硼注入砷化镓的电子阻止本领

由文献上R_p的实验数据,用相对校正法和我们编制的LSS方程数值求解程序,算得B⁺→GaAs的电子阻止本领为NS_e(E)=12.4E^0.605,以及B⁺→GaAs的射程统计参数R_p,△R_p和R⊥。 关键词：     

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ)——轻离子(Z1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li⁺,Be⁺,B⁺,C⁺,N⁺,O⁺,F⁺,Ne⁺等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z₁和Z₂振荡、又能正确地给出S_e随离子能量E的变化关系。用这种以实验为基础的S_e经验公式和符合于WHB势的核散射函数,计数了从H⁺到Ne⁺十种轻离子在非晶Al₂O₃,SiO₂,20/25/Nb不锈钢,LiNbO₃和UO₂等材料中的投影射程分布的一次至三次矩。将计算值与近几年的实验测量及其他人的计算结果进行了比较,在低能端,我们计算的平均投影射程R_p与实验符合得更好。 关键词：     

砷化镓中质子注入之研究

本文中,我们研究了砷化镓中质子注入及退火恢复过程。实验用晶向<100>偏1—3°,掺Sn 5×10¹⁷-1×10¹⁸cm^-3的单晶,室温下质子注入,注入能量E约8×10⁴—2×10⁶eV,用A-B腐蚀剂对注入质子样品的解理面显结,测得质子注入高阻层的纵向深度x_j和径向扩展x_L与注入能量E的定量关系。然后,对注入质子样品,在150—800℃下退火5分钟,用双晶衍射仪研究了样品的应变恢复过程,在静电计上测量了高阻阻值随退火温度的变化。根据实验结果,讨论了砷化镓中质子注入的射程R_p,电子阻止本领S_n(E)和核阻止本领S_e(E),以及质子注入形成高阻和退火恢复的机理。 关键词：     

七种离子注入砷化镓的射程统计参数计算

采用逐级校正法数值求解LSS方程,计算了Be⁺,N⁺,Ne⁺,Mg⁺,Si⁺,Ar⁺,Cr⁺共七种离子注入到砷化镓靶中的射程统计参数R_p,△R_p,R_⊥提出了计算R_p,△R_p,R_⊥时简单的初值计算公式,既可避免能量零点发散,并有足够的计算精度。所提出的β积分表式,可大大节省机器计算时间。所使用的数值方法和计算程序也适用于其它离子注入到其它靶材料的计算。 关键词：     

电子阻止本领Se(E)的z振荡及其计算

本文应用Hartree-Fock-Slater势能代替Thomas-Fermi势能,得出电子阻止本领S_e(E)的归一化关系式;同时,结合有效原子序数概念,得出能量对S_e(E)影响的关系式,利用前一关系式,定量计算了S_e(E)随离子和靶原子的原子序数z变化的振荡关系,计算结果与实验值相当符合,利用后一关系式,定量计算了多种离子-靶体系的S_e(E),与文献[1]的关系式比较,本文结果更好地符合实验值,而且有更广的能量适用范 关键词：     

合金三元和四元系无定形靶中离子射程研究

本文应用Vagard定律,由二元系投影射程R_p的线性组合计算合金三元或四元系R_p。计算的H⁺→GaAlAs,InAs,InGaAs,Be⁺→GaInSb和InAsSb,以及B⁺→Cd_0.2Hg_0.8Te多元系合金靶的R_p,与文献报道的实测值或计算值甚为符合。此外,还计算了H⁺→GaInAsP,GaAlAsSb和 关键词：     

Mo-SiO2-C3H6催化反应体系的ESR动态表征

文章考察了Mo-SiO₂催化剂体系在丙烯歧化反应过程中的动态ESR波谱,发现在催化歧化反应过程中有两种Mo⁵⁺顺磁中心,一种为扰动八面体配位,g_||=1.89,g_⊥=1.94;另一种为扰动四棱锥配位,g_||=1.86,g_⊥=1.95。测得同位素^95,97Mo⁵⁺的各向异性超精细耦合常数A_||=90.3×10^-4cm^-1,A_⊥=44.8×10^-4cm^-1;观测到反应产生的积炭信号,g≈2.0O₂;氧阴离子自由基信号g₁=2.018,g₂=2.011,g₃=2.005。用LCAO-MO理论对上述Mo⁵⁺的ESR波谱进行计算,求得分子轨道系数,发现并总结出△g_||/△g_⊥与△g成直线关系,并建议用△g_||/△g_⊥=4(△E(B₂→E))/(△E(B₂→B₁)(β₁/ε)²之比值作为衡量C_4v扰动程度的尺度。     

SrZn2(PO4)2:Sn2+,Mn2+荧光粉的发光性质及其能量传递机理

采用高温固相法制备了SrZn₂(PO₄)₂:Sn²⁺(SZ₂P:Sn²⁺), SrZn₂(PO₄)₂:Mn²⁺(SZ₂P:Mn²⁺), SrZn₂ (PO₄)₂:Sn²⁺, Mn²⁺(SZ₂P:Sn²⁺, Mn²⁺) 荧光粉. 通过X射线衍射、激发和发射光谱详细研究了荧光粉的物相和发光性质. 在SrZn₂(PO₄)₂ 基质中, Sn²⁺离子发射光谱是峰值位于461 nm宽带谱, 归属于Sn²⁺离子的³P₁→¹S₀能级跃迁, SZ₂P:Mn²⁺激发光谱由基质吸收带(200–300 nm)和位于352, 373, 419, 431和466 nm的一系列激发峰组成, 分别对应Mn²⁺离子的⁶A₁(⁶S)→⁴E(⁴D), ⁶A₁(⁶S)→⁴T₂(⁴D), ⁶A₁(⁶S)→[⁴A₁(⁴G), ⁴E(⁴G)], ⁶A₁(⁶S)→⁴T₂(⁴G)和⁶A₁(⁶S)→⁴T₁(⁴G)能级跃迁, 因此, SZ₂P:Sn²⁺ 的发射光谱与SZ₂P:Mn²⁺的激发光谱有较大范围的重叠. 结果表明Sn²⁺对Mn²⁺发光有明显的敏化作用. 基于Dexter电多极相互作用能量传递公式和Reisfeld近似原理分析, 荧光粉SZ₂P:Sn²⁺, Mn²⁺中Sn²⁺-Mn²⁺离子之间的能量传递机理属于电四极-电四极相互作用引起的共振能量传递, 并计算出Sn²⁺-Mn²⁺离子之间能量传递临界距离R_c ≈ 1.78 nm. 通过改变Sn²⁺, Mn²⁺离子掺杂浓度, 实现了荧光粉发光颜色的调节, 在254 nm短波紫外激发下荧光粉发出较强的蓝白光. 研究结果表明SZ₂P:Sn²⁺, Mn²⁺荧光粉有望应用于紧凑型节能灯照明领域, 随着半导体紫外芯片技术的发展, 有潜力应用于未来的白光发光二极管照明领域.     

Tm3+离子掺杂的钨酸钇钠晶体中浓度猝灭效应的研究

测量了Tm³⁺离子不同浓度(0.5at.%, 3 at.%, 5 at.%)掺杂的NaY(WO₄)₂晶体在800nm激光二极管激发下的上转换发射光谱.结合吸收谱、荧光谱和由Judd-Ofelt理论计算的光谱参数，详细分析了Tm³⁺:NaY(WO₄)₂晶体中上转换能量传递机理和离子浓度对上转换发射的影响.讨论了四种影响上转换发光效率的离子间相互作用机理：³H₅+¹G₄→³H₆+¹D₂，³H₅+³H₅→³H₆+³F₃，¹G₄+³H₆→³F₄+³F₃，¹G₄+³H₆→³F₃+³F₄，并根据Miyakawa-Dexter理论定量计算了各过程的发生概率.论证了交叉弛豫和共协上转换等浓度猝灭效应是影响Tm³⁺离子蓝色上转换荧光发射效率的主要因素. 关键词： 3+离子')" href="#">Tm³⁺离子 4)₂晶体')" href="#">NaY(WO₄)₂晶体 上转换 浓度猝灭     

YGG:Cr3+晶体的光谱特性

本文通过实验研究了YGG:Cr³⁺晶体的光谱特性,报道了室温下的吸收谱,10,133,300K的荧光谱,以及荧光寿命、无辐射跃迁几率、辐射量子效率与温度之间的依赖关系。从吸收谱及荧光谱中确定在C_3i(S₆)低对称场微扰下,Cr³⁺离子在基质YGG中²T₁能级分裂的子能级及基态⁺A₂→²E零声子跃迁R线的位置。 关键词：     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

无扩散相变中界面动力学的唯象理论及其应用

固态相变中相界面或畴界面的平均运动速度V与有效相变驱动力△G＇(相变驱动力△G与相界面运动阻力△G_R之差)之间的关系可表示为V=φ(△G—△G_R)。当有单向变化的外场(场强为ξ,变化速率为ξ)作用于相变系统并能诱导相界面运动时,就会产生母相/新相间的转变。在相变过程中同时叠加一个交变应力时,则可计算得界面动力学关系V=φ(△G—△G_R)与相变过程内耗Q^-1、相关的模量亏损(△M/M)、相变速率dF/dξ、相变应变ε₀间的关系为 [d lnφ(△G-△G_R)/d(△G-△G_R)]= Q^-1ω/n²M(dF/dξ)ξ = (△M/M)ω/nMε₀(dF/dξ)ξ, 以及 (△M/M)/Q^-1=ε₀/n。此处ω为交变应力的圆频率,M为与振动模式有关的弹性模量,n为应力与界面运动的耦合因子。因此,界面动力学关系式的通解为 V = ∑(±n)/(α≠-1) A_α exp{[(△G-△G_R)/△G_α^*]^{α+ 1}/(α+ 1)} +∑(m)/(β₀) A_β[(△G-△G_R)/△G_β^*]^β 此处n,m为正整数。上式中的各项参数可由实验数据确定。此外,(△M/M)/Q^-1的等式还可用于判别相变过程的模量亏损中有无声子模软化的贡献。 关键词：     

NiTi合金中应力诱导的I/C相变及其界面动力学的研究

在改装了的拉力试验机上,以不同的拉伸速率ε(0.79—18×10^-5s^-1)进行加、卸载试验,并用中间扭摆和四端电位法同时测量了Ni-49at％Ti合金丝在应力诱导I/C相变过程的内耗Q^-1、模量M/M₀、电阻率ρ/ρ₀和应力-应变曲线。研究了应力循环和应变速率的影响。在Q^-1-ε曲线上出现Q^-1峰,而在f²-ε曲线上出现与之相对应的模量极小。内耗峰的高度Q_p^-1和模量亏损值均随ε增大而增大。根据界面动力学模型和内耗的实验数据,计算得应力诱导I/C相变过程界面的动力学关系为V=V^*(△G—△G_R)^m,V^*和m为动力学参数,△G_R为相变过程中运动相界面所受的阻力,计算得△G_R≈1cal/mol。讨论了内耗和模量亏损、软模效应之间的关系。 关键词：     

Breit相互作用对类氦离子亚稳态1s2s 3S1电子碰撞激发截面的影响

利用新近发展的基于全相对论扭曲波方法研究电子-离子碰撞激发过程的计算程序,通过对Breit相互作用的考虑,计算了类氦等电子序列离子从亚稳态1s2s³S₁激发2s电子到n=2,3壳层的电子碰撞激发截面;研究了不同入射电子能量时Breit相互作用对碰撞激发截面的影响,进一步总结了沿等电子序列变化时,Breit相互作用对截面影响的一般规律.部分计算结果与实验结果进行了比较,得到了很好的一致性. 关键词： 全相对论扭曲波方法 Breit相互作用 电子碰撞激发截面     

The permittivities of PVDF/PMMA blends at hydrostatic pressure

The complex permittivities of poly(vinylidene fluoride)/poly(methyl methacrylate) (PVDF/PMMA) blends have been measured under variation of temperature T(20°-60°C), frequency v(5 Hz-300 kHz), and hydrostatic pressure p (0-260 MPa). The values can be represented by a master curve with the shift factors △p/△ log (v/Hz) = ?140 MPa at room temperature and △ (1 /T) /△ log (v/Hz) = ?2. 10^?4 K^?1 at atmospheric pressure. The dependence of the activation energy △E _A on pressure p is then given by △E _A=(100 + 0.02 MPa^?1 p) kJ/mol. Furthermore, the results indicate that the β-relaxation of PVDF is due to motions in the crystal-amorphous interphase. The interactions between the two polymers, which are miscible at all compositions, disturb the correlations between the PVDF monomer units at that location as well as the mobility of the PMMA side group.     

NiTi合金相变过程中界面动力学的内耗研究

本文采用同时测量内耗、模量及电阻的方法,对NiTi合金变温过程中所发生的正、反马氏体相变及可逆I/C相变进行了系统的研究。结果表明,变温马氏体相变及I/C相变过程中内耗均为粘弹性型内耗,是相界面在克服粘滞性阻力而运动时引起的。从界面动力学出发,研究了相变过程中界面的运动动力学行为。由实验数据求得了马氏体相变过程中界面动力学关系的具体表达式为:V=V^*exp(—△G^*/△G—△G_R);相变过程内耗表达式为:Q^-1=(n²)/2·(μ△G^*)/((△G—△G_R)²)·(dF)/(dT)·T/ω;相变阻力△G_R约为10cal/mol的数量级。讨论了相变过程中的“软模”效应。马氏体相变过程中的模量“软化”来自声子模的软化和界面运动引起的附加模量亏损两个方面。 关键词：     

Magnetic properties of LiNi<Subscript>0.5</Subscript>Mn<Subscript>0.47</Subscript>Al<Subscript>0.03</Subscript>O<Subscript>2</Subscript> as positive electrode for Li-ion batteries

The layered LiNi_0.5Mn_0.47Al_0.03O₂ was synthesized by wet chemical method and characterized by X-ray diffraction and analysis of magnetic measurements. The powders adopted the α-NaFeO₂ structure. This substitution of Al for Mn promotes the formation of Li(Ni_0.47²⁺Ni_0.03³⁺Mn_0.47⁴⁺Al_0.03³⁺)O₂ structures and induces an increase in the average oxidation state of Ni, thereby leading to the shrinkage of the lattice unit cell. The concentration of antisite defects in which Ni²⁺ occupies the (3a) Li lattice sites in the Wyckoff notation has been estimated from the ferromagnetic Ni²⁺(3a)–Mn⁴⁺(3b) pairing observed below 140 K. The substitution of 3% Al for Mn reduces the amount of antisite defects from 7% to 6.4–6.5%. The analysis of the magnetic properties in the paramagnetic phase in the framework of the Curie–Weiss law agrees well with the combination of Ni²⁺ (S = 1), Ni³⁺ (S = 1/2) and Mn⁴⁺ (S = 3/2) spin-only values. Delithiation has been made by the use of K₂S₂O₈. According to this process, known to be softer than the electrochemical one, the nickel ions in the (3b) sites are converted into Ni⁴⁺ in the high spin configuration, while Ni²⁺(3a)–Mn⁴⁺(3b) ferromagnetic pairs remain, as the Li⁺(3b) ions linked to the Ni²⁺(3a) ions in the antisite defects are not removed. The results show that the antisite defect is surrounded by Mn⁴⁺ ions, implying the nonuniform distribution of the cations in agreement with previous NMR and neutron experiments.     

拍波激光加速器中的频率匹配

本文从广义协变的运动方程和麦克斯韦方程出发,导出了电子等离子体波各量的解析表达式。指出△ω=2ω_p的等离子体波是完全简谐的。完全共振的条件由△ω=2ω_(p0)[1+(e²(A₂⁽⁽¹⁾²⁾+(A₂^((2)2))/(2m²c⁴)+(3e²A₂⁽¹⁾A₂⁽²⁾)/(m²c⁴)]^-1/2 给出。 关键词：