氢在担载金属表面的吸附研究

应用格林函数方法在紧束缚近似下研究了氢在担载金属表面的吸附性质。采用自洽的Anderson-Newns吸附模型,对氢在Pt/ZnO,Cu/ZnO和Ni/ZnO三种担载式复合体系表面的吸附能△E、吸附态能级E_ad作了计算,并讨论了金属簿层在ZnO衬底上的沉积厚度及金属-衬底相互作用对氢在该类复合体系表面的吸附性质的影响。计算表明,金属-衬底相互作用越强,氢在Pt(Cu,Ni)/ZnO体系表面的吸附能及电荷转移量越小。金属-衬底相互作用抑制了氢在金属表面的吸附。衬底对金属表面吸附性质的影 关键词：     

二氧化硅担载铬基催化剂的XAFS研究

考察了二氧化硅担载铬基催化剂Na-7.5%Cr/SiO2在甲烷-二氧化碳共活化制芳烃（SAMCA）新反应中的催化活性,最佳结果为甲烷转化率4.0%,芳烃选择性48.7%。用扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）和X射线吸收近边结构（XANES）,以及X光电子能谱（XPS）等方法研究了SAMCA反应催化剂Na-7.5%Cr/SiO2的结构。结果表明,催化剂表面主要存在Cr(Ⅵ）和Cr(Ⅲ）两种物种,六价铬相对在表面富集,催化剂呈明显的无定形特征。结合其SAMCA反应活性结果,认为催化剂中单金属（铬）双中心（两种氧化态）混合位置对称性结构,即配位不饱和的Td-Cr(Ⅵ）/Oh-Cr（Ⅲ）是该催化剂在SAMCA反应中显示活性的重要原因,提出了可能的SAMCA反应催化剂双位活化机制模型。     

吸附制冷中化学吸附的滞后圈研究

文中通过对活性炭-氨以及氯化钙-氨的对比试验,对氯化钙-氨化学吸附的滞后圈进行了研究,结果表明, 化学吸附的滞后现象非常严重,已经超出了气-固吸附的Zigmondy、McBain以及Cohan模型所能解释的范围。对化学吸附的Claperon图进行研究,发现吸附床冷却及加热过程中存在着一段等压冷却以及加热过程,这两个过程与吸附滞后圈相对应。对此现象进行分析,结果表明化学吸附的滞后圈形成原因主要与络合物的稳定常数以及吸附特性相关。     

fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用

用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。 关键词：     

杂质对CO在Ni（100）表面化学吸附位置的影响

在紧束缚近似下，采用ＥＳ模型和格林函数方法，通过对含杂Ｎｉ（１００）表面ＣＯ分子顶位、桥位和心位化学吸附能的计算，讨论了替位杂质对Ｎｉ（１００）表面ＣＯ化学吸附位置的影响。     

高纯氧化镧中微量稀土杂质的化学光谱法测定

本文介绍了高纯氧化镧中微量稀土杂质的化学光谱测定，将Ｌａ２Ｏ３通过Ｐ５０７萃淋树脂分离富集，将大量基体分离掉，剩下微量的稀土杂质，用Ｃ粉吸附后加ＫＢＨ４做载体进行光谱测定。本方法可测定９９．９９９９％纯度的Ｌａ２Ｏ３中的微量稀土杂质。     

基于机器学习的合金催化剂表面吸附能预测

近年来,机器学习方法逐渐成为多相催化中的一种关键研究手段. 二元合金材料作为重要的催化剂之一,在双功能催化剂的筛选中受到了广泛的关注. 本文提出了一个将机器学习方法应用在预测催化性质上的整体框架,从而快速预测原子、分子在金属和二元合金表面的吸附能. 通过测试不同的机器学习方法来评估它们对于该问题的适用性,并将树集成的方法与压缩感知方法相结合,利用约6×10⁴个吸附能数据构建了预测模型. 相对于线性比例关系,该方法可以更准确地预测大量合金上的吸附能(预测的均方根误差降低一半),并且更通用地预测各种吸附物的能量,为发现新的双金属催化剂铺平了道路.     

高分辨X射线衍射研究杂质对晶体结构完整性的影响

用水溶液生长晶体的方法生长出了不同掺杂的Sr(NO₃)₂晶体.用电子探针研究了杂质在晶体中的分布情况.结果表明,杂质在晶体中存在扇形分凝,其中Ba在{100}扇形区的含量大于{111}扇形区,而Pb的分凝情况相反,在{111}扇形区的含量大于{100}扇形区.用高分辨X射线衍射摇摆曲线技术研究了纯的、掺Ba的和掺Pb的Sr(NO₃)₂晶体的完整性情况,并用X射线衍射动力学理论计算了完整Sr(NO₃ 关键词： 高分辨X射线衍射 杂质 水溶液晶体生长     

氢原子在金属表面的吸附理论

本文在相关基函数理论框架下,利用巨分子模型,建立了氢原子在简单金属表面的吸附理论模型。通过对吸附平衡位置参量的变分数值计算,我们得到了关于氢原子在金属Al(r_s=2.07),Mg(r_s=2.66),Li(r_s=3.28)和Na(r_s=3.99)表面上的吸附能,吸附体系的电子密度以及平衡位置。对于传统的密度泛函方法得到的结果,本文作了比较。 关键词：     

Hubbard电子强关联与site-type杂质势对反式聚乙炔电子态的影响

本文在苏武沛、Schrieffer和Heeger(SSH)模型的基础上,分别考虑site-type杂质势和Hubbard电子强关联的作用,计算了反式聚乙炔链的电子能谱、本征矢和序参量。结果发现,杂质势对孤子有较强的钉扎作用,它破坏了电子能谱对称性,并使midgap态发生移动,这与Hubbard电子强关联对孤子能级的影响根本不同。值得指出的是,只有同时考虑site-type杂质势和Hubbard相互作用,才能对聚乙炔的掺杂光吸收实验做出正确的理论解释。     

杂质态束缚极化子效应对量子线中三次谐波振荡的影响

本文就杂质束缚极化子效应对量子线中三次谐波振荡的影响作了理论计算.利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了该系统中三次谐波振荡的解析表达式.最后以典型的GaAs量子线为例作了数值计算.     

Cl在GaAs(110)面上的吸附

本文主要研究Cl是吸附在GaAs(110)理想表面还是弛豫表面,是与表面正离子成键还是与表面负离子成键。计算采用集团模型和密度自洽的EHT方法。结果表明Cl只能吸附在弛豫的GaAs(110)面上,与表面As原子成键。在这个位置上吸附Cl的态密度与实验符合较好。 关键词：     

掺杂对氧化铝粒子辐射特性的影响

本文分析了广杂质以及掺杂形态对固体发动机尾喷焰内Al2O3粒子辐射特性的影响.利用Bruggeman有效介质珲论研究了Al2O3粒子掺杂不同体积的炭黑后等效光学常数随温度的变化规律,考虑了粒子在熔点附近相态的变化,重点研究掺杂量对吸收指数的影响规律,发现随着含炭量增加,吸收指数逐渐增大.以米氏理论为基础研究了不同尺寸的含炭黑Al2O3粒子吸收因子的变化情况,发现在某一粒子尺寸参数(x=πD/λ)和复折射率组合下吸收因子的数值会出现峰值.     

金属铝在半导体表面的吸附

本文采用集团模型,用自洽的EHT方法计算金属Al在Si(111)和GaAs(110)面上吸附的稳定的几何构型和电子态,结果表明,Al在Si(111)面的三度开位上的离子吸附比顶位的共价吸附更稳定,态密度与实验符合也更好,Al吸附在GaAs(110)面上,将取代表面Ga原子,形成AlAs,此时GaAs(110)面将恢复到不弛豫的理想位置。 关键词：     

HL－1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究

本文给出了ＨＬ－１托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发Ｈ模放电条件下，脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发Ｈ模等离子体中的输运研究结果。实验结果表明，在ＨＬ－１上偏压诱发Ｈ模等离子体中对杂质的约束性能明显优于在通常欧姆等离子体中对杂质的约束性能。杂质输运的数值模拟结果说明，无论在通常欧姆等离子体中，还是在偏压诱发Ｈ模等离子体中，杂质的输运系数都比新经典理论预计的要大得多，输运是反常的。在偏压诱发的Ｈ模等离子体中引入杂质输运“位阱”概念，能够对杂质离子约束时间长的实验现象进行很好的描述。合理地解释了在偏压杂质注入实验中杂质辐射上升时间长、衰减慢的现象。     

AI在GaAs(110)面上的吸附

用电荷自洽的EHMO方法研究了Al在GaAs(110)面上的吸附问题。比较了两种吸附构型,从能量极小的观点定出了稳定的吸附应为Al取代表面Ga原子,使Ga落在表面As的悬挂键上。还计算了电荷转移、成键情况和状态密度。 关键词：     

GaAs中过渡金属深杂质能级的计算

本文采用41个原子的原子族模型来模拟晶体,用电荷-组态自洽(SCCC)的EHMO方法和在边界上用"类Ga"和"类As"原子来饱和悬挂键,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在带隙中的位置与实验结果相符。