片状电阻硫化失效机理及应用可靠性研究

空调控制器主板在售后使用1-3年后出现的报PL故障,经过失效品分析及大量数据统计,大部分电阻失效集中在控制器外电路的直流母线电压检测电路片状电阻位置,电阻表现为值大、开路失效,通过对售后返回大量的电阻失效分析和电阻硫化实验验证,采用扫描电镜、能谱分析等手段研究了厚膜片式电阻器的硫化现象和失效机理.分析研究结果显示,片状电阻端电极和二次保护包覆层之间存在缝隙,空气中的硫化物通过灌封硅胶吸附进入到片状电阻内电极,导致内电极涂覆银层的银被硫化,生成电导率低的硫化银,使电阻的阻值变大甚至呈现开路状态.经大量的方案分析验证最终确定从器件本身提高器件的应用可靠性的可行方案,有效解决了电阻硫化失效问题.     

片状多层瓷介电容器可靠性问题分析

本文介绍了片状多层瓷介电容器在生产和使用过程中出现的可靠性问题，如片状电容瓷体断裂、微裂和电性能-绝缘电阻下降失效等，分析了可靠性失效原因和机理。     

厚膜片状电阻器开路失效分析

分析了厚膜片状电阻器波峰焊时开路失效的原因 ,并提出了相应的解决方法。     

应力诱发的电迁移失效分析

电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效.总结了两种典型的电迁移失效模式:热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移的失效应力诱发条件,以及失效分析方法.通过失效分析案例研究,加深对两种失效机理的认识并提供电迁移失效分析的基本思路.     

锌银蓄电池失效分析及预防措施

以工作电流和工作温度为主要考虑因素,建立了锌银蓄电池基本失效率模型和工作失效率模型。以试验数据为基础,采用失效率模型,通过数值计算得到基本失效率预计值,将预计值与试验值进行了比较,结果表明,得到的失效率模型可以应用于工程实践,为预防锌银蓄电池失效提供了理论基础,对锌银蓄电池在飞机上的正确使用具有重要意义。     

锌银航空蓄电池失效分析及对策

以工作电流和工作温度为主要考虑因素,建立了锌银航空蓄电池基本失效率模型和工作失效率模型。以试验数据为基础,采用失效率模型,通过数值计算得到基本失效率预计值,将预计值与试验值进行了比较,结果表明,得到的失效率模型可以应用于工程实践,为预防锌银航空蓄电池失效提供了基础,对锌银航空蓄电池在飞机上的正确使用具有重要意义。     

变频空调开关电源电路开关芯片炸失效分析与研究

变频空调控制系统用控制器在实际应用一段时间后出现主板失效问题,经过大量数据统计分析及实际主板失效分析确定是开关电源电路中的开关芯片炸失效导致,该问题一直是困扰着空调生产企业难题,问题长期存在没有得到有效解决方案,严重影响产品质量。本文从器件可靠性、应用开关电源电路系统设计、实际应用环境等方面进行全面验证分析,最终将开关芯片炸失效原因找到,并采取有效方案解决。     

TDICCD相机成像系统片式电阻失效分析

为了判断TDICCD相机成像系统在温度循环试验中出现的故障原因,通过故障模式影响及危害性分析,建立了故障树。经排查分析和测试,判断故障部位是地址线表面贴装片式电阻。元器件可靠性中心通过电测和DPA,对该片式电阻进行了失效分析。检查结果表明,该片式电阻是由使用过程中的异常外力造成片式电阻器端电极局部脱落,并排除了该器件存在批次性缺陷的可能。异常外力的来源是电装操作人员在返修过程中焊接时间过长,热应力导致片式电阻器端电极局部脱落。改进措施为严格控制片式电阻焊接时间小于2s。该故障定位准确,机理清楚,经试验验证,措施有效。     

高导电片状银包铜粉的制备技术研究

采用[Ag(NH3)]+溶液对片状铜粉进行包覆,研究了铜粉粒径、[Ag(NH3)]+溶液浓度、包覆温度、分散剂含量等因素对银包铜粉银含量和电阻率等的影响。结果表明:通过控制包覆温度(60℃)、银氨络离子浓度(0.8mol·L–1)以及分散剂含量(1.0g·L–1),得到了电阻率为0.8×10–3?·cm的银包铜粉。XRD分析表明,该银包铜粉只有Ag和Cu相,不含中间产物。银包铜粉松装密度为0.50g·cm–3左右,比表面积为3.1~3.3m2·g–1。     

片状多层瓷介电容器常见可靠性问题分析

本文介绍了片状多层瓷介电容器在生产和使用过程中出现的可靠性问题,如片状电容瓷体断裂、微裂和电性能-绝缘电阻下降失效等,分析了可靠性失效原因和机理.     

对彩电2918机型消磁电阻早期失效的分析

本文着重介绍了ＡＤＣ（自动消磁电路）、正温度系数消磁电阻的工作原理，并对ＭＺ７３－Ｄ－１８Ω消磁电阻早期失效进行了分析。     

TVS短路失效机理分析

常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外.TVS一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况.通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征.结合器件结构、材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等,采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因.分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷、表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等,使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等.     

厚膜电路银迁移机理及水滴试验测试

本文着重探讨了厚膜混合电路的银迁移现象，分析了银迁移的机理，影响银迁移的主要因素和水滴试验测试方法。     

半导体器件金属互连电阻失效分析方法研究

晶圆的失效分析在集成电路制造中起着十分重要的作用.通过对器件的失效分析,可确定器件的失效机理,并及时改善工艺.阐述了WAT(晶圆验收测试)中金属互连电阻(Rc)失效分析的优化流程.根据不同的金属互连电阻失效模型,如阻值偏低、阻值偏高以及断路,选择合适的失效分析方法,从而可以快速准确地揭示器件金属互连电阻失效的根本原因.     

金属膜电阻失效前后概率分布及可靠性分析

产品在加工时总会有不可控的因素影响产品质量的稳定性,为解决这一问题,本文从可靠性分布函数的角度提出了提高电阻质量的方法。本文通过对金属膜电阻进行步进应力加速寿命试验以及电阻失效前后概率分布试验,得到了失效前后的阻值概率分布函数及正常应力下的概率分布函数与可靠性指标。实验结果表明,电阻阻值失效前后分布都属于威布尔分布。同时,给出了电阻损伤7.2%~15.6%,且失效模型为持续施加电压下不可逆的积累损伤模型时的分布函数,并获得了合格电阻与冒烟损坏电阻概率分布曲线的明显区别,从而,有可能从概率分布角度定义电阻的质量特性。     

LED水汽侵蚀失效分析

通过I-V特性曲线测试、机械开封、光学观察、扫描电镜及能谱分析、切片观察和红墨水试验等测试手段,对失效LED和正常LED进行了测试,并对测试结果进行了对比分析。结果显示失效样品I-V特性曲线异常;存在短路现象,电镜观察失效样品芯片表面出现树枝状银物质,同时观察到支架与环氧胶界面存在缝隙,由此推断出水汽入侵路径。结合失效背景,得出LED灯珠失效原因为LED支架与环氧胶的界面存在缝隙,水汽通过缝隙侵入,在电场作用下,芯片正极发生银迁移,导致样品失效。并提出了相应的改进措施,对于提高LED产品的可靠性具有一定的参考意义。     

对浮子板用电阻板不合格品的失效分析

本文探讨了浮子板系列电阻板在产品加工过程中，造成不合格品的原因，同时提出了相应的改进措施。     

基于电阻应变临界点的无铅焊点失效分析

利用特制的焊点在线测试系统,测试了不同载荷条件下单个无铅焊点的电阻应变曲线,推导出电阻应变和损伤量之间的定量关系式,分析了焊点失效特性。结果表明:无铅焊点电阻应变曲线包括线性变化区和指数变化区;两个区域临界点处的电阻应变值为0.05左右,临界点至失效的时间约占焊点寿命的20.00%～30.00%;热循环条件下,40℃的电阻应变曲线临界点滞后于125℃的临界点,滞后时间约占焊点寿命的7.50%。     

铜互连电迁移失效的研究与进展

Cu/低k互连的电迁移失效与互连材料、工艺、结构和测试条件都有着密切的联系。论述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展,讨论了电迁移的基本原理、失效现象及其相关机制和微效应以及主导失效的机制——界面扩散等,同时探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,主要有铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理等方法,并指出了Cu互连电迁移可靠性研究有待解决的问题。     

分析DSP技术的变频空调节能性

使用DSP产品,作为核心控制器件,发挥此芯片的作用,即超强的实时计算能力与集成器件等,使得变频空调系统结构更为简单,具有较强的可靠性,能够提高15%左右的电压利用率,降低器件开关损耗,提升空调的节能水平.