导最外面两个界面上场的幅度之比及相位之差确定，并与介质的层数多少以及多层介质波导内部各层场的具体分布无关．这是一个普适的正交条件，以前所报道的正交关系都是本文正交关系的一个特例．     

平板介质波导不连续性问题的有限元分析

本文应用的有限元、模匹配和多模网络相结合的方法，分析了平板介持波导不连续性结构的散射及辐射特性，与常规的从场源关系出发来分析辐射问题的方法不同，本文方法从求解介质波导结构的色散特性入手，从攻射的角度将辐射问题转化为表面波和窨波的传输问题，从而使分析过程得到了很大的简化。     

多层圆柱形Chiral介质波导的传播特性

本文利用递推本征函数法分析计算了多层圆柱形chiral介质波导的传播特性。文中推导了不同chiral介质层中电磁场的递推关系,得到了计算N层圆柱形chiral介质波导色散特性的特征方程。作为数值示例,文中给出了几种chiral介质波导传播特性的计算结果。     

任意多层介质波导本征值问题的网络分析

本文用微波网络的方法求解了任意多层介质波导的本征值问题;编制了一个分析N层介质波导色散特性和电磁场分布,并具有计算机图形功能的通用程序。通过对非对称多层介质波导场分布的实例分析,形象地说明了介质分支波导中模式转换和分裂的过程,并讨论了模式转换的一般规则。     

等离子显示器（PDP）的应用与发展

在参阅大量参考文献的基础上，详细地介绍了等离子显示器的工作原理、特点与发展概述，对我国发展等离子显示器也作出了比较明确的说明与分析。具有一定的参考价值。     

用双重场匹配法分析GNRD波导介质带间隙的不连续性

采用双重场匹配法，对ＧＮＲＤ波导的横截面分区，在分区界面用横向的场匹配法计算了波导的传输模和衰减模色散特性及其本征模表达式；并在间隙不连续处用纵向的场匹配法求该处的主模传输系数和反射系数．本文提供的数据可作为ＧＮＲＤ波导多级带通滤波器设计的依据．     

不同等离子清洗在半导体封装中的应用研究

等离子清洗在半导体封装中越来越重要,不同激发机理的等离子存在一定的差异,通过分析直流电流等离子、射频等离子、微波等离子产生机理,研究对比了不同等离子清洗的清洗效果及特点。通过对比等离子清洗对不同封装工艺的影响,得出最合适倒装焊的底部填充、键合焊接、模塑包封工序的等离子清洗类型。研究结果既有助于对等离子清洗工艺理解的深入,也对不同封装工序选择何种类型等离子清洗有参考意义。     

平凸波导压缩大光腔半导体激光器

本文报道平凸波导压缩大光腔半导体激光器,对其外延生长、结构及波导特性作了讨论和分析.     

平面周期介质波导中波数的一种图解法

本文利用稳定曲线求解周期介质层中散射方程的波数,提出一种简单而适用的确定传输模的个数及其下标的方法。     

双正弦周期调制介质波导的色散特性及其应用

本文根据Fourie变换理论,推导了电磁波在双正弦周期调制介质中的传播特性,求解了上述条件下电磁场边值问题的特征值和相应的特征向量问题。通过数值计算,得到了一组描述此种介质中电磁波的色散特性。同时,找到某些不同于单正弦周期介质中传播特性的结果。最后,介绍了一种新型的双阻带介质波导滤波器作为它的应用实例。     

半导体制冷技术及应用

<正> 半导体制冷又称温差制冷或热电制冷,这项技术自20世纪50年代末发展起来后,因其具有独特的优点而得到了较广泛的应用。在发达国家,它已用于汽车(或手提式)冰箱、白内障冷冻摘除器、核潜艇空调器、红外制导空对空导弹的红外探测器探头冷却器、照相显影液恒温冷却器、宇航员及坦克乘员的空调服等方面。我国在20世纪60年代开始对半导体制冷进行了研究,并生产出性能良好的半导体制冷材料。随着我国经济的高速发展,许多领域有待于用半导体制冷技术去进一步开拓。本文介绍半导体制冷技术的原理、特点及主要应用。     

微带加载插入介质波导的全波分析及其应用

对一种新型传输线－微带加载插入介质波导（Ｍ－ＩＤＣ）进行全波分析,首先建立了时域模型,用时域有限差分（ＦＤＴＤ）法分析其基本特征;并将该结构应用于微波宽带部件,用ＦＤＴＤ法仿真计算了两种小型、宽带部件－双端失配器和衰减器,工作频带为０．５ＧＨｚ－１８ＧＨｚ。仿真结果与实验测试结果相比较,二者相互吻合;分析和实验验证了Ｍ－ＩＤＧ结构的优良性能。     

高效率半导体激光器波导层掺杂的优化设计

为获得高效率半导体激光器,理论分析并计算了p型波导层四种不同掺杂浓度分布对器件内损耗、串联电阻、阈值电流以及电光转换效率的影响,由此优化了p型波导层的掺杂浓度分布和厚度。根据计算及优化结果,p型波导层采取线性s杂分布,厚度为0.45μm,制备了腔长1200μm的980nm半导体激光器,其阈值电流为324mA,内损耗为1.62cm-1,串联电阻为136mΩ。当输入电流为1.98A时,激光器的斜率效率和输出光功率分别为1.05W/A和1.74W,对应的电光转换效率从未优化时的54.6%提高到58.4%。     

半导体原子层外延技术的现状和展望

物质减薄到和原子差不多的厚度时,将出现许多新的特性。利用它可以开发出各种新的半导体元件和各种人工材料。原子层外延技术便是实现物质这种减薄的方法,本文将介绍它的现状和展望。