ASML公司光学光刻技术最新进展

荷兰ASML公司作为全球三大光刻机集成生产商之一，通过不断的技术创新，在全球光刻机市场上居于领先地位。在简单介绍光刻机基本工作原理和主要技术指标的基础上，详细分析了ASML公司在光学光刻技术方面的最新技术进展。     

不断攀登前沿科技顶峰的ASML --访ASML中国区技术行销经理程天风先生

ASML公司致力于为客户提供最佳的光刻设备与技术以支持复杂的集成电路制造。ASML目前在全球欧美和亚洲的50个地区设有分支机构,拥有5000位员工。对于国内代工业水平的不断发展与提升,ASML作出了巨大的贡献。SEMICONChina2006展会召开前夕,记者特意走访了ASML公司,以下是对ASML中国区技术行销经理程天风先生的访谈内容。     

中芯国际向ASML订购4.5亿欧元光刻设备

中芯国际集成电路制造有限公司SMIC在2014年底前实现28nm批量投产。SMIC在上海与ASML签订了价值4.5亿欧元的光刻设备批量购买协议,以适时提升自己先进工艺代工能力。根据协议,ASML将向SMIC提供为32nm以及更为先进工艺节点而设计的300mm规格Twin Scan NXT系统,晶圆高生产效率、高对准精度、高成像分辨率     

国外光刻设备市场概况及发展趋势

本文主要从市场角度述评了近两年国外光刻设备的最新发展动态。具有0.6微米线宽加工能力的g线步进机和0.5微米线宽加工能力的i线步进机在今后的16MDRAM的批量生产中将担当主要角色。在即将来临的64kDRAM大生产时代,准分子激光源的片子步进机、远紫外源的扫描步进机将于小型专用贮存环辐射源的X射线步进机平分秋色,并驾齐驱进入256MDRAM时代。     

储备力量 蓄势待发——访ASML中国区总经理David Sachse和技术行销经理程天风

随着半导体工艺技术的快速拓展,对芯片的制造设备也提出非常严峻的考验。如何满足大尺寸、纳米级芯片制造工艺的要求,是提升产业发展速度的要素之一。在芯片生产中,光刻是决定集成电路制造水平的关键工艺之一,同时光刻设备也是半导体芯片生产设备中价格最昂贵的设备之一。目前在光刻领域形成ASML、尼康和佳能三足鼎立的局面。而且全球最大的芯片制造设备供应商应用材料也对光刻设备市场虎视眈眈。总部位于荷兰的ASML公司一直致力于光刻技术领域,努力保持和代工业同步发展,并且致力于将最新的技术成果引入中国市场,积极支持中国代工业的…     

ASML发布最新沉浸式光刻设备可用于38nm存储器

ASML Holding NV近13在SEMICON West上发布其最新的沉浸式光刻设备Twinscan XT 1950i。尽管该设备与之前的同类产品同样采用1．35孔径（NA）,然而该系统的分辨率从40nm改善至38nm,这能使芯片在面积上收益10％。     

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。     

193nm波长的光刻和光学制造

光刻集成电路生产过程所用的照明波长推动着形状尺寸的变化，即波长越短，可使成像特征越小。为制作下一代计算机用的集成电路片，光刻系统也、须更深地向短波长、高能紫外光谱区移动。在该波长区，光学系统的设计和制作变得更困难。这种需要要求有更严格的系统设计法，必须仔细平衡吸收、散射、严密制造公差和运用寿命的关系。最小特征尺寸为0．18μm的一代集成电路片将用光到方法生产，也许是使用193nm波长的激光照明和用反射折射物镜，后者既包括反射元件，也包括折射元件。为支持这个波段的光致抗蚀剂显影，纽约州特洛帕尔公司的工程师…     

ASML一体化光刻解决方案延续摩尔定律

ASML集团公司在美国旧金山举行的SEMICO NWest展会上发布多项全新光刻设备，让芯片制造商能够继续缩小半导体器件尺寸。FlexRay^TM（可编程照明技术）和BaseLiner^TM（反馈式调控机制）为ASML一体化光刻技术的一部分，具有高稳定性，能够优化和稳定制造工艺。     

全球半导体设备营收下滑唯光刻与测试设备市场良好

市场调研公司The Information Network日前公布的全球IC制造设备与材料市场分析报告称，2007年全球半导体设备市场营收将下降约4％，其中前端半导体设备市场将下滑2．3％，而光刻设备与测量设备市场光景良好，增长率将分别达到5．8％与18．4％。[第一段]     

下代光刻设备的再次选择

１引言一年半以前,国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实,各种技术均具有７０ｎｍ以下特征尺寸的作图能力。然而,根据下代光刻...     

光刻设备在特定应用中获得新生

由于我们一直致力于预测集成电路技术的未来发展．这就容易忽视那些老代技术潜在的巨大市场的需求。但令人欣慰的是．包括248纳米光刻系统在内的老代的技术平台正被重新改造，进而投入不断成长的市场接受挑战。     

光刻设备市场

<正>据市场调研机构Gartner Dataquest最新报道:2006年半导体设备市场表现持稳,全球销售情况已按照原先预估进行,创下历史上第二高的销售记录,Gartner预估,2006年全球半导体设备销售额约可达424亿美元规模,较2005年增长24.9%。     

光学光刻新设备与技术介绍

1　瑞士推出一种新颖的高分辨率光刻技术　　瑞士苏黎世ＩＢＭ实验室的研究人员已研制出一种十分简单的光学光刻技术 ,它可以印制比所用光波长 1 / 2还要小的特征尺寸。无需复杂而又昂贵的聚焦光学系统。含有图形的“光图章”直接置于晶片上 ,不同于传统的接触式光刻技术要采用玻璃上铬掩模 ;ＩＢＭ实验室开发的新方法采用橡胶式掩模 ,与晶片均匀地接触。当光透过这种掩模时 ,将图像传入衬底 ,并在凹进区域被封锁或反射。通过起推进作用的聚焦效应和“光图章”与抗蚀剂间的紧密接触来减小光散射 ,使其与折射率匹配。工作人员采用 2 48ｎｍＫ…     

深亚微米光学光刻设备制造技术

相对于其它“后光学”光刻技术 ,在 0 1 3μm甚至 0 1 3μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然具有强大的吸引力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高 ,当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。论述了深亚微米光学光刻设备的技术指标和面临的技术困难 ,对其中一些关键的技术解决方案进行了分析。