半导体材料的发展及现状

介绍了半导体材料近10年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用；对其中一些材料进行了分析比较；描述了半导体新型材料的发展前景。     

基于Ⅲ-V族半导体材料的热光伏电池研究进展

部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏（TPV）电池。简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-V族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势。     

太阳能光伏发电技术在建筑中的应用

本文阐述了太阳能光伏发电系统的基本组成及工作原理,提出了光伏发电系统与建筑一体化的概念,并分析了其发展优势。然后提出在九洲电气新建厂区建设太阳能光伏电站的设计构想,最后对此工程的发展前景进行了预测。     

Effect of the interface states on the cell parameters of a thin film quasi-monocrystalline porous silicon as an active layer

Unlike crystalline silicon, quasi-monocrystalline porous silicon (QMPS) layers have a top surface with small voids in the body. What is more pertinent to the present study is the fact that, at a given wavelength of interest for solar cells, these layers are often reported, in the literature, to have a higher absorption coefficient than crystalline silicon. The present study builds on existing literature, suggesting an analytical model that simulates the performance of an elementary thin QMPS (as an active layer) solar cell. Accordingly, the effects that the interface states located at the void-silicon interface and that the porosity of this material have on the cell parameters are investigated. Furthermore, the effects of the optimum base doping, QMPS thickness, and porosity on the photovoltaic parameters were taken into consideration. The results show that the optimum base doping depends on the QMPS thickness and porosity. For an 8 μm thickness, the film QMPS layer gives a 35.4 mA/cm² for short-circuit current density, 15% for conversion efficiency, and 527 mV for open-circuit voltage when the value of the interface states is about 10¹² cm⁻² and the base doping is about 2×10¹⁸ cm⁻³ under AM 1.5 conditions.     

反应烧结压力对Bi2Te3半导体材料组织与性能的影响

以Bi和Te的单质为原料,用固相反应烧结法制备Bi2Te3P型半导体制冷材料.实验采用X射线衍射仪、莱卡光学显微镜分析压制工艺对材料组织性能的影响.实验结果表明:压力增加,塞贝克系数减少.压力较小时有BiTe存在,压力增加BiTe减少,Bi2Te3增加,300KN时基本为纯Bi2Te3     

半导体材料加工过程的化学方法应用

在半导体材料的加工过程中,很多重要步骤都涉及到了化学作用,讨论了半导体材料加工过程中化学缓蚀、化学机械抛光和清洗步骤的化学作用原理,介绍了从化学角度分析和优化半导体加工工艺的观点。     

Investigating the role of a Schiff-base ligand in the characteristics of TiO2 nano-particles: Particle size,optical properties,and photo-voltaic performance of dye-sensitised solar cells

A Schiff base ligand was employed to synthesise TiO₂ nano-particles by a two-step sol–gel method. The effect of the ligand on purity, particle size, optical properties and photo-voltaic performance of dye-sensitised solar cells was investigated. Various concentrations of the ligand were applied and each sample was characterised. Changing the ligand content had an effective role on the optical and photo-voltaic properties of the final product. The obtained products were characterised through powder X-ray diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectra, energy-dispersive X-ray spectrometry and ultraviolet–visible spectroscopy.     

器件结构中材料应力的控制和优化方法

在对器件结构中材料应力进行分析和测量的基础上，提出了控制和优化器件结构中材料应力的几种方法，包括合理选择工艺条件、采用多层复合膜技术、确定双层结构的最佳厚度值以及选择适当的材料种类等。实际应用结果表明，这些方法是有效的和可行的。     

2005／2006年全球半导体资本支出与半导体设备市场

介绍了2005／2006年全球半导体资本支出与半导体设备市场。全球半导体设备市场步入 温和下滑周期。     

质量迁移层对InGaAsP BH半导体激光器阈值电流和模式行为的影响

用 Schwarz-Christoffel变换法计算了质量迁移InGaAsP BH激光器中的结电压分布;分析了迁移层和有源层侧向厚度,上限制层空穴浓度和有源层注入电流对迁移层同质结漏电流的影响;并提出以过渡模式为界,区分A类和B类模式,从理论上比较全面地分析了五层对称平板波导的模式行为;指出降低阈值电流和保证单基横模工作这两方面对迁移层厚度有相反的要求,从而存在一定意义下的最佳迁移层厚度.     

我国半导体工艺设备发展浅议

半导体工艺设备是集成电路发展的重要先决条件。集成电路工艺技术的改进提高和产品的更新换代都与工艺设备息息相关。如何发展我国的半导体工艺设备，促进集成电路产业的发展，是我们应当认真思考的一个问题。本文在简单回顾了我国半导体工艺设备的发展历程之后，论述了它的现状与面临的问题，并就今后的发展提出了几点具体意见。     

激光诱发前向转移技术在电子制造领域的应用

激光诱发前向转移是基于激光的诱导作用实现微量物质转移的技术.转移过程中激光与薄膜材料发生相互作用,使薄膜从源透明基板上剥离,转移到目标基板上,发生转移的薄膜最终在目标基板上发生沉积.作为微细加工的一种手段,激光诱发前向转移技术具备制作微小结构的能力,能实现金属、有机物、半导体和生物材料等多种材料的转移和图形制作,在电子制造领域有着广阔的应用前景.